物聯網商機持續發燒，全球穿戴式、物聯網和大數據的應用需求繼續升溫，帶動MEMS、MCU、指紋識別等芯片需求，推動半導體產業的急速發展。

分析師認為，為了達到高性能傳輸、數據處理以及超低功耗等特性，IC制造商的制程技術發展策略轉向由成熟制程技術推進特殊工藝發展，更有甚者將8寸晶圓特殊制程轉移至12寸晶圓，以提高產能利用率、降低成本。

IBS預測，2020年全球IoT產業將產生高達7000億美元的價值。中芯國際深圳8寸廠的投產，正是看準了這一市場。IoT產品，由于產品特性更注重殺手級應用，卻并不需要先進制程技術，這使得中芯國際深研成熟制程，發揮差異化優勢的策略成效漸顯。

雖然全球晶圓制造企業正追逐14/16納米的先進制程，中芯國際今年剛試產28納米，差距仍在。但在55納米 eFlash， 38納米NAND， CIS-BSI、MEMS等方面，據集微網了解到，中芯國際進步明顯。CIS方面，FSI 和 BSI 均已投入生產，與芯視達合作的CIS-BSI產品已經實現量產。中芯國際提供包括 CIS 晶圓制造，彩色濾光片和微鏡頭制造，硅通孔芯片級封裝(TSV-CSP)及測試在內的一站式服務。

MEMS方面，中芯國際更側重IoT傳感器的開發，MEMS振蕩器早于2013年投入量產，麥克風和加速器在今年火熱試產中，中芯國際還為敏芯(MEMSensing)三軸加速度傳感器 MSA330 提供 TSV 封裝的解決方案。RF方面，中芯國際更實現多種產品的量產，同時提供RF-FEM的解決方案。

去年8月，中芯與華大電子推出國內第一顆55納米智能卡芯片，采用中芯國際55納米低功耗嵌入式閃存(eFlash)平臺，成功導入中國移動、中國聯通及部分海外運營商實現批量生產。中芯通過自主研發的38納米NAND技術，提供面向移動計算、嵌入式存儲、電視、機頂盒和IoT市場的多技術平臺，這些成熟技術的優化項目還能提供高密度，低漏電，低功耗和嵌入式NVM的解決方案。

中芯國際CEO邱慈云曾公開表示，去年我們在40納米與65納米產品線上成功流片了涵蓋廣泛應用的新產品，這使得2015年中芯國際第一財季營收再創歷史新高，達到5.098億美元，29.4%的毛利率也是近十年來最高，實現連續第十二個季度的盈利。

公開數據顯示，從2007年至2011年，4年間中國國內IC產值占全球份額提升了1.7個百分點。從2011到2013，兩年間又提升了2.1個百分點。隨著市場和技術壁壘的消除，國內IC產業加速發展，對成熟工藝的需求旺盛，使中芯國際國內客戶穩固增長。最新財報顯示，中芯國際(2015)一季度中來自中國客戶的收入破紀錄的達到47%。國內IC市場的急速增長，IC產業生態圈的建立，讓中芯國際處于有利地位。

當然，看準物聯網市場的不止中芯一家。今年3月聯電在廈門啟動12寸建廠計劃，向無塵室供應商亞翔采購超過85億元相關設備，同時宣布與ARM合作全新的55納米超低功耗制程(55ULP)技術，搶攻物聯網市場。礙于大陸半導體廠“N-1技術”法規的限制，聯電目前在臺灣量產的是28納米制程，因此到大陸只能生產55納米和40納米制程的產品。預計2016年4月開始裝機，試產等到明年第三季度，真正量產時間要到2017年。

傳聞聯電與IC設計公司展開18納米制程合作，為廈門12寸廠推進28納米鋪路。業內人士認為，聯電18納米制程采用FinFET設計，技術難度相當高，聯電好不容易量產28納米，并投入14納米制程，若18納米制程同時研發，必將分散內部研發資源。

對于聯電廈門建廠之事，業內一直有傳臺積電也在考慮中。分析師認為，目前臺積電合資的法令規范尚未解套，能否以獨資身份來陸建廠仍不明朗，困難重重。

去年6月，國務院公布《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出到2015年集成電路產業銷售收入超過3500億元的目標，到2030年產業鏈主要環節達到國際先進水平，并提出成立產業基金等創新支持模式。中芯國際正處于產業基金重點支持的制造領域，今年2月，大基金宣布向中芯國際注資約31億港元(約合4億美元)，4月發改委已對“大基金”投資中芯國際的項目予以備案。

中國集成電路行業發展迅速，在大基金的促進下，更出現“蛇吞象”式的跨國并購。中芯國際攜手長電科技及國家產業基金，聯合收購全球第四大封裝測試公司星科金朋這一事件攪動了全球半導體行業格局，對于中芯國際來說，與長電合資成立的12 寸Bumping 產線更是指向未來半導體封測最核心的中段技術，與IC行業上下游的垂直合作，為中芯國際的做大做強打下基礎。

一直以來，關于中芯與東部高科的并購消息傳聞不斷。國際芯片市場的并購大戲高潮迭起，英特爾170億美元收購Altera，安華高370億美元收購博通，NXP斥資118億美元收購飛思卡爾，如若中芯國際能夠成功實現并購，全球8英寸晶圓市場格局有望被打破，晶圓制造行業的并購之火能否被點燃?