單元存儲量競賽仍處于升溫階段。

在閃存研發領域，西部數據公司正在積極為其64層3D NAND配備4bits/cell（四層單元，簡稱QLC）與bit成本伸縮（BiCS3）技術。

在西部數據公司的合作伙伴兼競爭對手東芝于今年6月公布了其QLC之后，西數方面亦作出了如上聲明。

與TLC（三層單元）閃存芯片相比，QLC閃存芯片具備3倍以上的單元數量以及兩倍的數據存儲密度。

曾幾何時，單元閃存芯片的每個存儲單元僅能容納1bit。然而，相較于今天的64層，三層單元芯片，其bit數已經實現了爆炸性增長，而且這種增長趨勢還將進一步持續下去。

西部數據的這款QLC芯片具有768 Gb存儲容量。SanDisk公司存儲器技術執行副總裁Siva Sivaram博士闡述了關于西數的QLC實現過程。Siva Sivaram博士表示，“在今天的發布會上，最引人注目的地方應當是我們在X4架構中采用了創新性技術，從而讓BiCS3 X4能夠發揮與BiCS3 X3相當的性能表現。”

換言之，該款QLC閃存的性能幾乎與其三層單元 TLC閃存相當。然而，目前普遍認為QLC閃存的使用壽命遠不如TLC閃存，所以QLC閃存更適用于快速訪問歸檔數據類應用與其他高讀取、低寫入使用環境。

不過，該款QLC閃存的高容量意味著其在QLC驅動器中可通過超額配置以延長產品本身的有效壽命。

西部數據公司將在下個月于圣克拉拉舉行的閃存峰會上展出其QLC SSD與可移動硬盤。此外，西部數據公司執行副總裁兼CTO Martin Fink也將在活動中發言。

值得一提的是，西部數據計劃在其開發中的96層3D NAND同樣采用QLC機制。