今天，高通官方宣布，將使用三星的10nm FinFET打造自家的新旗艦處理器：驍龍835。
高通表示，與上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。
因此，通過10nm工藝加持，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，在一定程度上能夠方便手機廠商節省機身內部空間，獲得更合理的主板布局方式。
目前，驍龍835已經投入生產，預計搭載驍龍835的商用終端將于2017年上半年出貨。
此外，高通宣布驍龍820/21處理器已經擁有超過200款設計發布或正在開發中，驍龍835正是其后續產品。
但遺憾的是，高通目前并沒有公布驍龍835的具體規格。
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