功率半導體器件的廣泛應用可以實現對電能的傳輸轉換及最佳控制，大幅度提高工業生產效率，大幅度節約電能、降低原材料消耗。
在過去的10年里，“18號文”推動中國半導體產業經歷了一個跨越式發展的時代。尤其是集成電路芯片制造業，大幅度地縮短了與國際先進水平的差距，不僅打造了數條12英寸生產線，而且在晶圓代工的全球競爭格局中也占據了一席之地。然而，沿著“摩爾定律”的階梯拾級而上，昂貴的工藝設備和巨額的研發費用所形成的門檻，把很多實力相對較弱的企業擋在了門外。中國芯片制造企業仍處在發展壯大過程中，此時不宜盲目地與國際巨頭比拼先進工藝，而應該尋找差異化的市場，以較低的成本求得最佳的效益。
功率半導體是差異化突破口
眾所周知，集成電路產品更新換代快、市場壽命周期短、工藝要求高。這些特點在高端產品如CPU、存儲器等領域表現得尤為突出。相對而言，功率半導體器件市場壽命周期較長，并且其技術發展路線不遵從“摩爾定律”，制造過程不要求使用最先進的生產工藝。對我國的半導體芯片制造企業來說，把功率半導體器件作為產品差異化的突破口，應該是一個明智的選擇。
從應用角度來看，功率半導體器件的推廣對于節能減排具有深遠影響。功率半導體器件的廣泛應用可以實現對電能的傳輸轉換及最佳控制，大幅度提高工業生產效率，大幅度節約電能、降低原材料消耗。如果電機的驅動采用功率半導體進行變頻調速，就可以節能大約1/4到1/3。據統計，在所有電能消耗中，用于電機的耗電約占70%，也就是說，僅考慮電機應用，功率半導體器件就可以幫助全社會節能20%左右。
作為高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，IGBT(絕緣柵雙極晶體管)無疑是功率半導體領域當前最為耀眼的明星。IGBT廣泛應用于工業、交通、通信、消費電子等各個領域，就連半導體芯片生產所需的等離子刻蝕、薄膜沉積及金屬鍍膜等設備，IGBT也是不可或缺的器件。目前，國內市場所需的功率半導體器件約有90%依賴進口，供需缺口甚至大于集成電路，而IGBT更是幾乎被國外廠商壟斷。
中國半導體業界早已清醒地認識到，不能把眼光僅限于集成電路，要具有“大半導體”的視野；已故的中國半導體行業協會理事長江上舟先生更是在其任內把每年一度的“中國國際集成電路博覽會”更名為“中國國際半導體博覽會”。然而，前輩們的苦心還需要我們花更多的時間去領會，在今年年初頒布的“新18號文”中，仍然是以光刻線寬為標桿來決定對半導體企業的扶持力度，這使得從事功率半導體生產的企業難以享受國家的優惠政策。
8英寸線擔當重任
正是看到功率半導體廣闊的市場前景，世源科技工程有限公司借助自身在芯片制造行業豐富的工程設計經驗，竭力幫助國內企業設計、建造用于生產功率半導體器件的廠房。2008年，由世源科技負責EPC(工程總承包)的國內第一條專注于電源管理器件的8英寸晶圓代工生產線建成。針對新型電力電子器件IGBT的生產，世源科技也傾注了自己的心力。目前，我們正在華中地區和東北地區為我們的客戶分別設計一條8英寸IGBT生產線。這兩條生產線分別面對高壓和中低壓的IGBT，其產品涵蓋了電力傳輸、機車牽引、新能源、電機控制、家用電器等IGBT所擅長的應用領域。
我們欣喜地看到，國內很多知名的芯片代工企業也紛紛打造IGBT的工藝平臺。今年3月，華潤上華成功開發1200V Trench NPT(溝槽非穿通型)IGBT工藝平臺；今年9月，華虹NEC與中科院微電子研究所合作開發的6500V TrenchFS(溝槽型場終止)IGBT取得了階段性的突破，使國內自主高壓高功率IGBT芯片從設計研制到工藝開發的整體貫通邁上一個新臺階。事實上，在華虹NEC推出IGBT工藝平臺之初，業界還對用8英寸生產線生產IGBT是否經濟提出過疑問，但華虹NEC用事實證明了8英寸代工IGBT的可行性。當然，由于IGBT與終端產品結合非常緊密，器件封裝的指標也非常苛刻，因此對代工企業提出了更高的要求。
隨著邏輯電路的生產逐步轉向12英寸，可以預見，將來會有更多的8英寸生產線從事功率半導體芯片的制造。中國企業應該把握這難得的機遇，以較為低廉的價格收購8英寸生產線的二手設備，翻新之后組建功率半導體生產線，以尋求最高的投資效益。
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