在晶片大廠力拱之下,支援分時-長程演進計劃(TD-LTE)的晶片已紛紛送樣,引發終端產品制造商一波導入智慧型手機設計的熱潮,且相關產品測試腳步亦隨之展開,預期明年上半年將有大量產品問世,為TD-LTE的發展再添動能,可望迎頭趕上分頻雙工(FDD)-LTE。
安立知產品技術副理薛伊良表示,MIMO的連結效能是LTE測試的重要環節,因此安立知的測試儀器已可支援至4×2 MIMO分析。
安立知(Anritsu)產品技術副理薛伊良表示,該公司目前已接獲許多TD-LTE手機的測試訂單,因此,從產品測試通常須歷經半年左右的過程才能開花結果來看,推估明年上半年,將是TD-LTE相關產品出關的旺季。
據了解,隨著高通(Qualcomm)和意法易立信(ST-Ericsson)針對高階智慧型手機與平板裝置所推出的TD-LTE晶片已于今年第二季送樣,包括宏達電、三星(Samsung)等一線行動裝置制造商,均已如火如荼著手進行手機產品的導入設計,并陸續啟動產品測試作業。若一切順利,明年中起,市場上即可看到相關終端產品接二連三登場,進一步炒熱TD-LTE市場。
屆時,隨著量產需求涌現,產品穩定性測試將躍居要角。薛伊良指出,因應此一趨勢,安立知旗下的MD8475A應用程式測試儀將在明年初導入TD-LTE測試支援軟體,其具備模擬基地臺及伺服器的能力,可在產品設計完成后,針對TD-LTE連結效能做第一道把關,并持續監控其穩定性,進而讓廠商無后顧之憂的投入量產。此外,MD8475A亦將與安立知其他晶片端和相容性測試產品,構成一貫化的解決方案,以滿足行動裝置制造商未來在量產測試上的各種需求。
除晶片與終端產品大幅進展外,扮演TD-LTE核心推手的中國移動近來亦動作頻頻,并與聯發科、諾基亞西門子(NSN)、中華電信研究所、安捷倫(Agilent)、羅德史瓦茲(R&S)等電信、晶片及量測業者共組TD-LTE測試中心,顯見該技術后勢發展力道強勁。
盡管界普遍認為TD-LTE在頻寬占用方面較FDD-LTE更具優勢,但據安立知實測顯示,囿于TD-LTE的運行架構必須使用20MHz頻寬,進而須采1.8GHz以上的頻段。然而,高頻在訊號穿透性及涵蓋范圍表現較差是眾所周知的問題,故TD-LTE在頻譜使用效率上反而略遜FDD-LTE一籌,未來若要進一步擴大通訊范圍,勢必要付出增設基地臺的成本,為其往后發展的隱憂。
薛伊良強調,雖然TD-LTE整體生態系統正快步茁壯,但后續能否超越FDD-LTE躍居主導地位仍屬未定之天。也因此,晶片廠兩邊押寶并朝TD/FDD-LTE兼容的發展,勢將蔚為潮流,從而促使終端產品和量測業者跟進,擴大在TD-LTE方面的布局。