英特爾在 14 納米遭遇困難,目前開發(fā) 10 納米似乎也有類似問題,雖然英特爾從未說明困難之處,但似乎已投入更多資源,試圖克服這個難纏的技術瓶頸,務求避免 7 納米再度重蹈覆轍。
美國財經網站 The Motley Fool 分析英特爾 10-K 年報指出,英特爾 2016 年的技術研發(fā)(R&D)支出較前年增加 5%,或相當于 6.12 億美元,理由之一正是 7 納米開發(fā)成本提高。
英特爾之前投注在開發(fā)新芯片制造技術的資源已非常龐大,或許是業(yè)界之冠,去年又再往上加碼,且明寫在年報上,似在昭告天下英特爾非常重視,但至于金額是足夠克服障礙,則還有待追蹤。
7 納米預料將是下一個先進制程的決戰(zhàn)場,雖然砸錢不代表 7 納米就能順利投產,但至少代表英特爾展現(xiàn)一搏的決心,也提高超前同業(yè)推出更優(yōu)異產品的機會。
ICinsigt 日前公布 2016 年半導體研發(fā)支出前十大廠顯示,英特爾以 127.4 億美元位居榜首,三星 28.8 億美元排第四,臺積電 22.15 億美元排第六。