英特爾在全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術，擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內最高的晶體管密度。

“英特爾精尖制造日”活動近日舉行，展示了英特爾制程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內首款面向數(shù)據(jù)中心應用的64層3D NAND產品已實現(xiàn)商用并出貨。此外，英特爾還首次展示了五款晶圓。

“英特爾遵循摩爾定律，持續(xù)向前推進制程工藝，每一代都會帶來更強的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本。”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith表示，“很高興首次在中國與大家分享英特爾制程工藝路線圖中的多項重要進展，展現(xiàn)了我們持續(xù)推動摩爾定律向前發(fā)展所獲得的豐碩成果。”

英特爾公司全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊旭表示，此次活動著眼于快速發(fā)展的中國技術生態(tài)系統(tǒng)，重申英特爾與中國半導體產業(yè)共成長的承諾。據(jù)悉，英特爾在中國深耕32年，打造了世界級的晶圓制造和封裝測試工廠，自2004年以來在華協(xié)議總投入達130億美元。

英特爾高級院士馬博介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節(jié)。英特爾10納米工藝采用第三代 FinFET（鰭式場效應晶體管）技術，充分運用了多圖案成形設計，并助力英特爾延續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。在晶體管密度方面，英特爾10納米制程工藝通過采用超微縮技術，在14納米和10納米制程節(jié)點上提升2.7倍晶體管密度，英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米，尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，實現(xiàn)世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內最高的晶體管密度。據(jù)悉，英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產品，以滿足客戶端、服務器以及其他各類市場的需求。

英特爾在全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術，擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內最高的晶體管密度。

22FFL晶圓在本次活動上全球首次公開亮相。22FFL是專門面向低功耗物聯(lián)網(wǎng)和移動產品的FinFET技術，它基于英特爾近年22納米/14納米制程的生產經(jīng)驗，帶來性能、功耗、密度和易于設計等優(yōu)勢。與先前的22GP（通用）制程相比，全新22FFL制程的漏電量最多可減少100倍。22FFL制程工藝可提供與14納米制程晶體管相媲美的驅動電流，同時實現(xiàn)比業(yè)界28納米制程更高的面積微縮。英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能，實現(xiàn)超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。

在本次活動上，英特爾公布了采用英特爾10納米制程工藝和晶圓代工平臺的下一代FPGA計劃。研發(fā)代號為“Falcon Mesa”的FPGA產品將帶來全新水平的性能，以支持數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級和網(wǎng)絡環(huán)境中日益增長的帶寬需求。

此前，英特爾晶圓代工宣布與Arm達成協(xié)議，雙方將加速基于英特爾10納米制程的Arm系統(tǒng)芯片開發(fā)和應用。作為這一合作的結晶，“英特爾精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU內核的10納米測試芯片晶圓。這款芯片采用行業(yè)標準設計流程，可實現(xiàn)超過3GHz的性能。

英特爾還宣布了業(yè)內首款面向數(shù)據(jù)中心的64層、三級單元（TLC）3D NAND固態(tài)盤產品已正式出貨。該產品自2017年8月初便開始向部分頂級云服務提供商發(fā)貨，旨在幫助客戶大幅提升存儲效率。在存儲領域30年的專業(yè)積淀，使得英特爾可以推出優(yōu)化的3D NAND浮柵架構和制造工藝。英特爾的制程領先性，使其能夠快速把2017年6月推出的64層TLC固態(tài)盤產品組合，迅速從客戶端產品擴展到今天的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤產品。