NAND關鍵字列表
集英特爾傲騰技術和英特爾QLC NAND技術為一體的固態盤全新上市
英特爾今日公布了英特爾?傲騰?混合式固態盤的詳細信息，這款創新的設備采用M 2規格，體積小巧，將英特爾傲騰技術的卓越響應速度與英特爾? Quad Level Cell (QLC) 3D NAND技術的強大存儲容量融為一體。
SK海力士昨日宣布推出全球首款基于TLC(三級單元)陣列的96層512Gb CTF(電荷儲存式快閃存儲器)4D NAND閃存，采用3D CTF設計與PUC(Peri Under Cell)技術，并將在今年年底于近期完工的清州工廠M15進行量產。
盛會“快閃存儲器高峰會”(FlashMemorySummit)正式公布64層3DNAND芯片專利，向全球展現大陸已具備自主研發快閃存儲器技術能力，并追上主流產品腳步，相關產品預計明年量產，加入全球列強競逐快速成長的NAND芯片市場。
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，只是業界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
據外媒報道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開發下一代3D NAND內存?！薄 τ谛袠I觀察家來說，這兩家公司分道揚鑣并不令人感到驚訝，因為英特爾和鎂光近些年均建立了各自的生產廠。
除了NVMe以外，以DIMM為基礎的NAND Flash存儲器匯流排裝置，以及其他非揮發性固態儲存技術，也將在企業儲存市場發揮相當大的影響力。
據 AnandTech 報道，英特爾（Intel）與鎂光（Micron）之間維持了很長一段時間的 NAND 閃存開發與制造合作，將很快迎來終結 —— 兩家公司將在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之后分道揚鑣。
TrendForce：2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%
TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NAND Flash價格有機會走跌，下半年需求回升，可能再次供不應求，預估2018年NAND Flash ASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。
隨著全球信息化浪潮的不斷涌起，智能手機、人工智能以及物聯網等領域迎來高速發展契機。從國內存儲器廠商的發展情況來看，主要面臨的機遇有以下四點： 其一，全球存儲器芯片價格持續走高、市場供不應求的趨勢；
韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39 6%、至2,441億GB。在此之前，另一韓媒也說，三星平澤廠二樓主要用于生產DRAM，但是警告此舉也許會讓DRAM供過于求。
三星擴產NAND Flash IC Insights估恐過剩
IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。在晶圓代工方面，IC Insights表示，三星將投入50億美元擴增10奈米制程產能。
TrendForce調查指出，手機和服務器供需缺口擴大，第3季NAND Flash品牌商營收季增14 3%，但到明年上半年產業將進入淡季循環，市場局勢將轉為供過于求。
Q3 NAND Flash廠營收季增14.3% 2018年后市場轉為供過于求
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新報告指出，受傳統旺季、智能手機、服務器及數據中心對SSD需求拉升等因素影響
西部數據的收入和利潤在2018財年第一季度都有所增長，但對東芝談判的失敗可能會在法庭上敗訴，影響對96層3D NAND業務
觀存儲器產業：DRAM報價仍有上漲空間 NAND持續穩定成長
尤其到了第3季旺季，存儲器需求更是熱絡，報價持續走揚，預期2017年對于存儲器產業來說將是豐收的1年，受惠智能手機存儲器容量升級，服務器 數據中心的強勁需求
展望明年營運，上半年產業淡季使NAND Flash價格上漲不易，不過由于3D產能開出，NAND Flash貨源轉為充足下，估明年營收可維持成長。 法人預期，第三季在客戶轉觀望下，預營收較前季僅個位數季增，而第四季逐漸步入淡季，營收將較前季往下。
企業網版權所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6
京公網安備 11010502049343號
