英國新一期《自然》雜志刊載新研究說，科研人員開發出一種分子材料，可克服傳統電子元件造成的閃存空間限制問題，使常用的相機、手機等存儲卡提升存儲能力。

閃存是一種很普遍的數據存儲技術，但由于現有的數據單元設計問題，這種存儲方式有著物理上的局限性。目前閃存裝置采用金屬氧化物半導體，而用這種材料很難生產出10個納米單位以下大小的元件，這就限制了傳統硅芯片所能存儲的空間。

此前也有研究提出，可嘗試用單個分子替代這種金屬氧化物，從而打破物理局限性。但分子存儲材料存在耐熱性差、高電阻等許多現實障礙。為此，英國格拉斯哥大學研究人員與西班牙同行一起，利用一種被稱為“多金屬氧鹽酸”的化合物，合成出一類可發揮存儲作用的分子。實驗顯示，這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，可用作閃存裝置的存儲節點。

領導這項研究的格拉斯哥大學教授李·克羅寧說，這種新材料的一大好處在于，它們可直接安裝在現有的閃存設備中，而不需要重新設計整條閃存裝置生產線，在擴大存儲空間的同時還可節約成本。