企業級SSD供應商通常基于吞吐量、延遲和IOPS指標來為市場上的買家區分固態驅動器的性能檔次，但這些規格并不能代表全部。其他因素——驅動器組件的架構以及處理寫入放大的方式——同樣是評估驅動器在生命周期內性能表現的重要指標。
目前在數據中心內已經部署的大多數SSD都基于flash閃存技術。構成閃存驅動器的零件包括存儲數據的NAND單元以及存儲控制器、接口和高速緩沖存儲器，每個組件都會對固態驅動器的性能起到重要作用。
NAND單元技術經歷了長期的發展，現在支持的容量越來越大，市場價格越來越便宜。最初的閃存驅動器基于單級單元(SLC)結構，每個數據單元能存儲1位二進制數據。后來出現的是每個單元能存儲2位二進制數據的多級單元(MLC)驅動器，再然后是三級單元(TLC)驅動器，每個單元能存儲3位數據。 基于TLC的閃存驅動器可以支持比過去更高的容量，其容量甚至超過了他們的許多硬盤驅動器近親。
不幸的是，TLC驅動器無法持續提供與最初的SLC驅動器相同的性能水平。最新出現的3D NAND技術給出了供容量和性能兩全的承諾——只要制造成本降低到與其他NAND技術相當就可以實現。
存儲控制器
存儲控制器是一種專用于各型號驅動器的處理器，用于運行固件程序并處理耗損均衡、垃圾回收、加密、壞塊映射和錯誤代碼糾正等操作，這是決定固態硬盤性能的另一個關鍵要素。無論驅動器的I/O工作負載程度如何，控制器都要維持關鍵的操作功能，即使在滿負荷運行時也必須能夠正確執行所有存儲相關的操作。控制器的任何缺陷都可能嚴重降低SSD的性能。
服務器和驅動器之間的接口也是SSD架構中的關鍵組件。常用的兩種接口是：串行連接SCSI（SAS）和串行高級技術連接（SATA）。SAS側重于提供更多的企業級功能，通常也可以提供(比SATA)更好的固態驅動器性能。
潛臺詞是，這兩種接口都可能成為存儲瓶頸。為了突破瓶頸，供應商提供非易失性存儲器快速接口（NVMe），讓閃存結合PCI Express運作以提供比SAS或SATA更好的性能。
在企業級SSD內部的存儲介質和接口之間還包括一個動態RAM內聯緩沖區。緩沖區提供高速緩存機制，為數據提供臨時分段和匯集區域。為了有效地執行這些操作，緩沖區必須足夠大才能有效加速數據訪問和修改動作，并盡可能減少寫入操作的影響。正確設計的緩沖區是高性能SSD中的關鍵組件。
寫入放大大多數SSD和閃存驅動器都同樣容易產生寫入放大的問題，在某些情況下的實際寫入次數會超過實際請求的寫
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