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拼了!花500億研究存儲芯片,力爭年底研發成功

責任編輯:zsheng |來源:企業網D1Net  2018-08-12 16:27:20 本文摘自:澄泓財經

一、國產存儲器重要突破

7月16日,合肥長鑫發布首個中國自主研發的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,并計劃將于2018年年底推出工程樣品,這是國產DRAM產業的一個里程碑。

同時,從關鍵事件節點來看,兆易創新原董事長朱一明,宣布辭去兆易創新CEO,從原王寧國手上正式接任合肥長鑫存儲及睿力CEO。

此人事變動似乎也宣告,合肥長鑫存儲及睿力從王寧國核心團隊為主導的建廠草創期,進入以設計研發量產為主導,邁入下一個階段。

從現有的國內存儲器芯片生產企業來看,DRAM基地主要是合肥長鑫,合肥長鑫現在的合作方是兆易創新,2017年10月份兆易創新宣布斥資180億元進軍DRAM市場,與合肥市產業投資控股有限公司合作,目標是研發19納米工藝的DRAM內存,預計在2018年12月31日前研發成功,即實現產品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于10%。這一時間節點值得重點關注,研究君也會保持跟蹤。

合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元(495億人民幣),項目建設三期工程,目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠,建成后月產能為12.5萬片晶圓,有媒體報道這個產能將占到全球DRAM內存產能的8%。

根據計劃,合肥長鑫將于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程樣品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,產能將達到2萬片一個月。從2020年開始,公司則開始規劃二廠,2021年則完成17納米技術的研發。

二、存儲芯片乃半導體咽喉

存儲設備分為磁盤和存儲芯片(Memory)。磁盤,是指利用磁能方式存儲信息,存儲過程中需要磁性盤片的機械運動,日常生活中非常常見的電腦硬盤、移動硬盤就屬于此類;存儲芯片(Memory)則是以半導體為材料的存儲介質,我們平日常用的U 盤、PC內存、SSD(固態硬盤)等是Memory 的范圍。

 

 

在分類上,以斷電后存儲數據是否丟失為標準,存儲芯片(Memory)可分2類:一類是非易失性存儲器(Non-Volatile Memory),這一類Memory 斷電后數據能夠存儲,主要以NAND Flash為代表,常見于U 盤和SSD(固態硬盤);另一類是易失性存儲器(VolatileMemory),這一類Memory 斷電后數據不能儲存,主要以DRAM為代表, 常用于電腦、手機內存。

除了NAND Flash 和DRAM,Memory 還包含其他門類,例如Nor Flash、SRAM等。但從產值構成來分析,NAND Flash 和DRAM 是構成Memory 產業的核心構成,分別占據Memory 產值的37%和57%。

DRAM因為其應用的廣泛性和重要性,是電子產品必不可少的一種重要半導體元件。也是原器件領域的一個重要組成部分。根據IHS Markit的數據,2017年全球動態隨機存取存儲器(DRAM)的市場規模為722億美元,較2016年的415億美元增長了74%。更重要的一點的是,從2016年開始,DRAM的價格多次提高,2017年的價格漲幅更是高達40%。讓一些終端廠商,尤其是國內的廠商叫苦不堪。

DRAM全球高端壟斷、國產DRAM是空白!在2017年的DRAM市場,三星電子以44.5%的市場份額穩居市場第一,SK海力士則以27.9%的市場份額緊追其后。美光科技(22.9%)、南亞科技(2.2%)、華邦電子(0.8%)分列其后。這幾家幾乎囊括了全球所有的DRAM供應。

市場規模較小的NOR Flash,格局稍顯分散,美光(占比25%)、Cypress(收購了飛梭半導體)、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技等7家占據了90%以上份額。其中,兆易創新(603986)目前國內稀缺,全球市占率在10%左右。

存儲器芯片具有廣闊的應用場景和重要的戰略地位。隨著各種應用程序的越來越復雜,各種新興場景的不斷落地應用,例如:人工智能、物聯網、大數據、5G等,需要存儲的數據也越來越龐大。

目前,信息數據已經不僅僅是數字,而是一種資產。DRAM需求在未來幾年會迅速增長。國內作為主要的制造大國,對其需求有增無減。多方面的因素綜合,迫使中國去打造自主可控的DRAM企業。

據統計,中國消耗了全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國進口存儲器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。

國內存儲芯片(Memory)的戰略計劃,第一步是自建大規模的NAND Flash產能,尤其是發力新型3D NAND閃存技術,第二步逐漸進軍技術難度相對較大、壟斷更為嚴重的DRAM市場。這次投片的合肥長鑫將扮演國產DRAM的重要角色!

三、存儲芯片相關個股分析

存儲芯片(Memory )的上下游,其實就是整個大IC(集成電路)的產業鏈條:設計、制造、封測。因此,對應的也有兩種生產模式:IDM模式、fabless模式。

DRAM巨頭海力士、美光等是IDM模式,設計和制造全自家包辦,兆易創新是fabless模式。A股涉及存儲芯片的公司包括:兆易創新、太極實業、北方華創、長川科技等。

 

 

1.DRAM

存儲特征:斷電后數據不能存儲。

應用領域:主要是PC、手機、服務器的內存,分別占比30%、35%、15%。物聯網領域的DRAM的應用也在滲透,占15%左右。

量價特征:目前主要是供給和需求決定DRAM的價格走勢,而非技術升級。DRAM技術更新不明顯,DDR3作為主流技術已經存續超過5年,技術提升帶來的成本下降,沒有NAND Flash那么明顯。

市場空間與技術趨勢:1)2015年全球市場約410億美元;2)Trend Force預計2015年中國市場消耗DRAM高達120億美元,占全球比重23.2%,預計導2018年,中國DRAM市場容量將達到210美元規模,占全球比重達到29%;

3)存儲芯片(尤其是DRAM)持續緊缺,隨著PC操作系統由32位轉向64位,對于內存的需求大大增加,往往要從4GB升級至8GB乃至16GB,此外手機需求也是最大利好。

競爭格局:1)3家壟斷:三星、SK海力士、美光,合計占據全球95%以上份額,三家市占率約4:3:2。

巨頭技術水平:三星已經大規模采用20nm制程,毛利率也達到40%;SK海力士采用25nm制程,毛利率也達到了40%;美光制程水平較靠后,以30nm為主,毛利率為25%左右。

2)國內企業在DRAM領域的市占率幾乎為0。

國內企業(含A股)

1)太極實業:A股最純正的Memory封測標的,2009年與DRAM巨頭海力士合資成立海太半導體,專門承接DRAM芯片封測。

2)深科技:2015年收購金士頓(KINSTON)核心封測廠商沛頓科技100%股權;2016年4月導入DDR4項目,截至今年6月底,出貨量已經突破150萬條。

3)晶方科技:2015年2月收購智端達科技,后者是原DRAM巨頭奇夢達科技位于蘇州工業園的封裝測試和模組工廠。

4)紫光國芯:2015年8月收購西安華芯51%股權,該公司申請DRAM專利為國內之最,但目前無實質產能。

2.NAND Flash

存儲特征:斷電后數據能夠存儲,可大容量存儲。

應用領域:閃存卡、U盤、SSD(固態硬盤)

量價特征:除供需外,3D NAND技術采用更為先進制程和架構設計,單位材料可以存儲更多信息,也可有效減少成本,導致NAND Flash價格走低。

市場空間與技術趨勢:1)2015年全球市場約300億美元;2)SSD(固態硬盤)替代傳統機械硬盤(HHD)的趨勢不可阻擋,尤其是3D NAND閃存技術將提振SSD(固態硬盤)需求,在PC端、企業服務器領域滲透率提高將導致SSD出貨量大增。NAND Flash已經取代手機基帶/AP 和CPU,成為半導體產業創新驅動和產值的最大領域。

競爭格局:1)4分天下:三星市占率連續保持在35%上下;東芝與閃迪(SanDisk)合占30%左右;再就是美光、海力士。以上四家市占率達到令人咋舌的99%。

2)中金公司預計,紫光國芯在NAND市場份額將占中國總需求的50%左右,即300億人民幣。

國內企業(含A股)

1)紫光國芯:大股東紫光集團2015年控股西部數據,而西部數據又以約190億美元收購閃迪(SanDisk);大額定增中,600億元擬投入存儲芯片工廠,預計可新增12萬片/月產能,將貢獻營業收入354億元,年均利潤為87.2億元,滿產時間在4年后。

2)武漢新芯(長江存儲):主要產品為3D NAND,擬投入1600億元,存儲廠預計于2018年完工,2019年量產,首批產能為4萬片,預計到2020年形成月產能30萬片,到2030年每月產能100萬片。

3)華天科技:2015年與武漢新芯簽訂戰略合作協議,將部分承接后者的Memory封測訂單。

3.NOR Flash

存儲特征:斷電后數據能夠存儲,主要用于存儲代碼。屬于小容量型。

應用領域:手機、USB KEY、機頂盒等的代碼閃存應用。

量價特征:下游需求

市場空間:2015年全球市場約30億美元。

競爭格局:1)空間小、格局分散,巨頭逐步退出小容量、毛利較低的NOR Flash市場;2)美光(占比25%)、Cypress(收購了飛梭半導體)、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技等7家瓜分份額。

國內企業(含A股)

1)兆易創新:國內NOR Flash絕對龍頭,目前全球市占率10%左右。

四、重點關注個股

針對此次合肥長鑫的DRAM投片,我們主要看好三只相關個股:

1.直接合作方

兆易創新:(1)國內稀缺的存儲芯片龍頭,Nor flash國內第一;(2)2017年8-9月,大股東增持,國家集成電路大(更多半導體相關個股的深度研究報告,請關注“澄泓財經”wei 信號,回復關鍵字“半導體”,即可查看詳情。)基金入股11%;(3)入股晶圓制造龍頭中芯國際,進一步夯實戰略聯盟;(4)2018年3月收購思立微,打造存儲-微處理-傳感交互一體式解決方案;

(5)兆易創新和合肥長鑫DRAM合作非常順利!2017年10月,兆易創新宣布,與合肥長鑫進行19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發項目合作。目標在 2018 年12 月 31 日前研發成功,即實現產品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于 10%。此次合肥長鑫的重要突破,也利好兆易創新的DRAM戰略!

2.存儲芯片設備廠商

1)北方華創:(1)北方華創是由七星電子和北方微電子戰略重組而成,是半導體設備龍頭。公司主營業務包括半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件四大業務;(2)中國大陸地區是全球第三大半導體設備市場,但國內半導體設備自給率不足15%,進口替代空間巨大;

(3)公司于2018年1月完成收購美國Akrion公司,形成涵蓋應用于集成電路、先進封裝、功率器件、微機電系統和半導體照明等泛半導體領域的8-12英寸批式和單片清洗機產品線;(4)公司的真空裝備、鋰電裝備以及精密元器件業務齊頭并進,穩定發展。

2)長川科技:(1)長川科技作為國產測試設備龍頭企業,一直致力于測試機和分選機的研發。2013年以來,公司承擔了國家科技重大02專項中兩項課題的研發工作,并獲國家產業基金入股7.5%,充分展現其核心技術優勢。

(2)公司集成電路測試機和分選機產品已獲得長電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤微電子、日月光等多個一流集成電路企業的使用和認可。(3)從產品質量上看,公司測試機、分選機產品的主要性能指標已達國內領先、接近國外先進技術水平;從盈利能力上看,長川科技的毛利率和凈利率均高于國外設備巨頭。

關鍵字:研發芯片存儲研究

本文摘自:澄泓財經

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拼了!花500億研究存儲芯片,力爭年底研發成功

責任編輯:zsheng |來源:企業網D1Net  2018-08-12 16:27:20 本文摘自:澄泓財經

一、國產存儲器重要突破

7月16日,合肥長鑫發布首個中國自主研發的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,并計劃將于2018年年底推出工程樣品,這是國產DRAM產業的一個里程碑。

同時,從關鍵事件節點來看,兆易創新原董事長朱一明,宣布辭去兆易創新CEO,從原王寧國手上正式接任合肥長鑫存儲及睿力CEO。

此人事變動似乎也宣告,合肥長鑫存儲及睿力從王寧國核心團隊為主導的建廠草創期,進入以設計研發量產為主導,邁入下一個階段。

從現有的國內存儲器芯片生產企業來看,DRAM基地主要是合肥長鑫,合肥長鑫現在的合作方是兆易創新,2017年10月份兆易創新宣布斥資180億元進軍DRAM市場,與合肥市產業投資控股有限公司合作,目標是研發19納米工藝的DRAM內存,預計在2018年12月31日前研發成功,即實現產品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于10%。這一時間節點值得重點關注,研究君也會保持跟蹤。

合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元(495億人民幣),項目建設三期工程,目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠,建成后月產能為12.5萬片晶圓,有媒體報道這個產能將占到全球DRAM內存產能的8%。

根據計劃,合肥長鑫將于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程樣品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,產能將達到2萬片一個月。從2020年開始,公司則開始規劃二廠,2021年則完成17納米技術的研發。

二、存儲芯片乃半導體咽喉

存儲設備分為磁盤和存儲芯片(Memory)。磁盤,是指利用磁能方式存儲信息,存儲過程中需要磁性盤片的機械運動,日常生活中非常常見的電腦硬盤、移動硬盤就屬于此類;存儲芯片(Memory)則是以半導體為材料的存儲介質,我們平日常用的U 盤、PC內存、SSD(固態硬盤)等是Memory 的范圍。

 

 

在分類上,以斷電后存儲數據是否丟失為標準,存儲芯片(Memory)可分2類:一類是非易失性存儲器(Non-Volatile Memory),這一類Memory 斷電后數據能夠存儲,主要以NAND Flash為代表,常見于U 盤和SSD(固態硬盤);另一類是易失性存儲器(VolatileMemory),這一類Memory 斷電后數據不能儲存,主要以DRAM為代表, 常用于電腦、手機內存。

除了NAND Flash 和DRAM,Memory 還包含其他門類,例如Nor Flash、SRAM等。但從產值構成來分析,NAND Flash 和DRAM 是構成Memory 產業的核心構成,分別占據Memory 產值的37%和57%。

DRAM因為其應用的廣泛性和重要性,是電子產品必不可少的一種重要半導體元件。也是原器件領域的一個重要組成部分。根據IHS Markit的數據,2017年全球動態隨機存取存儲器(DRAM)的市場規模為722億美元,較2016年的415億美元增長了74%。更重要的一點的是,從2016年開始,DRAM的價格多次提高,2017年的價格漲幅更是高達40%。讓一些終端廠商,尤其是國內的廠商叫苦不堪。

DRAM全球高端壟斷、國產DRAM是空白!在2017年的DRAM市場,三星電子以44.5%的市場份額穩居市場第一,SK海力士則以27.9%的市場份額緊追其后。美光科技(22.9%)、南亞科技(2.2%)、華邦電子(0.8%)分列其后。這幾家幾乎囊括了全球所有的DRAM供應。

市場規模較小的NOR Flash,格局稍顯分散,美光(占比25%)、Cypress(收購了飛梭半導體)、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技等7家占據了90%以上份額。其中,兆易創新(603986)目前國內稀缺,全球市占率在10%左右。

存儲器芯片具有廣闊的應用場景和重要的戰略地位。隨著各種應用程序的越來越復雜,各種新興場景的不斷落地應用,例如:人工智能、物聯網、大數據、5G等,需要存儲的數據也越來越龐大。

目前,信息數據已經不僅僅是數字,而是一種資產。DRAM需求在未來幾年會迅速增長。國內作為主要的制造大國,對其需求有增無減。多方面的因素綜合,迫使中國去打造自主可控的DRAM企業。

據統計,中國消耗了全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國進口存儲器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。

國內存儲芯片(Memory)的戰略計劃,第一步是自建大規模的NAND Flash產能,尤其是發力新型3D NAND閃存技術,第二步逐漸進軍技術難度相對較大、壟斷更為嚴重的DRAM市場。這次投片的合肥長鑫將扮演國產DRAM的重要角色!

三、存儲芯片相關個股分析

存儲芯片(Memory )的上下游,其實就是整個大IC(集成電路)的產業鏈條:設計、制造、封測。因此,對應的也有兩種生產模式:IDM模式、fabless模式。

DRAM巨頭海力士、美光等是IDM模式,設計和制造全自家包辦,兆易創新是fabless模式。A股涉及存儲芯片的公司包括:兆易創新、太極實業、北方華創、長川科技等。

 

 

1.DRAM

存儲特征:斷電后數據不能存儲。

應用領域:主要是PC、手機、服務器的內存,分別占比30%、35%、15%。物聯網領域的DRAM的應用也在滲透,占15%左右。

量價特征:目前主要是供給和需求決定DRAM的價格走勢,而非技術升級。DRAM技術更新不明顯,DDR3作為主流技術已經存續超過5年,技術提升帶來的成本下降,沒有NAND Flash那么明顯。

市場空間與技術趨勢:1)2015年全球市場約410億美元;2)Trend Force預計2015年中國市場消耗DRAM高達120億美元,占全球比重23.2%,預計導2018年,中國DRAM市場容量將達到210美元規模,占全球比重達到29%;

3)存儲芯片(尤其是DRAM)持續緊缺,隨著PC操作系統由32位轉向64位,對于內存的需求大大增加,往往要從4GB升級至8GB乃至16GB,此外手機需求也是最大利好。

競爭格局:1)3家壟斷:三星、SK海力士、美光,合計占據全球95%以上份額,三家市占率約4:3:2。

巨頭技術水平:三星已經大規模采用20nm制程,毛利率也達到40%;SK海力士采用25nm制程,毛利率也達到了40%;美光制程水平較靠后,以30nm為主,毛利率為25%左右。

2)國內企業在DRAM領域的市占率幾乎為0。

國內企業(含A股)

1)太極實業:A股最純正的Memory封測標的,2009年與DRAM巨頭海力士合資成立海太半導體,專門承接DRAM芯片封測。

2)深科技:2015年收購金士頓(KINSTON)核心封測廠商沛頓科技100%股權;2016年4月導入DDR4項目,截至今年6月底,出貨量已經突破150萬條。

3)晶方科技:2015年2月收購智端達科技,后者是原DRAM巨頭奇夢達科技位于蘇州工業園的封裝測試和模組工廠。

4)紫光國芯:2015年8月收購西安華芯51%股權,該公司申請DRAM專利為國內之最,但目前無實質產能。

2.NAND Flash

存儲特征:斷電后數據能夠存儲,可大容量存儲。

應用領域:閃存卡、U盤、SSD(固態硬盤)

量價特征:除供需外,3D NAND技術采用更為先進制程和架構設計,單位材料可以存儲更多信息,也可有效減少成本,導致NAND Flash價格走低。

市場空間與技術趨勢:1)2015年全球市場約300億美元;2)SSD(固態硬盤)替代傳統機械硬盤(HHD)的趨勢不可阻擋,尤其是3D NAND閃存技術將提振SSD(固態硬盤)需求,在PC端、企業服務器領域滲透率提高將導致SSD出貨量大增。NAND Flash已經取代手機基帶/AP 和CPU,成為半導體產業創新驅動和產值的最大領域。

競爭格局:1)4分天下:三星市占率連續保持在35%上下;東芝與閃迪(SanDisk)合占30%左右;再就是美光、海力士。以上四家市占率達到令人咋舌的99%。

2)中金公司預計,紫光國芯在NAND市場份額將占中國總需求的50%左右,即300億人民幣。

國內企業(含A股)

1)紫光國芯:大股東紫光集團2015年控股西部數據,而西部數據又以約190億美元收購閃迪(SanDisk);大額定增中,600億元擬投入存儲芯片工廠,預計可新增12萬片/月產能,將貢獻營業收入354億元,年均利潤為87.2億元,滿產時間在4年后。

2)武漢新芯(長江存儲):主要產品為3D NAND,擬投入1600億元,存儲廠預計于2018年完工,2019年量產,首批產能為4萬片,預計到2020年形成月產能30萬片,到2030年每月產能100萬片。

3)華天科技:2015年與武漢新芯簽訂戰略合作協議,將部分承接后者的Memory封測訂單。

3.NOR Flash

存儲特征:斷電后數據能夠存儲,主要用于存儲代碼。屬于小容量型。

應用領域:手機、USB KEY、機頂盒等的代碼閃存應用。

量價特征:下游需求

市場空間:2015年全球市場約30億美元。

競爭格局:1)空間小、格局分散,巨頭逐步退出小容量、毛利較低的NOR Flash市場;2)美光(占比25%)、Cypress(收購了飛梭半導體)、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技等7家瓜分份額。

國內企業(含A股)

1)兆易創新:國內NOR Flash絕對龍頭,目前全球市占率10%左右。

四、重點關注個股

針對此次合肥長鑫的DRAM投片,我們主要看好三只相關個股:

1.直接合作方

兆易創新:(1)國內稀缺的存儲芯片龍頭,Nor flash國內第一;(2)2017年8-9月,大股東增持,國家集成電路大(更多半導體相關個股的深度研究報告,請關注“澄泓財經”wei 信號,回復關鍵字“半導體”,即可查看詳情。)基金入股11%;(3)入股晶圓制造龍頭中芯國際,進一步夯實戰略聯盟;(4)2018年3月收購思立微,打造存儲-微處理-傳感交互一體式解決方案;

(5)兆易創新和合肥長鑫DRAM合作非常順利!2017年10月,兆易創新宣布,與合肥長鑫進行19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發項目合作。目標在 2018 年12 月 31 日前研發成功,即實現產品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于 10%。此次合肥長鑫的重要突破,也利好兆易創新的DRAM戰略!

2.存儲芯片設備廠商

1)北方華創:(1)北方華創是由七星電子和北方微電子戰略重組而成,是半導體設備龍頭。公司主營業務包括半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件四大業務;(2)中國大陸地區是全球第三大半導體設備市場,但國內半導體設備自給率不足15%,進口替代空間巨大;

(3)公司于2018年1月完成收購美國Akrion公司,形成涵蓋應用于集成電路、先進封裝、功率器件、微機電系統和半導體照明等泛半導體領域的8-12英寸批式和單片清洗機產品線;(4)公司的真空裝備、鋰電裝備以及精密元器件業務齊頭并進,穩定發展。

2)長川科技:(1)長川科技作為國產測試設備龍頭企業,一直致力于測試機和分選機的研發。2013年以來,公司承擔了國家科技重大02專項中兩項課題的研發工作,并獲國家產業基金入股7.5%,充分展現其核心技術優勢。

(2)公司集成電路測試機和分選機產品已獲得長電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤微電子、日月光等多個一流集成電路企業的使用和認可。(3)從產品質量上看,公司測試機、分選機產品的主要性能指標已達國內領先、接近國外先進技術水平;從盈利能力上看,長川科技的毛利率和凈利率均高于國外設備巨頭。

關鍵字:研發芯片存儲研究

本文摘自:澄泓財經

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