三星電子從本月6日起在全球量產突破半導體微細化技術極限的3D垂直堆疊型結構NAND閃存芯片。
此次推出的3D V-NAND閃存芯片規格為128Gb，為業界最大容量。該產品同時采用了三星獨創的“3D圓柱形電荷捕獲型柵極存儲單元結構技術”和“3D垂直堆疊制程技術”，與采用20納米級單層結構的高性能NAND閃存產品相比，密度提高了兩倍以上，由此顯著提高了生產效率。
三星電子此次將原來單層排列的存儲單元以3D垂直堆疊方式重新排列，不僅同時實現了“結構創新”和“制程創新”，更將原有問題一并解決，為業界開創了“3D閃存芯片量產新紀元”。
由此，三星電子成功突破了10納米級以下半導體技術的極限，為將來推出1Tb以上大容量NAND閃存確保了技術來源，也掀開了NAND閃存技術革新的新篇章。
三星電子存儲芯片事業部閃存開發部負責人崔定爀專務表示：“過去數年間，公司全體員工為突破半導體技術極限并實現技術革新付出了辛勤勞動。公司今后將持續推出具有更高密度和更優良性能的產品，為世界IT產業的不斷發展貢獻力量。”
據市場調查機構預測，世界NAND閃存芯片市場將持續增長，從今年的236億美元增長到2016年的308億美元。
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