英特爾本周在白宮橢圓形辦公室宣布，對此前擱置的亞利桑那州工廠投資70億美元。英特爾表示，在建成并運營后，這處工廠將創造3000個工作崗位。英特爾CEO科再奇(Brian Krzanich)在美國總統特朗普的陪同下宣布了這筆投資。特朗普表示，科再奇幾周前向其致電稱，希望能一同公布這一重大消息。科再奇表示，在白宮宣布這筆投資是“對政府正在推進的稅務和監管政策”的支持。
“英特爾非常自豪的是，我們的制造業大部分都在美國，我們的大部分研發也都在美國，而我們的產品80%銷往海外。”科再奇在白宮如是說。
2011年，英特爾原本計劃在亞利桑那州投資50億美元建造一座工廠，但由于半導體行業開始從PC轉移向手機等移動設備，PC銷量在此后一直下滑，英特爾因此擱置了該項計劃。
特朗普于1月20日就職美國總統。他在去年的美國大選中表示，將推動企業在美國創造就業崗位，而不是將崗位轉移至國外。
此前，英特爾與100多家公司一同，提交法律陳述，對特朗普的移民禁令表示反對。
白宮負責技術項目的官員里德?科迪什(Reed Cordish)表示，這一事項并未被提交至白宮會議。
英特爾表示，該工廠將在3到4年內完工。這一工廠于2011年開工，計劃投資50億美元，并于2013年落成。英特爾于2014年擱置了這一計劃。當時智能手機和平板電腦的發展影響了市場對PC的需求。
壯志未酬的亞利桑那Fab 42
Fab 42工廠曾是一個50億美元的大項目，原計劃在2013年底開始生產英特爾最先進的芯片產品。不過英特爾發言人楚克穆羅伊(Chuck Mulloy)透露，就在同一地點的其他工廠升級換代之際，位于Chandler的這座工廠將在可預見的未來繼續保持關閉狀態。
穆羅伊表示：“新的建設將暫時擱置，并將取決于未來的技術。”他表示，盡管新工廠沒有開工，但英特爾已經完成了2011年啟動建設以來雇傭逾1000名員工的目標。通過雇傭這些員工，英特爾獲得了亞利桑那州的稅收優惠。
2012年奧巴馬競選連任時，曾在該工廠建設用地上停留，并呼吁美國政府采取措施，奪回過去這些年被亞洲搶走的制造業務。
作為全球最大的芯片廠商，英特爾在智能手機和平板電腦領域卻處處受制，這場移動革命已經極大削減了PC的市場需求，影響了英特爾的核心業務。市場研究公司Gartner的數據顯示，2013年全球PC出貨量下滑10%，這是自Gartner追蹤這些產品以來的最大降幅。
“新工廠尚未安裝固定設備，盡管空調設備已經裝好，但是真正有用、昂貴的設備還沒有到位。”穆羅伊表示。過去英特爾擁有市場統治力的很大一部分原因，就是該公司擁有世界上最先進的芯片生產技術，并且總是領先于競爭對手兩年左右的時間。
英特爾原計劃在這座工廠啟用最先進的生產工藝，生產14納米微芯片。穆羅伊表示，Chandler現有的英特爾工廠之前使用的是上一代22納米制造工藝，但正在轉型升級到14納米工藝，而且英特爾新招募的員工中，很多將在這些工廠工作。他說：“這樣可以更好地利用資金。”
英特爾三分之二的微處理器產自美國，其他則產自愛爾蘭、以色列和中國工廠。目前英特爾正在擴建美國俄勒岡州的一座工廠，工程師將在該工廠開展長期計劃，在450毫米的硅片上生產微芯片。目前世界芯片行業使用的最大硅片為300毫米左右。
“新”工廠還會瞄準最新的工藝嗎?
前面提到，英特爾本來想在Fab42推進當時最新的14nm工藝進展的，但由于這樣那樣的原因，最終導致工廠的停擺，而新工藝也經歷了很久才面世，且沒取得預期的效果。現在這個工廠重啟，Intel會否繼續在上面開拓新工藝?例如10nm?
根據英特爾最新的一份路線圖顯示，Intel要到2017年第四季度，才會推出10nm處理器。這份路線圖只顯示了Intel在移動平臺上的規劃，但這幾年Intel都是移動先行，桌面版肯定都會比這更晚，Kaby Lake就要到明年初才會登陸桌面，Coffee Lake說不定得2018年年中。
但今年1月，據海外媒體報道，英特爾(Intel)日前宣布將推出10納米芯片，搭載該芯片的處理器預計2017年推出，此消息一出，也等于駁斥外界認為摩爾定律(Moore"s Law)發展已放緩的說法。評論指出，雖然其他廠商也推出10納米技術，但各家標準并未統一，而且英特爾在10納米技術仍維持數年的領先優勢。
據IEEE Spectrum報導，2017年英特爾將推出的新處理器采用該公司最新10納米芯片制程技術。該公司也指出，屆時采該制程生產的電晶體成本將比以往還低，代表摩爾定律精神不僅將延續，也駁斥電晶體制造成本已來到最低的說法。
展望來年，英特爾并計劃在電晶體設計上繼續精進，而且首度讓自家制程技術最大化以便符合其他公司需求，可利用英特爾設備生產采安謀(ARM)架構的芯片。
英特爾院士Mark Bohr指出，雖然目前芯片制程世代或節點名稱說法與芯片上的功能多有脫勾，但該公司10納米世代所能達到的密度，將比目前14納米芯片甚至其他業者的10納米產品還要高。
該公司日前也公布多項新世代制程數據，包括負責開關的電晶體閘極長度以及閘極間距(gate pitch)都會更小，最小的閘極間距將由70納米變成54納米，執行標準邏輯功能的邏輯單元尺寸也會比目前采用14納米技術的小46%。
Bohr也指出，這已是較往年更為大膽的微縮程度，也一反日前新芯片制程世代出現時間變慢的發展趨勢。
英特爾指出，即使生產10納米晶圓的成本會比14納米高，但每顆電晶體生產成本會較低，而且在切換速度(switching speed)與功耗上都可獲得提升。因此，Bohr表示，在尺寸與效率上改善后，將可望讓服務器芯片增加更多核心以及在GPU增加執行單元。
過去英特爾每2年都會推出新的制程世代來升級電晶體，但在14納米，該公司推出被稱為半節點(deminode)世代，也就是在10納米之前只針對14納米做出改善，而且在10納米后，預計在進展至下一個7納米世代之前，也先推出2個半節點10nm+與10nm++。
目前三星電子(Samsung Electronics)與臺積電也在生產10納米芯片，2016年10月三星更宣布已率先量產，采用該芯片的裝置預計在2017年初上市，GlobalFoundries則傾向在2018年開始一舉進入7納米。
對此，分析半導體產業發展的VLSI Research機構執行長Dan Hutcheson指出，目前各廠都在積極突破微縮的極限而且都取得進展，但彼此標準并未統一，若以10納米產品比較，英特爾在特征尺寸上仍有多年領先優勢。
除此之外，Hutcheson也指出，英特爾透過控制與一致化其自家制程而與其他廠商有所區隔，也幫助其在發展代工服務上具備優勢。至于為其他公司代工芯片也是英特爾新作法之一，而且具備生產ARM處理器的能力后，對該公司來說更是重要。
英特爾也表示，首款10納米芯片將優先在其處理器上采用，2018年再向其他廠商開放。
至于具體的進展，就靜待英特爾的公布了。
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