全球DRAM產業于第二季度營收總計為約81億美元，雖然內存平均銷售價格(Average Selling Price)受到日本地震所帶來的缺貨預期因素而有微幅回升，但受到茂德投片減少以及力晶轉進非DRAM產品增加的影響，總營收與上季相比呈現1.9%的小幅衰退。
從市場面做觀察，DRAM廠在先進制程30nm/40nm產出持續增加的情況，第二季整體顆粒產出與上季相較約有9%增幅，但也由于各家DRAM廠皆歷經制程轉換、良率仍待改善的陣痛期，造成大量低階(low-grade)顆粒流入現貨市場，更導致第二季現貨價格與合約市場不同調，呈現至少10%以上的跌幅。根據集邦科技的預估，雖然市場于今年皆處于供過于求的態勢，但受到日本地震所造成的供應鏈可能缺貨影響，造成DDR32Gb合約價于第二季上升約10%，若進一步與現貨市場跌價合并考慮，合約價的短期上揚并未對整體營收有幫助，僅反映出PC-OEM回補DRAM庫存時轉趨積極，而不是代表終端需求強勁。
與第一季相同，韓系與美系DRAM廠持續繳交出獲利的財務數字，臺灣DRAM廠僅有瑞晶與華邦維持小幅盈利，其余各廠仍持續虧損狀態。展望第三季，由于地震所帶來的短期漲價動能已經完全消散，總體經濟持續疲弱的影響，終端需求沒有絲毫復蘇跡象，預計將會加劇市場供過于求的狀況，造成內存平均售價進一步的下跌。各DRAM廠除了更積極致力于制程轉進，進一步改善成本結構外，同時調整自身產品組合，期望在此波DRAM跌價風暴中全身而退。
全球DRAM廠自有品牌內存營收排名
從全球DRAM廠自有品牌內存營收排名做分析，韓系廠三星與海力士的營收仍然穩居前兩位，以三星而言，第二季營收與上季相較呈現2%的成長，市占率一舉超越40%，主要受惠于35nm占產出比重大幅提升，根據集邦科技的預估，三星第二季位成長率近10%，產能轉換過程亦未傳出重大質量問題，有利于三星在營收市占進一步的攀升。海力士方面，營收與上季相比呈現微幅衰退，主要是受到轉換新制程時的短期產能損失以及先前44nm制程的小批量質量異常所致，營收與市占率與上季相比幾乎維持相同，展望第三季，海力士寄望38nm于客戶端驗證能夠順利進行，并于第三季末正式出貨，同時提升行動式內存以及服務器內存比例策略仍維持不變，希望在此波DRAM跌價風暴當中也能夠展現出相對穩健的績效。
日商爾必達由于出貨在現貨市場的比例較高，所以受到現貨價格跌價的影響較為顯著，所幸自六月起受惠于力晶產出的挹注，營收方面與上季相較呈現4.8%的增長，市占率成長約1%，來到14.4%。然而爾必達在現貨市場中出貨比例較高的關系，價格上更低于合約市場，讓獲利方面仍處于虧損的狀態。美光方面，雖然繳交出獲利的財務報告，但在營收以及市占與上季相較仍呈現7.1%與約1%的衰退，其主因是受到42nm良率不如預期的影響，加上先進制程進度與其他國際大廠相較約有半年的差距，展望第三季需觀察42nm良率是否有所提升，以及37nm的產品送樣能否有具體的進度，方能定論未來市占是否會進一步的提升。
臺灣DRAM廠方面，隸屬爾必達陣營的力晶半導體于六月份正式成為爾必達的標準型DRAM代工廠，第二季末的產出已挹注至爾必達營收中，造成力晶半導體于第二季營收僅有美金2.1億，與上季相較呈現近90%的衰退，下半年將完全退出內存品牌市場，加重非DRAM產品代工并尋求轉型的契機。南科方面，第二季的營收與上季相較呈現9.7%成長，主要是受惠于來自42nm的比例提升，較上季呈現約17%的增幅，營收成長亦大幅攀升。華邦方面，由于已完全退出標準型內存市場加上專注于毛利高的利基型內存產出，第二季的營收與上季相比約上升2.1%，未來將專注產品獲利能力的表現上。茂德由于財務問題，現金不足難以購買生產原料而導致投片量下修，進一步影響營收表現，與上個季度相比，第二季呈現24.5%的衰退，市占率更縮減到1.3%，對DRAM產業的影響力以微乎其微。
DRAM產業自有品牌各區域市占率
以各區域市占率的版圖來分析，韓系廠商合計市占率高達65.7%，美系與臺系DRAM廠方面各占營收市占的11.1%與8.4%，皆呈現下滑的趨勢，而日系廠商反升至14.7%，整體而言，韓國廠商占整體營收市占的比例持續擴大，大者恒大的態勢確立。
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