英特爾目前正在努力完善一種稱為極紫外光刻(EUV)的新制造工藝，這將使微芯片能夠在寬度小于0.1微米的電路線上進行蝕刻，使其比現在的芯片強大100倍。使用該技術構建的存儲器芯片將能夠存儲比現在多1000倍的信息，該工藝將用于構建其新一代7nm芯片。英特爾此前曾表示，計劃在其完善其10nm芯片后立即開始研發7nm工藝。

競爭對手芯片制造商Advanced Micro Devices公司已經完善了自己的7nm工藝，英特爾面臨著加速發展的壓力，月初，CES消費電子展上宣布推出首款Radeon VII芯片。英特爾表示D1X將有助于其更快地響應市場，將供應時間縮短約60%。雖然英特爾的行政總部位于硅谷，但D1X是英特爾的主要研發中心，在該中心設計其新一代計算芯片技術。

英特爾已告知其承包商預計合同周期為18個月，隨后開始數月的額外設備安裝，容量擴建相當大，預計最早的開放日期將是2021年中期。