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三星利潤增長放緩 存儲市場供大于求引擔憂

責任編輯:zsheng |來源:企業網D1Net  2018-08-02 11:27:36 本文摘自:21世紀經濟報道

7月31日,三星電子發布截至2018年6月30日的第二季度財報。財報顯示,公司該季度營收58.48萬億韓元(約合523億美元),同比下滑4.13%;營業利潤14.78萬億韓元(約合133億美元),同比增長5.71%;凈利潤11.04萬億韓元(約合98億美元),較去年同期下滑0.09%。

在營收結束連續6個季度上漲的同時,三星電子利潤增長也大幅放緩,這主要是受三星手機業務部門的拖累。受全球智能手機市場增長“幾乎停滯”及三星旗艦機型表現平平的影響,三星手機業務該季度營業利潤降至2.67萬億韓元,較去年同期的4.06萬億韓元下滑34%。

相比之下,半導體業務部門表現似乎很亮眼,以37.6%的營收貢獻了公司78%的營業利潤。營業利潤額11.6萬億韓元,實現了44.6%的同比增長。但相較此前5個季度分別達140%、204%、196%、120%和84%的同比增長率,三星半導體業務增速放緩的趨勢也愈發明顯。其中包括貢獻了三星半導體84%營收的存儲業務,它曾成功幫助三星在2017年打破了英特爾25年的壟斷、成為新晉“全球第一大半導體廠商”,如今又成為三星半導體增長放緩的源頭,引起外界對其未來的擔憂。

“超級周期”或終結

過去兩年是存儲價格猛增、市場空前繁榮的兩年。

據Statista綜合數據顯示,2016年第一季度,全球DRAM營收為85.6億美元,較2015年第四季度的102.7億美元下降16.65%。不過此后,DRAM市場規模一路攀升,開啟了長達2年的“超級周期”。到2018年第一季度,該市場規模已增至230.8億美元,較2016年第一季度漲幅達169.63%。

一同進入“超級周期”的還有存儲領域另一主要市場——NAND閃存。DRAMeXchange數據顯示,2016年第一季度,全球NAND市場總營收為80.64億美元,較此前一個季度的83.07億美元略降2.9%。但此后,該項數字幾乎連續季度增長,到2017年第四季度已增長至162.35億美元,較2016年第一季度漲幅超過101%。

世界半導體貿易統計協會(WSTS)數據顯示,2016年全球存儲元器件市場規模為767.7億美元,較2015年的772.1億美元略微有所下跌。不過到2017年,該市場規模已爆增至1239.7億美元。WSTS預計,2018年和2019年存儲市場規模將分別為1567.9億美元和1625.5億美元,增速將在隨后明顯放緩。

2018年第一季度,全球NAND市場已初現衰退,總營收降至157.41億美元,降幅約為3%。

IC Insights在7月更新的報告中表示,若要保持NAND閃存位元每年40%的增長率,該產業2017年和2018年(預計)實際所需投資應均為220億美元。然而實際上,幾大廠商的投資2017年達到280億美元,2018年更是將達310億美元,分別超出實際所需27%和41%。

“2018年初NAND閃存價格已開始下滑,預計第二季度以及之后的2019年該下滑趨勢仍將延續。”IC Insights在報告中表示。

“就NAND來說,現在業界的擔憂在于,由于3D NAND產出大幅增加,導致價格持續下跌,該市場早已進入供過于求的格局。”集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)資深協理吳雅婷對21世紀經濟報道記者表示,“DRAM方面,雖然沒有因為制程轉進而出現位元成長大幅增加的狀況,但在三大廠持續擴增產能的帶動下,供給也是在逐步增長,可以說正要邁入供過于求的局面。”

在她看來,目前3D NAND市場最大的問題就是供給增速過快,已遠大于需求。“這主要是因為制程從2D轉向3D,使得位元成長大幅增加。”吳雅婷表示,“同時在高度競爭的市場架構下,每家廠商都大幅增產,以維持市場占有率,導致供過于求的情況比DRAM市場嚴重。”

不過,對于該“超級周期”到期的具體時間節點,吳雅婷表示:“DRAM和NAND閃存市場的趨勢始終還是要回歸到供需之間的關系,以兩年期這樣的時間點劃分可能并不完全正確。”

中國廠商入局具指標意義

經歷過早期的廠商整合與調整,如今全球DRAM產業已進入“三大廠”的寡頭格局:DRAMeXchange數據顯示,在2018年第一季度,三星、SK海力士和美光這三大廠市占率分別為44.9%、27.9%和22.6%。

至于NAND市場,外界也猜測最終會形成和DRAM市場一樣高度集中的局面。2018年第一季度,三星、東芝、閃迪/西部數據、美光、SK海力士和英特爾這六家廠商在NAND市場的占有率分別達到了37%、19.3%、15%、11.5%、9.8%和6.6%。

不過,在上述市場均表現強勢的美光科技7月初曾在中國遭遇重挫。7月3日,福建晉華和臺灣聯電分別通過各自官網發布聲明,稱因美光涉嫌專利侵權,福州中院已對其發布“訴中禁令”,裁定美光立刻停止在中國銷售、加工、制造、進口旗下數十款DRAM和NAND產品。

集邦咨詢DRAMeXchange預計,2018年中國內需市場消化的全球DRAM和NAND 閃存產能分別為20%和25%。其中,美光科技20%的NAND 閃存產能和26%的DRAM產能均依賴于中國市場。

當時的分析就認為,美光面臨在中國市場禁止銷售部分產品的風險,加上中國廠商將于2019年正式入局,該市場的全球銷售版圖恐將發生洗牌。不過,美光依然有上訴權利,此案的后續影響將是全球存儲器產業關注的焦點。

目前,有三家中國半導體廠商正在進軍存儲領域,包括投入NAND 閃存市場的長江存儲,專注于行動式內存的合肥長鑫,以及致力于利基型內存的福建晉華。

“他們皆會在2018年完成初期產品的開發,并在陸續試產之后,于2019年上半年宣布量產。”吳雅婷表示,“雖然到2019年年底為止,這三大陣營的產能規模都還很小,但對整體存儲市場來說,仍是代表新進者的正式加入,具有指標性意義,三家中國廠商接下來的發展值得密切關注。”

在此前評論東芝閃存芯片(TMC)業務出售對NAND市場的影響時,Coughlin Associates主席、數字存儲行業分析師Tom Coughlin也曾表示,與其說走向集中,存儲市場將擁有更多玩家。“這是多家中國閃存制造商崛起推動的結果。顯然,閃存行業的整合還未完成。”他寫道。

關鍵字:市場存儲利潤三星

本文摘自:21世紀經濟報道

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三星利潤增長放緩 存儲市場供大于求引擔憂

責任編輯:zsheng |來源:企業網D1Net  2018-08-02 11:27:36 本文摘自:21世紀經濟報道

7月31日,三星電子發布截至2018年6月30日的第二季度財報。財報顯示,公司該季度營收58.48萬億韓元(約合523億美元),同比下滑4.13%;營業利潤14.78萬億韓元(約合133億美元),同比增長5.71%;凈利潤11.04萬億韓元(約合98億美元),較去年同期下滑0.09%。

在營收結束連續6個季度上漲的同時,三星電子利潤增長也大幅放緩,這主要是受三星手機業務部門的拖累。受全球智能手機市場增長“幾乎停滯”及三星旗艦機型表現平平的影響,三星手機業務該季度營業利潤降至2.67萬億韓元,較去年同期的4.06萬億韓元下滑34%。

相比之下,半導體業務部門表現似乎很亮眼,以37.6%的營收貢獻了公司78%的營業利潤。營業利潤額11.6萬億韓元,實現了44.6%的同比增長。但相較此前5個季度分別達140%、204%、196%、120%和84%的同比增長率,三星半導體業務增速放緩的趨勢也愈發明顯。其中包括貢獻了三星半導體84%營收的存儲業務,它曾成功幫助三星在2017年打破了英特爾25年的壟斷、成為新晉“全球第一大半導體廠商”,如今又成為三星半導體增長放緩的源頭,引起外界對其未來的擔憂。

“超級周期”或終結

過去兩年是存儲價格猛增、市場空前繁榮的兩年。

據Statista綜合數據顯示,2016年第一季度,全球DRAM營收為85.6億美元,較2015年第四季度的102.7億美元下降16.65%。不過此后,DRAM市場規模一路攀升,開啟了長達2年的“超級周期”。到2018年第一季度,該市場規模已增至230.8億美元,較2016年第一季度漲幅達169.63%。

一同進入“超級周期”的還有存儲領域另一主要市場——NAND閃存。DRAMeXchange數據顯示,2016年第一季度,全球NAND市場總營收為80.64億美元,較此前一個季度的83.07億美元略降2.9%。但此后,該項數字幾乎連續季度增長,到2017年第四季度已增長至162.35億美元,較2016年第一季度漲幅超過101%。

世界半導體貿易統計協會(WSTS)數據顯示,2016年全球存儲元器件市場規模為767.7億美元,較2015年的772.1億美元略微有所下跌。不過到2017年,該市場規模已爆增至1239.7億美元。WSTS預計,2018年和2019年存儲市場規模將分別為1567.9億美元和1625.5億美元,增速將在隨后明顯放緩。

2018年第一季度,全球NAND市場已初現衰退,總營收降至157.41億美元,降幅約為3%。

IC Insights在7月更新的報告中表示,若要保持NAND閃存位元每年40%的增長率,該產業2017年和2018年(預計)實際所需投資應均為220億美元。然而實際上,幾大廠商的投資2017年達到280億美元,2018年更是將達310億美元,分別超出實際所需27%和41%。

“2018年初NAND閃存價格已開始下滑,預計第二季度以及之后的2019年該下滑趨勢仍將延續。”IC Insights在報告中表示。

“就NAND來說,現在業界的擔憂在于,由于3D NAND產出大幅增加,導致價格持續下跌,該市場早已進入供過于求的格局。”集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)資深協理吳雅婷對21世紀經濟報道記者表示,“DRAM方面,雖然沒有因為制程轉進而出現位元成長大幅增加的狀況,但在三大廠持續擴增產能的帶動下,供給也是在逐步增長,可以說正要邁入供過于求的局面。”

在她看來,目前3D NAND市場最大的問題就是供給增速過快,已遠大于需求。“這主要是因為制程從2D轉向3D,使得位元成長大幅增加。”吳雅婷表示,“同時在高度競爭的市場架構下,每家廠商都大幅增產,以維持市場占有率,導致供過于求的情況比DRAM市場嚴重。”

不過,對于該“超級周期”到期的具體時間節點,吳雅婷表示:“DRAM和NAND閃存市場的趨勢始終還是要回歸到供需之間的關系,以兩年期這樣的時間點劃分可能并不完全正確。”

中國廠商入局具指標意義

經歷過早期的廠商整合與調整,如今全球DRAM產業已進入“三大廠”的寡頭格局:DRAMeXchange數據顯示,在2018年第一季度,三星、SK海力士和美光這三大廠市占率分別為44.9%、27.9%和22.6%。

至于NAND市場,外界也猜測最終會形成和DRAM市場一樣高度集中的局面。2018年第一季度,三星、東芝、閃迪/西部數據、美光、SK海力士和英特爾這六家廠商在NAND市場的占有率分別達到了37%、19.3%、15%、11.5%、9.8%和6.6%。

不過,在上述市場均表現強勢的美光科技7月初曾在中國遭遇重挫。7月3日,福建晉華和臺灣聯電分別通過各自官網發布聲明,稱因美光涉嫌專利侵權,福州中院已對其發布“訴中禁令”,裁定美光立刻停止在中國銷售、加工、制造、進口旗下數十款DRAM和NAND產品。

集邦咨詢DRAMeXchange預計,2018年中國內需市場消化的全球DRAM和NAND 閃存產能分別為20%和25%。其中,美光科技20%的NAND 閃存產能和26%的DRAM產能均依賴于中國市場。

當時的分析就認為,美光面臨在中國市場禁止銷售部分產品的風險,加上中國廠商將于2019年正式入局,該市場的全球銷售版圖恐將發生洗牌。不過,美光依然有上訴權利,此案的后續影響將是全球存儲器產業關注的焦點。

目前,有三家中國半導體廠商正在進軍存儲領域,包括投入NAND 閃存市場的長江存儲,專注于行動式內存的合肥長鑫,以及致力于利基型內存的福建晉華。

“他們皆會在2018年完成初期產品的開發,并在陸續試產之后,于2019年上半年宣布量產。”吳雅婷表示,“雖然到2019年年底為止,這三大陣營的產能規模都還很小,但對整體存儲市場來說,仍是代表新進者的正式加入,具有指標性意義,三家中國廠商接下來的發展值得密切關注。”

在此前評論東芝閃存芯片(TMC)業務出售對NAND市場的影響時,Coughlin Associates主席、數字存儲行業分析師Tom Coughlin也曾表示,與其說走向集中,存儲市場將擁有更多玩家。“這是多家中國閃存制造商崛起推動的結果。顯然,閃存行業的整合還未完成。”他寫道。

關鍵字:市場存儲利潤三星

本文摘自:21世紀經濟報道

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