英特爾今天公布了10納米工藝制程的消息，這無(wú)異于一個(gè)重磅炸彈。目前全球性能最高的是14納米晶體管，業(yè)內(nèi)大多數(shù)使用的還算是14/16/20納米制程，英特爾的10納米工藝預(yù)計(jì)會(huì)領(lǐng)先整整一代。

10納米提高了晶體管密度并降低了單個(gè)晶體管成本

英特爾10 納米工藝使用了超微縮技術(shù) （hyper scaling），充分運(yùn)用了多圖案成形設(shè)計(jì) （multi-patterning schemes），可以助力英特爾延續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟(jì)效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。未來(lái)英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產(chǎn)品。

在工藝方面，英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達(dá)到每平方毫米1.008億個(gè)晶體管，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業(yè)界其他“10納米”制程的2倍。

英特爾10納米把邏輯晶體管密度提高了2.7倍

性能上，相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達(dá)25%的性能和降低45%的功耗。相比業(yè)界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領(lǐng)先性能。

另外，英特爾執(zhí)行副總裁 Stacy J.Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 納米制程技術(shù)所打造的晶圓，這也是未來(lái) Cannon Lake CPU 的最基礎(chǔ)的部分，并將會(huì)在 2017 年底前正式投產(chǎn) 10 納米制程技術(shù)的處理器。