回顧2017年中國的半導體大事記，兩起針對國內半導體企業的知識產權糾紛“榜上有名”。不難發現，隨著中國半導體的逐步崛起，產業訴訟開始在巨頭間現身。
2017年12月8日，美光科技在美國加州提起民事訴訟，控告聯電及福建晉華侵害DRAM的營業秘密。其中，福建晉華是國內三大存儲器項目之一，主攻DRAM技術的突破。
此前，在2017年4月12日，MOCVD（金屬有機化合物氣相沉積）設備巨頭Veeco在美國對中微半導體供應商SGL展開專利侵權訴訟；隨后中微半導體發起反攻，7月13日中微半導體向福建省高級人民法院正式起訴Veeco上海專利侵權，并在12月8日贏得了針對Veeco上海的專利禁令申請。
緊接著，在12月21日，福建法院審理中微半導體的起訴案件，不過最終的判決仍未知曉。2018年1月11日，中微半導體方面告訴21世紀經濟報道記者：“目前還沒有反饋，還在等待最后結果。”而同樣處于敏感期的福建晉華，則拒絕了本報記者的采訪。
當下，訴訟雙方的紛爭還在繼續。
攻守博弈
作為競爭手段，巨頭間的專利互訴頗為常見。但是此次中微半導體和福建晉華兩起訴訟均有令業界意外之處。
首先從Veeco的控告來看，其在美國的起訴對象并非中微半導體本身，而是它的晶圓承載器供應商SGL。而晶圓承載器是中微半導體的核心設備MOCVD的重要材料，MOCVD則是LED芯片生產的關鍵設備。Veeco表示SGL侵犯了其專利，并要求禁止SGL為中微半導體提供貨源，之后美國的法院在2017年11月批準了禁運的申請。
在芯謀研究首席分析師顧文軍看來，Veeco的控訴做法是“項莊舞劍”。同時他也表示：“在沒有判定Veeco的MOCVD反應器基底托盤的專利是否有效和中微托盤的設計是否侵權之前，美國法院就對SGL給中微供貨實施了初步禁運。這是在業界極少見的，特別是在SGL并不知曉他們做的中微托盤有侵權的問題，并不是故意的侵權的情況下，實行禁運是前所未有的。”
在專利上布局深厚的中微半導體則發起反攻，一方面中微半導體在福建高級法院控訴Veeco的托盤和轉軸的鎖定專利侵權；另一方面，中微在美國、中國和韓國對涉案專利提起專利無效請求。
中微董事長兼首席執行官尹志堯博士在此前的公開聲明中說道：“我們有信心中微將會贏得對Veeco上海的專利訴訟，Veeco上海將為其自2014年銷售EPIK 700系列MOCVD設備的侵權行為付出巨大代價。此外，我們也深信我們的供應商最終會贏得在美國的專利訴訟。”
事實上，在MOCVD領域目前主要被Veeco和Aixtron兩家壟斷，近年來中微半導體發展迅速，開始搶占市場份額，感受到壓力的Veeco便拿出了專利大棒。
近日，集邦咨詢LEDinside分析師王飛向21世紀經濟報道記者表示：“中國現在是全球最大的MOCVD市場，中微2016年在中國的銷售數量遠遠超過Veeco，威脅到了Veeco的利益。在中微看來，托盤的原理很多產業都在使用，半導體在很多年前就有比較類似的產品，并不算是原創性的專利。”
另一邊，美光科技狀告臺灣聯電和福建晉華盜竊其商業機密等不當行為，也有偶然因素，這是由于聯電的人才的流動引來訴訟。該存儲器項目是由聯電和晉華共同合作，因此晉華也成為了被告。
顧文軍表示：“在本案中，UMC（聯電）是需要負起責任的一方。盡管是臺灣本土公司，但UMC卻是美國上市的公眾公司，和晉華簽的協議都屬于美國加州管轄權下。在美被起訴的原因也有部分屬于觀念的差別，由于沒有美國大公司管理經驗，領導人對細節控制淡薄，對美國政府對上市公司的監管也缺乏重視，在技術來源處理上也欠妥。此外，員工的個人行為也會給晉華帶來損害。當員工換跑道的時候，拷貝資料、借鑒經驗有時候防不勝防。”
競爭持續
中國半導體產業面臨國際訴訟的同時，競爭態勢依舊嚴峻。
以中微半導體的MOCVD設備為例，作為LED芯片外延生長的核心關鍵設備，一臺MOCVD的售價高達一千萬到兩千萬人民幣。在LED行業內，上游企業是技術進步的瓶頸，是整個產業發展的關鍵。LED產業鏈各環節參與企業數量呈金字塔形分布。上游包括原材料供應、外延片生產、高端設備制造、芯片制造等，具有技術和資本密集的特點，參與競爭的企業具備核心技術，數量少，其中包括中國的中微和德國Aixtron公司、美國的Emcore公司。而這次的起訴方Veeco正是收購了Emcore的MOCVD部分。目前來看，中微半導體主要市場仍在國內，正在趕超Veeco等傳統巨頭。
從福建晉華代表的存儲器市場來看，以2016年為例，集成電路銷售額占據整個半導體行業82%，存儲器占據整個半導體市場的23%。目前最主要的存儲器包括DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。其中DRAM是手機中的內存。此次美光科技在美國加州提起民事訴訟，控告聯電及福建晉華侵害其營業秘密，主要就是集中在DRAM方面。
而國際上存儲器的巨頭主要在韓國，包括三星和海力士，整個韓國的存儲器產業占據全球的60%以上。其中DRAM領域，三星與海力士加起來占了全球份額80%。中國的存儲器也在加快發展，主要廠家包括紫光集團、武漢新芯、福建晉華、兆易創新。前兩家已經合并成了長江存儲，而在DRAM領域有較大進展的是福建晉華。
在顧文軍看來，中國存儲器產業一定會發生海外訴訟。長江存儲是3D NAND 方向，晉華、長鑫是DRAM方向，但三者的最核心的競爭力都是先進的晶圓制造產能。長江存儲依靠Spansion技術授權成為自主研發的先鋒隊；聯電、晉華是臺灣-大陸合作新模式，開啟的是存儲器關鍵技術的合作突破口；長鑫、兆易創新則是國內企業自主研發DRAM技術的開創者。假如三者中任一模式走得通，未來將等同于是在鐵板一塊的巨頭壟斷市場中楔入了一顆釘子。
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