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甩開英特爾 臺積明年Q1建10納米試產(chǎn)線

責(zé)任編輯:editor004

2014-08-25 13:38:43

摘自:元器件交易網(wǎng)

張忠謀當(dāng)時說,臺積電2013年開始進(jìn)行10納米技術(shù)開發(fā),10納米技術(shù)將是繼16納米FinFET(鰭式場效晶體管)及強(qiáng)效版制程16 FinFET+之后的第三代FinFET制程,效能與密度將是業(yè)界第一。

業(yè)界傳出,臺積電除加速南科廠16納米產(chǎn)能布建,也決定在明年第1季于中科建置10納米試產(chǎn)線,透露臺積電將以中科作為10納米生產(chǎn)重鎮(zhèn),并加快試產(chǎn)腳步,拉開與英特爾、三星等勁敵的差距。

臺積電并未對相關(guān)傳聞置評。設(shè)備商透露,受制于設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)極紫外光(EUV)技術(shù)輸出率仍未達(dá)量產(chǎn)需求,臺積電10納米仍會以浸潤式機(jī)臺進(jìn)行多重曝光方式,作為顯影核心設(shè)備,并集中于12寸晶圓廠生產(chǎn)。

10納米制程被臺積電視為「最關(guān)鍵的一役」,臺積電董事長張忠謀稍早透露,臺積電短期恐在16納米市占略為落后輸競爭對手,不過,臺積電有信心很快搶回市占率,并積極導(dǎo)入10納米等更先進(jìn)的制程,預(yù)定明年下半年完成產(chǎn)品設(shè)計定案。

張忠謀當(dāng)時說,臺積電2013年開始進(jìn)行10納米技術(shù)開發(fā),10納米技術(shù)將是繼16納米FinFET(鰭式場效晶體管)及強(qiáng)效版制程16 FinFET+之后的第三代FinFET制程,效能與密度將是業(yè)界第一。

臺積電對內(nèi)宣示,10納米是「非贏不可的一戰(zhàn)」,一定要做到比英特爾好,因此由張忠謀親自督軍,并號名近400 位研發(fā)人員成立「夜鷹計劃」,讓10納米研發(fā)無縫接軌、縮短學(xué)習(xí)曲線。

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