目前，快速發展的光通信市場需要大量的10Gb/s APD光器件，10Gb/s APD主要應用在距離大于40 km的光傳輸系統以及正在快速增長的10G E-PON中。
鑒于復雜的APD制作技術，能提供便于商用的2.5Gb/s APD的公司都不多，主流的國外供應商只有Sumitomo、D-tech、Cyoptics和Emcore。而國內只有光迅旗下的WTD和成都44所能大規模提供，其中WTD的2.5Gb/s APD年產600萬只。
對于10Gb/s APD，在結構設計和制作技術提出了更高的要求，國外只有D-tech，Cyoptics，Emcore，Mitsubish能提供10Gb/s APD，10Gb/s APD的商用市場為國外完全壟斷，10Gb/s APD芯片價格昂貴。
光迅自2006年開始10Gb/s APD的研究，承擔國家“863”課題“10Gb/s雪崩光電二極管及組件研究”。目前，從光迅芯片部岳愛文博士處獲得可喜信息，公司在已經在10Gb/s APD的結構設計和制作技術上取得關鍵性突破，已經開發出完全滿足商用技術指標要求的10Gb/s APD芯片。
光迅APD芯片為高可靠性的平面結構，具有暗電流小于10nA、低電容特點，APD芯片采用集成的微透鏡，容易耦合。APD的增益帶寬積高于90GHz。封裝后的APD ROSA在誤碼率1E-12下，靈敏度優于-26dBm，APD BOSA在誤碼率1E-3下，靈敏度優于-31dBm。
目前，光迅的APD芯片正在進行可靠性試驗中，并將計劃于2013年Q3進入大批量生產階段。光迅10Gb/s APD芯片的量產低將極大提高公司光模塊特別是10G-EPON產品的競爭力。
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