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拋棄臺積電 華為海思將用中芯自主28nm

責任編輯:editor007

2015-09-21 22:07:33

摘自:驅動之家

今年8月,內地最大集成電路晶圓代工廠中芯國際(SMIC)宣布采用其28nm工藝制程的驍龍410芯片開始用于主流智能手機,可謂開創了先進手機芯片制造落地中國的新紀元

今年8月,內地最大集成電路晶圓代工廠中芯國際(SMIC)宣布采用其28nm工藝制程的驍龍410芯片開始用于主流智能手機,可謂開創了先進手機芯片制造落地中國的新紀元。

據電子時報報道,在近日接受采訪時,中芯國際執行副總裁李序武稱,將有一批新的客戶使用新的28nm HKMG(后閘級高介電常數絕緣層),包括華為海思、博通。

報道稱,目前,中芯國際的28nm在傳統PoliSiON(PS,多晶硅)工藝組件上實現了量產,正在加速HKMG的交付。

對于今年6月份聯合高通、華為、比利時微電子研究中心合資開發14nm FinFET的事情,李序武也透露,比利時團隊已經派工作組進駐中芯參與工作,預計風險試產的時間最快是2018年。

目前,海思28nm高端芯片麒麟935來自臺積電,資料顯示采用的是HPC工藝(H代表HKMG)。一切順利的話,定位略低于麒麟950的新處理器或者麒麟935的一部分生產工作將交給SMIC,打造最強中國芯。

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