年初在武漢東湖高新區奠基的國家存儲器基地項目將于12月初正式開工建設。該項目計劃5年內投資1600億元人民幣，以武漢新芯現有12英寸先進集成電路技術研發與生產制造能力為基礎，著力發展大規模存儲器芯片 ，為中國布局自主性存儲器產業打下基礎。今年10月以來DRAM價格漲幅接近30%。市場需求將有助于加快存儲器國產化步伐，
一、存儲器及發展歷程
存儲器是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。在計算機的運算過程中， 輸入的原始數據、 計算機程序、 中間運行結果和最終運行結果都會保存在存儲器里，可以說存儲器是現代信息技術發展的核心部件之一。
根據存儲器的發展歷史，我們可以知道他的規格不斷變遷，當前在PC、移動端也得到廣泛地應用，行業發展也由初期走向成熟。
迭代時間應用領域設備：
第一代：1947-1957基礎軍事電子管計算機時代
第二代：1958-1964氣象晶體管計算機時代
第三代：1965-1971大型企業中小規模集成電路計算機時代
第四代：1972至今普通用戶規模級集成電路
二、行業現狀、未來發展
目前市場上主流的存儲器呈現三強鼎立的局面——DRAM、NAND Flash和NOR Flash。今年第一季度，DRAM市場93%的份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。
從上圖可以看出，現在行業集中度較高，全球市場供需也由幾大寡頭把持。存儲器未來發展：1）移動端：如車載技術等等。2）固態硬盤驅動未來 Flash 需求，路線不同會帶來多元競爭。3）云端存儲也是受到極大關注。
文章開頭提到我們國家在存儲器領域投入巨大，由于行業現狀和我國起步較晚等因素，實現國產化還任重道遠。
三、我國存儲器現狀及生產企業
我國近些年一直很關注存儲器的發展，2014年，國家頒布實施《國家集成電路產業發展推進綱要（2015-2025）》，并成立國家集成電路產業領導小組和國家集成電路產業投資基金。2015年，發展存儲器上升為國家戰略。
在國家政策的刺激下，2016年各地紛紛傳出加碼存儲器芯片的聲音：北京有紫光集團宣布投資300億美元做存儲器，武漢有武漢新芯準備耗資240億美元打造國家級存儲器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉江也在躍躍欲試。
綜上所述：國產存儲器要實現量產還需時日，但是當前的產業政策支持和各地產學研的不斷努力，在DRAM和NAND Flash領域周期調整之際是我們加入的好時機，加之現在互聯網技術的發展和云端技術的不斷成熟，假以時日，我國的存儲器也會在國際上有一席之地。
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