據海外媒體報道，英特爾(Intel)日前宣布將推出10納米芯片，搭載該芯片的處理器預計2017年推出，此消息一出，也等于駁斥外界認為摩爾定律發展已放緩的說法。評論指出，雖然其他廠商也推出10納米技術，但各家標準并未統一，而且英特爾在10納米技術仍維持數年的領先優勢。
據IEEE Spectrum報導，2017年英特爾將推出的新處理器采用該公司最新10納米芯片制程技術。該公司也指出，屆時采該制程生產的電晶體成本將比以往還低，代表摩爾定律精神不僅將延續，也駁斥電晶體制造成本已來到最低的說法。
展望來年，英特爾并計劃在電晶體設計上繼續精進，而且首度讓自家制程技術最大化以便符合其他公司需求，可利用英特爾設備生產采安謀(ARM)架構的芯片。
英特爾院士Mark Bohr指出，雖然目前芯片制程世代或節點名稱說法與芯片上的功能多有脫勾，但該公司10納米世代所能達到的密度，將比目前14納米芯片甚至其他業者的10納米產品還要高。
該公司日前也公布多項新世代制程數據，包括負責開關的電晶體閘極長度以及閘極間距(gate pitch)都會更小，最小的閘極間距將由70納米變成54納米，執行標準邏輯功能的邏輯單元尺寸也會比目前采用14納米技術的小46%。
Bohr也指出，這已是較往年更為大膽的微縮程度，也一反日前新芯片制程世代出現時間變慢的發展趨勢。
英特爾指出，即使生產10納米晶圓的成本會比14納米高，但每顆電晶體生產成本會較低，而且在切換速度與功耗上都可獲得提升。因此，Bohr表示，在尺寸與效率上改善后，將可望讓服務器芯片增加更多核心以及在GPU增加執行單元。
過去英特爾每2年都會推出新的制程世代來升級電晶體，但在14納米，該公司推出被稱為半節點(deminode)世代，也就是在10納米之前只針對14納米做出改善，而且在10納米后，預計在進展至下一個7納米世代之前，也先推出2個半節點10nm+與10nm++。
目前三星電子(Samsung Electronics)與臺積電也在生產10納米芯片，2016年10月三星更宣布已率先量產，采用該芯片的裝置預計在2017年初上市，GlobalFoundries則傾向在2018年開始一舉進入7納米。
對此，分析半導體產業發展的VLSI Research機構執行長Dan Hutcheson指出，目前各廠都在積極突破微縮的極限而且都取得進展，但彼此標準并未統一，若以10納米產品比較，英特爾在特征尺寸上仍有多年領先優勢。
除此之外，Hutcheson也指出，英特爾透過控制與一致化其自家制程而與其他廠商有所區隔，也幫助其在發展代工服務上具備優勢。至于為其他公司代工芯片也是英特爾新作法之一，而且具備生產ARM處理器的能力后，對該公司來說更是重要。
英特爾也表示，首款10納米芯片將優先在其處理器上采用，2018年再向其他廠商開放。
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