IBM公司已經將其FlashSystem 840/V840升級為900/V9000全閃存陣列產品，這套采用MLC閃存芯片的新設備通過與美光方面的緊密協作成功實現了性能表現與可靠性的全面穩定。

我們曾經在之前的文章中使用過V9000這一名稱設定，但我們認為應該存在的9000系列產品事實上并不存在。與預期相左，840的升級版本雖然如約而至，但其最終名稱卻為FlashSystem 900—明顯少了一個0。

IBM公司在公告當中著力強調了該產品的控制器方案—其采用FPGA芯片并配備硬盤錯誤校正、交叉式底板以及MicroLatency閃存模塊。

根據藍色巨人的說法，這款全新產品能夠提供“高達四倍的存儲容量提升，而所需機架空間低于EMC XtremIO閃存技術”。值得注意的是，IBM方面相當于在該產品的公告當中直接承認了這兩款產品之間的競爭關系。

我們通過以下表格列出了840與V840系統的各項已知參數，并將其與即將面世的900及V900系統加以比對。首先來看840與900的對抗結果：

　　FlashSystem 840與 900比對表格

二者之間的顯著差異在于，900的可用存儲容量比參考對象高出40%，相當于58TB對抗840的41TB。不過前者的讀取延遲略高一點，155微秒對840的135微秒。此外，900的讀取帶寬則由840的8GB每秒提高到了10GB每秒。

IOPS性能指標采用4K數據塊作為標準，900獲得了110萬讀取與60萬寫入的成績。

FlashSystem 900

新舊兩套系統在性能表現方面幾乎可謂旗鼓相當，惟一的差別在于新版本的存儲容量明顯更高。

在美光公司的幫助下，IBM交出了一份令人印象深刻且大獲成功的答卷，即利用MLC NAND芯片取代了原有eMLC閃存—事實上，前者在性能表現與可靠性方面相對較差。

通過將美光的晶片特性微調能力與IBM的工程技術優勢相結合，由此誕生的控制器技術使得新系統在性能表現方面繼續保持著上代產品的水平，而其可靠性（不過截至目前，我們還沒有看到任何具體使用壽命數字）同樣保持平穩—存儲容量則得到顯著提升。

840發布于一年之前，而包含有用于實現數據服務的IBM SVC產品的V840則在之后的2014年8月正式投放市場。

而在840面世的一年之后，我們又迎來了其繼任者900; 這樣的發展節奏實在令人有些應接不暇。

　　IBM FlashSystem V9000對陣 V840表

在將V900與前代V840進行比對時，我們發現前者的可用內部存儲容量由原先的320TB增加到了456TB，但與此同時其性能指標—包括延遲水平、IOPS以及帶寬—則保持不變。

總體而言，新老兩套系統在性能表現方面幾乎別無二致，惟一的區別在于繼任者在存儲容量方面迎來顯著提升。

在美光公司的幫助下，IBM交出了一份令人印象深刻且大獲成功的答卷，即利用MLC NAND芯片取代了原有eMLC閃存—事實上，前者在性能表現與可靠性方面相對較差。

通過將美光的晶片特性微調能力與IBM的工程技術優勢相結合，由此誕生的控制器技術使得新系統在性能表現方面繼續保持著上代產品的水平，而其可靠性（不過截至目前，我們還沒有看到任何具體使用壽命數字）同樣保持平穩—存儲容量則得到顯著提升。

考慮到美光閃存芯片類型的變更以及IBM與美光在工程技術方面所開展的協作，我們也許能夠在未來進一步迎來雙方共同打造的3D以及TLC NAND芯片。如果美光的軟件開發努力能夠切實收得成效，那么內存存儲方案亦有誕生的希望。

根據我們的理解，此類內存存儲閃存將與IBM的主機服務器及其操作系統緊密結合，而且很可能通過擴展將IBM的POWER服務器引入其中—畢竟藍色巨人已經徹底失去了自己的X86服務器技術。

目前我們還沒有得到關于產品定價的任何信息，因此無法向大家提供任何性價比方面的結論。不過如果大家在面對IBM公司或者IBM的渠道銷售代表時提到XtremIO，他們肯定愿意給各位朋友打個折扣。