來源：中科院之聲
全球物聯網、大數據中心、智能家居、便攜設備等應用的發展不斷豐富著我們的物質生活和精神生活，這些應用的正常運行都離不開半導體數據存儲芯片——僅一片指甲蓋面積大小的芯片區域就可以存放約300套《大英百科全書》文字內容的高科技產品。近年來，人類社會的數據量迅速激增，一年產生的數據就相當于人類進入現代化以前所有歷史的總和，這對存儲器芯片的容量和存儲密度提出了更高要求。
傳統半導體存儲器芯片通過提高單位面積的存儲能力實現容量增長，但在后摩爾時代已不可避免地面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等瓶頸。因此，尋求存儲技術階躍性的突破和創新，是發展下一代存儲器的主流思路。3D NAND是革新性的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實現存儲密度增長，將半導體存儲器的發展空間帶入第三維度，成為未來實現存儲器芯片容量可持續增長的關鍵。
中國作為全球制造業基地，存儲器消耗量驚人。據統計，中國存儲器消耗量占全球總消耗量的50%以上，但國產存儲產品卻屈指可數。我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產權和關鍵技術缺乏的困境，開展大容量存儲技術的研究和相關產品研制迫在眉睫。2014年6月，國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》，將半導體產業新技術研發提升至國家戰略高度。在此背景下，為推動自主存儲芯片技術和產業的發展，中國科學院微電子研究所與長江存儲科技有限責任公司建立戰略合作，集中開展3D NAND領域關鍵技術的全方位攻關。
圖1。 常規2D NAND與新興3D NAND空間結構對比圖（圖片來源：網絡）
3DNAND芯片的物理結構非常復雜，如果說傳統芯片的工藝制作過程如同在硅基材料的微觀世界里蓋平房，那么3D NAND多層堆疊結構的實現則是筑起高樓大廈的高難度工程，這給半導體工藝制造帶來了全新挑戰，需要在工藝流程上解決高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術，才能實現特性穩定、良率較高的存儲核心結構。
圖2。 3DNAND多層堆疊結構TEM照片（圖片來源：長江存儲）
存儲器的可靠性是影響產品品質的重要一環，數據耐久性、數據保持特性、耦合和擾動是可靠性的主要評估特性，綜合反映了存儲器可以正確存取資料的使用壽命。NAND型存儲器的普遍壽命在10年左右。由于不可123123能在自然條件下進行測試，研發人員采用存儲器加速老化的測試方法，在1-2周內模擬數十年的過程，通過大量實驗數據的組合分析，尋找影響可靠性特性的關鍵因素。同時，研發人員還建立了三維存儲結構的理論及工程模型，并應用創新性的電路設計技術，保證芯片各項指標達到產品級別。
目前，由微電子所與長江存儲聯合開展的3DNAND關鍵技術攻關已取得重要進展，研發的32層存儲器芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到了預期要求，系國內首次實現3D NAND工藝器件和電路設計等一整套技術驗證，標志著我國3D NAND存儲器研發向產業化道路邁出了關鍵一步。
來源：中國科學院微電子研究所
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