繼三星發布了UFS 2.0高速儲存卡之后，美光日前發布了全球首個手機3D閃存。閃存科技快速發展折射出當前對于高科技芯片的廣闊需求。今年以來，由于下游需求旺盛，半導體設備訂單密集增加。當前半導體設備和材料的國產化程度不斷提升，龍頭企業受益半導體產業發展大機遇，值得投資者關注。

美光發布手機3D閃存

日前，在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上，美光公布了首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據報道，這款3D閃存芯片與傳統的2D NAND水平排布儲存單元不同，3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元，這種排布方式不但可以增加閃存的容量，又能讓芯片與處理器通訊變快。單個容量為32GB，采用全新UFS 2.1標準，讀取速度達到1.5GB/s，寫入接近500MB/s，是目前UFS2.0的2倍。未來中高端手機上將會采用這種3D閃存芯片，對手機市場來說又是一波新的換機潮，畢竟誰都想要速度更快，儲存容量更大的手機。

其實閃存科技快速發展折射出當前對于高科技芯片的廣闊需求，這也是今年半導體市場的縮影。今年以來，由于下游需求旺盛，半導體設備訂單密集增加，預計全年將取得出色成績。另外，半導體設備主要集中在制造和封測端，晶圓制造設備依舊是半導體設備中占絕對地位的設備，在2015年晶圓制造設備銷售額達到約286.7億美元，占比達到78.74%。中國半導體制造設備增長迅速，目前已經達到全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。

國內半導體設備替代空間廣闊

2015年，前五大供應商占市場份額的76.8%，前十大供應商占據了93.6%的市場份額，市場集中度高。值得注意的是，十大廠商中多數為美國和日本企業，國內廠商在這塊差距仍然較大。從半導體主要制造設備看來，光刻機、刻蝕機、化學氣相沉積（CVD）市場都為國外廠商占據。同時，也說明中國半導體設備市場存在巨大替代空間，且由于需求驅動，主要設備后續需求有望持續，維持良好增長勢頭。

招商證券指出，當前大陸半導體設備和材料的需求大幅增長，大陸半導體進入生產線密集建設期，目前在建或計劃建設的半導體晶圓投資項目總額已達800億美元，將需求約600億美元的設備，而材料的需求也隨之增加。預計2020年，大陸半導體設備和材料年需求規模將超過200億美元。

在需求上行的推動下，預計晶圓設備市場有望開始恢復成長趨勢，設備產能利用率也有望逐步回升，前期的高庫存也將有望顯著降低。此外，在國家半導體扶持政策推動下，國內有望實現爆發式增長。近幾年國內的半導體設備和材料產業已取得長足進步，逐步實現從低端向高端替代。刻蝕機、PVD、先進封裝光刻機等設備，靶材、電鍍液等材料，不僅滿足國內市場的需求，還獲得國際一流客戶的認可，遠銷海外市場。半導體設備和材料的國產化程度不斷提升，龍頭企業受益半導體產業發展大機遇。