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3D閃存立功！4bit QLC/5bit PLC固態盤齊來到：1元1GB
SLC的固態盤在如今的市面上已經是鳳毛麟角，MLC也越來越少，TLC開始成為市場的絕對主流。錯誤率是Flash閃存一座不可避免的大山，通常的處理方式是主控中加入ECC校驗技術，即在數據位中插入校驗位。
1月15日，我們撰文談到了3D NAND的出現讓QLC閃存能夠保證可控的錯誤率，商用從而成為可能。據TMHW報道，Marvell（美滿電子）的新NVMe主控預覽性能顯示，4K讀取達到670K IOPS，連續讀取達到3500MB s。
8月底的閃存峰會上，主控大廠群聯（Phison）公布了E12 S12新一代SSD主控的設計目標。其中，E12走PCIe通道，S12走SATA3通道，均支持3D堆疊的MLC TLC QLC閃存介質，具備智能糾錯技術延長壽命。
雖然PC持續萎靡多年，但對著游戲PC市場的火熱，SSD的閃存芯片需求的強勢增長，所以，2017年導致整個存儲芯片市場的需求是逆勢上揚。除韓國本土，中國西安也是三星重要的閃存產地， 8月底三星宣布在西安投資70億美元升級工廠，預計三年內投產。
如今SSD市場，主流SATA固態硬盤新品基本上都是采用TLC閃存，自2012年，第一款TLC NAND閃存的固態硬盤發布以來，TLC閃存一直面臨這質疑。
2017年已經剩下不到一個月了，又到了辭舊迎新的時刻了，回首今年的存儲產品市場，大家記印象深刻的就是各種漲價——內存價格一路狂飆，一年時間漲價三四倍還多。
據外媒報道，希捷在昨晚公布了截止9月29日的新一季財報，按照財務統計口徑，歸屬于2018年第一財季。2017年第4財季，希捷預計出貨3800萬塊機械硬盤，西數約3930萬塊，比起雙雄巔峰時期的5000多萬塊差了很遠，主要原因就是SSD的沖擊。
再無MLC/SLC！今后只有TLC/QLC閃存固態盤：只能買它
今年，SSD和內存的價格雙雙占據高位，剛發布的Intel8代酷睿臺式機處理器也價格挑漲，眼看DIY越來越成為“高富帥”的玩物。不僅如此，因為成本和價格問題，導致本來低階的技術居然被抬升到了主流位置，比如QLC、TLC閃存，比如DDR3內存重新出山。
三星方面宣布其將推出4層單元閃存，即QLC NAND芯片。根據HIS Markit的統計報告顯示，QLC閃存芯片預計應該于2018年第一季度推出，且其市場份額在2018年底之前將達到5 1%，2021年則可能達到30%。
近幾年來SSD發展相對迅速，各種對HDD不利的言論層出不窮，甚至到2021年SSD的出貨量可能還會超越HDD，SSD的市場形勢確實是一片大好，不過它還要伴隨HDD走很長的一段時間。
西部數據今天宣布成功開發了四比特單元的閃存顆粒（Four-Bits-Per-Cell，BiCS3 X4），也就是所謂的QLC，用于旗下的64層3D閃存產品。只是成本更低，容量更大，在存儲顆粒“洛陽紙貴”的當下，更具有現實意義。
西部數據今天宣布成功開發了四比特單元的閃存顆粒（Four-Bits-Per-Cell，BiCS3 X4），也就是所謂的QLC，用于旗下的64層3D閃存產品。X4已經用于2D閃存的產品，在SSD小型化的當下，通過3D也就是向上發展，可以在有限的空間內集成更大的存儲量。
在閃存研發領域，西部數據公司正在積極為其64層3D NAND配備4bits cell（四層單元，簡稱QLC）與bit成本伸縮（BiCS3）技術。與TLC（三層單元）閃存芯片相比，QLC閃存芯片具備3倍以上的單元數量以及兩倍的數據存儲密度。
在這個互聯網時代，游戲、電影、照片等數據越來越大，硬盤容量將會面臨著前所未有的挑戰。注：每Cell單元存儲數據越多，單位面積容量就越高，但同時導致不同電壓狀態越多，越難控制，導致顆粒穩定性越差，壽命低，利弊都有。
SLC、MLC及TLC這三種閃存芯片，大家都很清楚，但接下來QLC閃存芯片要開啟它的逆襲之路，而西數已經率先做出表率。QLC閃存的電壓更難控制，寫入速度更低，可靠、穩定性及壽命比TLC更差。
東芝今日宣布其成功開發出了全球首款 4-bit 3D 閃存（QLC），有望帶來更低的制造成本和更高的存儲密度。QLC 進一步提升到了 16 級（4-bit），可將每格劃分出 16 個單元，從而實現更大的存儲容量。
東芝日前發布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產品。
東芝發布100 TB QLC閃存驅動器 或在未來幾個月內正式上市
在此次閃存記憶體峰會上，東芝公司公布了一項四層單元（簡稱QLC）技術成果--其能夠大大提升閃存產品的發展前景，并會在"不久的將來"實際交付。
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