在西部數據的人工智能移動化展區，我們也看到了其著重展示的這款西部數據最新發布的iNAND MC EU321嵌入式閃存盤。該產品采用先進的UFS 2.1接口以及西部數據公司iNAND SmartSLC 5.1架構，確保設備使用存儲容量接近98%時，EU321同樣可以保持巔峰的寫入性能，基于SLC緩沖區和TLC存儲區在SmartSLC Gen 5.1架構下順序寫入速度為550MB/s，隨機IOPS寫速度達到52K，其性能適用于高端旗艦手機機型，容量從32GB到256GB。96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤的核心技術改進了數據碎片收集和整理，相較于傳統架構速度優勢非常明顯。
據展區現場的工作人員介紹，iNAND MC EU321的厲害之處主要還是集中在iNAND SmartSLC 5.1緩存架構上，西數通過在TLC和內存數據操作之間設置一個SLC buffer層，通過SLC的緩沖達到非常高的爆發式訪問性能，數據緩存下來之后，通過西數在固件中寫好的算法機制，閃存會自動對TLC的數據塊進行整理，在減少碎片化的同時把SLC緩存里的數據寫入到TLC里。與此同時，因為有這樣一個SLC緩存架構存在，西部數據的NAND閃存盤更不容易出現那種固態存儲比較容易出現的滿寫性能急劇滑坡。一般來說，閃存往往在寫滿80%~90%的時候順序寫入性能就會發生斷崖式下降，甚至可能會比正常情況下下降超過一半多，而iNAND MC EU321則到98%寫滿的時候才會出現大概20%的性能損耗。
隨著智能手機、平板電腦、個人電腦以及物聯網設備支持全新的應用程序和服務，消費者與家人、朋友及周圍世界的溝通方式正在發生改變。多鏡頭高分辨率相機、人工智能、增強現實和虛擬現實、機器學習以及深度學習都離不開高速且低延遲的數據訪問。西部數據公司為設備制造商、芯片組生產商以及整個移動生態系統提供支持，幫助他們打造優質的產品和服務，為移動用戶提供身臨其境的全新體驗。西部數據公司推出的iNAND 嵌入式閃存驅動器(EFD)擁有豐富的產品種類，可幫助OEM應對高低不同層次的市場需求。西部數據公司支持最新的UFS工業標準接口，便于OEM和應用程序開發人員進行相應的設計并打造頂級體驗。此外，iNAND業界領先的寫入速度可滿足高分辨率攝影和視頻的需求。
此次，西部數據除了展示iNAND MC EU321嵌入式閃存盤外，也展示了其他幾款產品。iNAND MC EU311a集成UFS 2.1接口，可支持需要出色讀/寫性能的應用，如多鏡頭高分辨率相機、慢動作視頻、增強現實和虛擬現實、人工智能、機器學習以及深度學習。第五代SmartSLC技術能夠為數據密集型高端和旗艦移動設備提供超強寫性能，打造出色移動體驗。
iNAND MC EM131b 集成第四代 SmartSLC 技術，并經過優化，性能超強，持久耐用。集成式e.MMC接口可用于中高端智能手機以及二合一、可拆卸式輕薄計算設備，進行照片和視頻拍攝、游戲和快速文件傳輸。 iNAND® CL EM122c是一款商業級e.MMC 閃存驅動器，非常適合工業應用，在各種工作環境下均可靠耐用。 iNAND® MC EM111d 集成第二代 SmartSLC 技術，通過提升順序寫入速度來平滑地記錄4K和UHD視頻。
NAND閃存容量將在2017-2021迎來健康的28%復合年增長率。這個增長主要來自成熟的平板用戶升級到大屏、高容量、并具有更強大功能和連接性的產品，西部數據作為全球全球領先的數據與科技廠商離數據更近，也更了解數據可以帶給用戶多大的商業價值，并積極主動地進行戰略和技術部署，與行業用戶一同努力進行技術研發提供行業中最佳的解決方案。
無論是人工智能、邊緣計算、企業級云計算或是智慧城市，每天都會產生海量的數據，特別是現在數字信息化、智能化發展的大背景下，為用戶充分釋放數據價值驅動行業應用，是西部數據存儲變革的重中之重。正如西部數據所言“推動數據繁榮，締造輝煌成就”一樣，未來，西部數據將繼續努力，為行業與專業領域用戶提供幫助，開創全新智慧未來。
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