SanDisk已經利用其15納米技術打造出業界最為小巧的NAND制作工藝，這意味著該公司能夠在同一塊硅晶片上切割出更多閃存芯片——產品成本也將因此而降低。

該公司將這項技術稱為“1Z”，這一名稱顯然延續自指代20納米以下工藝的“1X”以及15納米到20納米之間的“1Y”。事實上這些以字母為后綴的命名成果彼此之間的界限較為模糊，而且美光對于1Y及1Z的定義很可能與SanDisk及其合作伙伴東芝存在較大差別。

東芝與SanDisk已經開始生產19納米閃存（1X）芯片，并將此作為上代24納米芯片產品的替代方案。英特爾與美光則正在潛心打造20納米設備。美光的16納米工藝正處于開發當中，并于去年開始小規模提供樣片。我們認為三星同樣也在以19納米工藝制造新產品，而且開發19納米以下工藝也只是時間問題。

SanDisk指出，該公司將從今年下半年開始提高2bit每單元（即MLC）與3bit每單元（即TLC）閃存芯片的生產規模。公司存儲技術高級副總裁Siva Sivaram博士解釋稱，這項技術將創造出“全球體積最小且最具成本效益的128Gb芯片。”Sandisk方面還表示，15納米工藝的推廣“不會影響到任何存儲性能或者可靠性因素”;這項技術將被廣泛應用在該公司的各條產品線當中，從便攜式SD卡到企業SSD盡皆包含在內。

我們相信作為SanDisk公司的閃存代工合作伙伴，東芝也將以同樣的節奏推廣15納米工藝;而以Violin Memory為代表的各大SanDisk客戶也將能夠利用這些經過“瘦身”的閃存組件幫助自家存儲設備實現更為出色的功能表現。