摘要：過去幾年時間里，英特爾雖然在桌面領域仍過著“無敵是多么空虛”的日子，但是圍繞其芯片制造技術的話題討論越來越多了，特別是與很多開始被人熟知的芯片制造廠商相比，比如臺灣的芯片制造商臺積電。很多話題討論的開始，均是基于每一次非英特爾芯片制造商對制造工藝的升級。

最初，臺積電和三星明確表示，將以最快的速度從“20 納米”過渡的“14/16納米”，而且將會重點發展稱之為“FinFET”的晶體管結構器件，重點宣傳新工藝相比傳統而言芯片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝制程。

另一方面，當時英特爾也正處于 22 納米工藝技術到 14 納米的過渡中，并且英特爾也掌握了第二代 FinFET（Tri-Gate）器件技術。不過，英特爾的動作太慢了，導致三星和臺積電各自挑釁稱，其 16 和 14 納米已經領先英特爾，而英特爾仍無法完全脫離 22 納米的工藝制程，并且還有事實證明，臺積電的 20 納米工藝的晶體管密度比英特爾的 22 納米更高。

英特爾從 22 納米過渡到 14 納米的時間實在過于漫長，這點不假，而且英特爾也意識到了，在工藝制程技術同步發展的過程中，晶體管密度的競爭相當重要。事實上，面對民間乃至業界廣為談論的誤導性話題，英特爾并沒有刻意的做任何回應，但當英特爾正式公布自家 14 納米技術時，才真正確定了不可動搖的領先地位。

下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

從這個英特爾的圖來看，英特爾承認自家的 32 納米不如 28 納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如后者。再到 22 納米與 20 納米工藝的對比，結果亦是如此。不過，確實只有在 14 納米和 16 納米工藝節點，才超過了其余競爭對手，確立起領先的地位。

所以，三星和臺積電所說的都是事實，這兩大越來越出色的芯片代工廠在 20 納米制程時代確是領先于英特爾 22 納米。但不可否認英特爾新一代 14 納米更為出色，至少晶體管密度的優勢上超過了其他對手的 14/16 納米工藝節點。

工藝是一回事，那晶體管的實際性能呢？

多年以來，英特爾從未放棄過任何吹噓自己的芯片技術，只是在臺積電和三星上位之后收斂了很多。而且，難能可貴的是英特爾竟然沒有過度宣傳自家的第二代 FinFET 工藝，畢竟其余競爭對手在其 14 納米問世時，均處于第一代 FinFET 工藝水平。簡單的說，英特爾 14 納米正式問世之初，從晶體管性能的角度來看，整整領先了競爭對手一代。

在很多對芯片深度評測的機構報告中，尤其是權威站點 ChipWorks，我們可以看到英特爾 14 納米晶體管所有性能指標均領先于其他競爭對手。更重要的是，ChipWorks 通過先進的透射電子顯微鏡觀察分析發現，英特爾 14 納米芯片的晶體管鰭片間距做得最為緊密，堪稱這個星球上迄今最先進的半導體工藝，全面領先代工廠的 14/16 納米。

英特爾 22 納米和 14 納米晶體管鰭片細節對比：

所以，質疑英特爾在晶體管性能優勢競爭中落后的人都該閉嘴了。為什么，將下面三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細節與上面英特爾的對比就能明白。在 22 納米時代，英特爾的晶體管鰭片的確不夠出色，但 14 納米鰭片看起來已近乎“垂直”，使得了鰭片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅動電流和性能。

而三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細節，請注意看，很顯然更像是 2011 年英特爾 22 納米工藝時代的水平，宣稱超越難免有點大嘴了，畢竟無論如何還是基于第一代 FinFET 工藝打造。

三星 14 納米 FinFET 晶體管細節圖：

當然了，性能突飛猛進不太現實，而且英特爾考慮到了移動領域和其他應用的競爭，畢竟在這些領域不需要非常高的 CPU 頻率。但說到頻率，英特爾的 14nm 駕馭大于 4GHz 不會存在任何技術障礙，而代工廠的 14/ 16 納米當前仍然相當困難。

代工廠一直在進步

不可否認，在芯片制造業，各大代工廠尤其是三星和臺積電的進步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術差距，盡管英特爾長期處于領先，但當前十分需要將差距拉開更大。

我們不清楚英特爾是否是缺乏競爭壓力，但在移動領域，三星 14 納米 FinFET、臺積電 16 納米 FinFET 兩大工藝的競爭可謂空前慘烈，從合伙代工蘋果 A9，到爭搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經做好了部署全新工藝制程的準備，不止是第二版，還包括第三版。

例如說，臺積電第一代是標準的 16 納米 FinFET 工藝，之后推出的第二代 FinFET Plus（FF+） 增強版已經部署。至于下一代 FinFET Compact（FFC）也已經完成了設計研發，并確定本季度就可以投入量產，提前了大半年。

三星方面，其第一代 14 納米是 Low Power Eatly（LPE），現在第二代 Low Power Plus（LPP）已經開始量產，重點產品為 Snapdragon 820 和 Exynos 8890。三星高管聲稱，衍生于第二代的下一版 14 納米也將很快推出。

更長遠的計劃上，無論是三星和臺積電都已經開始朝著 10 納米的目標邁進。臺積電表示，10 納米今年即可試產，正式批量生產等到 2016 年年底，或者是 2017 年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅稱 2016 年年底 10 納米就可量產，2017 年一定會出現在手機和平板電腦上。

反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經被打破，而且第一款基于 10 納米工藝的產品按計劃要等至 2017 年下半年才能推出。除非英特爾改革研發模式，否則今年年底將喪失工藝領先的地位。作為半導體芯片領域的巨頭，英特爾長期自信滿滿，但在當前競爭環境中，還真的得加把勁了。