市場研究機構ICInsights表示，隨著IC設計廠崛起，大陸晶圓代工需求同步升溫，預估今年中國晶圓代工市場規模將逼近70億美元，將增加16%，增幅將是整體晶圓代工市場的1倍以上，占整體晶圓代工比重將達13%。高度稱贊的晶圓代工市場，也意味著更激烈的競爭與混戰。目前，臺積電在全球的市場占有率排名第一，領先其他對手。根據ICInsights的調查報告，臺積電去年合并營收接近300億美元（294.88億美元），市場占有率高達59％；排名第二的是GlobalFoundries（格芯），去年合并營收為55.45億美元，市場占有率僅11％。緊隨其后的是臺灣聯電，去年營收45.82億美元，市場占有率為9%。

　　擔憂蘋果高通擠壓7納米產能 海思考察第二供應商分散風險

與此同時，在晶圓代工廠激勵競爭的背后，布局先進工藝節點的IC設計廠商也在尋求更為可靠的晶圓代工供應商。近日集微網消息顯示，海思半導體在臺積電16納米、10納米兩個制程世代一戰成名后，全力挺進7納米制程，業界透露因高通7納米訂單重回臺積電懷抱，海思在產能等戰略考量下，7納米制程可能會尋求第二供應商，目前傳出包括三星電子、格芯、英特爾等紛全力爭取海思訂單。

2016年除了蘋果是臺積電16納米制程最重要客戶外，包括聯發科、海思及展訊均積極在臺積電導入16納米制程量產，大幅拉抬兩岸IC設計廠商在臺積電先進制程投片比重，2016年臺積電16納米制程產能除了供應蘋果產品需求，其他產能幾乎被兩岸IC設計廠商全包。包括聯發科新款P20、海思Kirin950及展訊SC9860等芯片，均采用臺積電16納米制程量產。海思這幾年快速茁壯，與臺積電有著密不可分的關系，尤其臺積電在16納米制程上，高通首次放棄臺積電，旗艦芯片合作對象轉向三星，已由三星以14納米生產驍龍820、以10納米代工今年主打的驍龍835等，當時臺積電16納米制程第一個客戶就是海思，跌破業界眼鏡，也讓海思成為一匹大黑馬竄出，整個半導體產業開始正視海思的IC設計實力。此外，海思在10納米制程芯片也是由臺積電獨家代工。

進入到7納米節點，臺積電將于明年量產，明年的晶圓代工競爭將成為重頭大戲，半導體廠不僅拚技術良率，亦全力綁樁客戶訂單，尤其高通在14納米、10納米轉投三星，臺積電7納米制程最大目標就是把高通訂單搶回來，目前看來已成定局，高通正努力研發新一代驍龍855移動平臺，將由臺積電以7納米制程代工生產，預計2019年上市。此外iPhone下世代的A12訂單，臺積電以7nm結合InFO全拿訂單也勝券在握，臺積電在7納米制程可說是旗開得勝。

可以預見明年臺積電成長動能最強的制程是7納米，目前導入臺積電7nm制程的芯片廠相當多，除了高通，其他還包括蘋果、輝達、AMD、海思、聯發科、賽靈思等等。臺積電強調，目前7nm制程已有十二個產品設計定案，預計2018年量產，讓臺積電明年成長動能比今年更強。不過幾家歡喜幾家愁。海思過去在16納米、10納米世代上，是臺積電除了蘋果之外的最重要客戶，因為這兩個世代沒有高通的競爭，但進入7納米之后狀況就不一樣了，高通訂單回歸臺積電后，臺積電的大客戶順序，海思可能會被排在蘋果、高通之后，基于確保產能的戰略考量，海思評估找第二家供應商。

三星、格芯、英特爾競搶海思7納米訂單

海思在7納米制程第二供應商的選擇上，目前傳出三星、格芯、英特爾紛全力爭取，但各自有一些問題，其中，三星有意以OLED面板、DRAM和NANDFlash存儲器等零組件資源作為誘因，希望海思能到三星投片7納米制程，但海思和三星在智能手機市場是競爭對手，到三星投片并不是海思樂見的，但零組件搭售策略確實為一個誘因。

在7納米制程，三星的計劃是明年導入EUV技術后，在2018年下半年先行量產7納米制程，6納米與5納米制程隨后也將于2019年上陣，如此將可提供三星客戶更多選擇。但在這方面，三星2016年晶圓代工市占7.9%，全球排第四，遙遙落后臺積電的50.6%。在7納米之前，三星今日公布的8nmLPP制程是該公司在7nm工藝之前最先進也最有競爭力的工藝，并且也會很快投入市場。至于具體商用時間，三星表示會在隨后于全球各地舉行的三星半導體論壇上與7nmEUV光刻工藝進展一同公布。三星表示，相比于10nm制程，全新8nm制程的芯片不僅面積能縮減10%，功耗也能降低10%。該工藝正式投產后，將會定位于高端旗艦市場。

格芯過去14納米是向三星授權，在10納米世代則是棄權，進入7納米世代后重新加入高端制程戰局，手上的王牌即是IBM。過去海思曾在IBM投片晶圓代工，IBM退出半導體生產制造后，把資產賣給格芯，承襲IBM經驗成為格芯爭取海思訂單的利器，唯一的障礙是要證實其技術實力。格芯6月曾表示，7納米已在紐約Fab8晶圓廠內做好為客戶設計提供服務的準備，預計2018年下半年量產，且為了加快7LP的量產進度，格芯也計劃投入EUV技術，在量產初期則仍采用傳統的光刻方式，未來逐步使用EUV技術。同時，使用7納米制程的特殊應用芯片(ASIC)平臺，將主打數據中心、機器學習、汽車與5G等應用市場，預計2019年量產。

英特爾則積極以10納米制程爭取海思訂單，目前英特爾10納米制程的邏輯晶體管密度達到每平方毫米1億個，相較于臺積電4,800萬個、三星5,160萬個晶體管，將近是兩倍；況且英特爾10納米制程在鰭片間距和柵極間距上，低于臺積電與三星，因此，業界認為英特爾10納米技術相當于臺積電和三星的7納米制程。

海思是華為旗下IC設計公司，根據2016年大陸IC設計公司排名，海思以人民幣260億元穩居大陸規模最大的IC設計公司，其次是清華紫光展銳，規模約人民幣125億元。