1.1 數據總量爆發增長，推動存儲業發展
萬物互聯等新技術的涌現推動數據量的急速膨脹，全球數據總量由2005年的0.13ZB增長至2015年的8.59ZB，十年間增長了66倍。市場調研機構IDC預計，到2020年，全球數據總量將達到40ZB(相當于4萬億GB)，這一數據量是2011年的22倍。
而存儲器則可以說是大數據時代的基石，其市場規模也隨著數據總量的增加而不斷加大。雖然15年和16年上半年PC市場低迷導致存儲器市場遭遇困境，但從2016年下半年開始存儲器價格開始回升，而且一直持續到現在，價格上漲帶動存儲器市場規模不斷擴大，IC Insights預計，從現在到2021年，存儲器價格平均每年都將上漲1.8%，2017全球存儲器市場規模將達到853億美元，同比增長10%，此后幾年存儲器市場都將保持健康的增長態勢，于2020年達到1000億美元的規模，2021年可能接近1100億美元左右，年均增速7.3%，比集成電路整體市場年復合增長率高2.4個百分點。
存儲器根據存儲介質的不同，可分為光學存儲、半導體存儲和磁性存儲，其中，半導體存儲器已成存儲器市場主流。根據數據易失性，我們將半導體存儲器分為易失性存儲(Volatile Memory)和非易失性存儲(Non-Volatile Memory)。易失性存儲器斷電后，數據會隨之丟失，最為常見的用途就是PC的內存條。非易失性存儲器的數據則不會因為斷電而丟失，包含ROM、FLASH等。
在目前市場上，DRAM、FLASH是存儲器產業的主要構成部分。就目前PC 內存市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延時、更低成本的DRAM 仍是不二之選。而在通信領域、消費領域和計算機領域，FLASH具有壽命長、體積小、功耗低、抗振性強，非易失性等優點，逐漸成為目前最有潛力，發展最快的存儲器芯片產品。FLASH又可進一步分為NOR FLASH以及NAND FLASH。NOR FLASH主要用來存儲代碼及部分數據，是手機、PC、DVD、TV、USB Key、機頂盒、物聯網設備等代碼閃存應用領域的首選。NAND FLASH可以實現大容量存儲、高寫入和擦除速度、相當擦寫次數，多應用于大容量數據存儲，例如智能手機、平板電腦、U 盤、固態硬盤等領域。
過去30余年中，全球存儲器產業經歷了兩次區域性的產業轉移：20世紀80年代，由于日本經濟二戰后迅速崛起，電子制造業從歐美向日本轉移，存儲器產業重心也從歐美國家轉移到日本，日本存儲器企業一度壟斷90%以上份額。90年代，韓國抓住了6英寸晶圓廠過渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圓廠的產能優勢，一舉取代日本廠商，存儲器產業重心從日本轉移到韓國。
1.2 存儲器產業模式
存儲器產業有兩種主要經營模式，IDM和Fabless。IDM模式是指企業務覆蓋芯片的設計、制造封裝和測試所有環節，這種模式對企業的研發力量、生產管理能力、資金實力和業務規模都有極高的要求。Fabless模式是指無晶圓生產線模式，即企業只進行設計和銷售，將制造、封裝和測試等生產環節分別外包給專業的晶圓制造企業、封裝和測試企業來完成。
IDM企業主要是國際大廠所采取的主要模式，技術先進、資金雄厚的三星、SK海力士、美光等均采用此種模式，占據了存儲器市場的大半江山。IDM模式需要大量的投資和研發經驗，沒有足夠資金和經驗的公司選擇進入存儲器產業的某一細分階段，該模式垂直分工，具有較強的靈活性，設計環節代表廠商有晶豪科等，制造環節代表廠商有臺積電、中芯國際等，封測環節代表廠商有日月光等。
1.3 存儲器行業周期性明顯
存儲器行業屬于周期性行業，從歷史表現上看，存儲器行業總是處于交替出現的漲跌循環之中。存儲器行業的波動劇烈，其產業周期強于電子市場及電子元器件市場整體的周期性，暴漲暴跌的情況可謂常態。以存儲器華強北指數為參照，2013年僅半年期間存儲器華強北指數便上漲21.28%，隨后在不到三個月時間內下跌14.18%，14年又迎來一輪猛漲，一年時間內由82.96上漲至104.22，漲幅達25.63%。相比于整個電子元器件整體市場，存儲器的波動顯得異常明顯，特別是在2013年以后。
具體到存儲器產品，DRAM和FLASH的主流產品同樣呈現出明顯的周期特征，且漲跌幅有時甚至能達到70%-100%之多。存儲器行業周期特征明顯主要源于供給量和需求量的增減交替。需求方面，新的應用領域的出現會刺激存儲器的市場需求，從而推動存儲器產品價格上揚，例如2012至2013年SSD應用興起使得NAND需求旺盛，一年內漲幅達70%。而隨著新產品市場容量逐漸趨于飽和，存儲器市場便開始降溫，迎來下跌周期。
供給方面，存儲器產品利潤可觀吸引各廠商加入混戰，其間大肆擴張產能、增加出貨量、壓低價格的現象屢見不鮮，最后導致存儲器價格大幅下跌。接著，價格下跌又驅使廠商尋找新的利潤點，縮減原有存儲器的產能，供不應求的狀況便會出現，存儲器價格開始反彈。存儲器行業集中度較高更加深了供給端對周期的作用，某一時期的產能產出往往是幾家巨頭相互博弈的結果。DRAM 行業被三星、SK海力士、美光三分天下，NAND FLASH市場上三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光五家企業占據了97%的市場份額，NOR FLASH市場也由賽普拉斯、旺宏、美光、華邦電、兆易創新五家企業壟斷。如此之高的行業集中度使得任何一家廠商的擴產或縮產行為都可能改變市場格局，從而引發存儲器行業的周期，例如13年SK海力士無錫廠區遭遇火災，內存顆粒一天之內漲價三次，再如17年初美光計劃退出NOR FLASH市場的消息使得NOR FLASH的漲勢愈趨明確。
再者，存儲器屬于標準化程度較高的產品，同質化嚴重，廠商很難靠產品差異化來形成有效的客戶黏性，廠商總存在擴大產能的沖動，以量取勝，利用規模優勢來降低成本，擠占市場。
歷經幾年低迷的下行周期，存儲器行業現已迎來反轉。國際大廠大舉進軍3D NAND，將原有產能劃撥至3D NAND的生產，導致2D NAND和DRAM供應不足，而目前3D NAND產能尚未釋放，NOR FLASH也因為美光退出而產能吃緊，整個存儲器市場漲聲四起。近半年來，三星、SK海力士、美光等龍頭廠商營收屢創新高，三星電子2017年一季度運營利潤88億美元，較上年同期增長48%，創四年來最高峰。美光科技2017財年Q2顯示當季營收46.5億美元，環比增長17%，同比暴漲了58%，毛利率也回升到36.7%，凈利潤達到了8.94億美元。SK海力士2016四季度營收53850億韓元，折合美元47億，凈利潤16290韓元，折合美元14億，較上年同期增長172%。
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