欲著力借此趕超三星。
32層結構已成昨日黃花。同志們，下面請鼓掌歡迎SanDIsk公司已進入實驗性生產的48層3D NAND芯片！沒錯，就是這么回事，肆～拾～捌層高高的！
我們可以將其視為追趕三星公司的一項舉措，畢竟后者目前已經開始推出第二代3D V-NAND芯片，其采用三層單元設計。戴爾方面將這些128 Gb晶粒應用到了自己的SC系列存儲陣列當中，旨在以前所未有的低廉每GB使用成本水平實現閃存產品的大規模銷售。
這款SanDisk芯片擁有256 Gb存儲容量，相當于三星的二倍，且同樣采用三層單元設計（簡稱TLC）。目前由代工合作伙伴東芝在其Yokkaichi代工廠負責實驗性生產。
與三星的閃存芯片相比，SanDisk的層數為前者的二倍——48層結構相當于將兩塊2D NAND芯片摞在一起。
SanDisk公司表示其采用的是BiCS設計，且將“帶來比傳統2D NAND更出色的寫入/擦除耐久性、寫入速度與能源利用效率。”
這是因為它采用了較當前SanDisk與東芝16納米芯片更大的光刻尺寸，從而提升了使用壽命水平。
我們認為其具體制程應該在24納米至40納米區間，不過SanDisk方面并沒有公布具體數字。雖然每層存儲容量低于16納米2D芯片，但總體48層結構讓其在同樣的芯片尺寸之下實現了更為可觀的空間上限。
此次實驗性生產的目的在于對生產流程進行微調，同時探索出可以接受的芯片產能水平。正因為如此，目前該產品的具體上市日期為——未知。
我們預計三星方面也會在2016年年底甚至更早的時間點上生產出下一代48層V-NAND。
這意味著消費級及移動設備將輕松實現閃存容量倍增，這將幫助它們擁有更快的速度表現以及運行更為復雜的軟件產品的能力。
企業級存儲方案也將借此幫助熱門數據找到更值得考量的閃存存儲機制，也就是說應用程序運行速度更快、服務器執行效率更高。這些顯然都是值得慶祝的好消息。
SanDisk公司的這款3D TLC芯片將于2016年年內正式投放市場。
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