2016年第二季度起，存儲器行業(yè)的產(chǎn)品價格出現(xiàn)回升，但是行業(yè)整體仍然處于周期性底部，而在這種情況下，國內(nèi)逆周期投資有望推動國內(nèi)廠商成為市場內(nèi)崛起的新生力量。
存儲器芯片價格上揚 中國強“芯”補短板
存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件，主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數(shù)據(jù)的存取，主要有動態(tài)隨機存取存儲器DRAM和閃存NANDFlash等類型。
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儲存器芯片價格回升
今年1月，IBS執(zhí)行長/資深分析師HandelJones原本預測今年晶片產(chǎn)業(yè)將衰退1.5%；而同時間另一家市場研究機構(gòu)ICInsights則認為今年晶片市場將成長4%。如今，雙方的意見已逐漸靠攏，ICInsights將2016年晶片市場成長率預測值更新為1%，而2017年成長率則更正為4%。
IBS的分析師Jones表示，DRAM價格在今年下半年應該上漲了20~30%，抵銷了過去約一年來的衰退；而NAND快閃記憶體的價格也有所增加，2016年增加幅度達36.2%，讓整體NAND市場規(guī)模成長6.2%。他預期DRAM價格在2017年只會小幅下降，NAND價格則會維持在0.28~0.35美元的水準。
在其他市場，IBS預測資料中心應用半導體市場將在2016年成長12~14%，2017年的成長水準大致相同；車用半導體市場在2016年則預期將成長13.0%，2017年可成長10.5%。但Jones表示：“半導體市場在2018年持續(xù)面臨不小的風險，因為全球GDP可能會出現(xiàn)衰退；但2017年該市場有很高的可能性可取得4.6%水準的成長率。”
如何打破“缺芯之痛”
作為全球集成電路領(lǐng)域最大貿(mào)易逆差國，我國每年進口額超過兩千億美元，而存儲器芯片正是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板，長期以來被海外巨頭掌控。從今年第一季度來看，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。
由此可見，發(fā)展存儲器不只是滿足市場需求，也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。為打破“缺芯之痛”，國內(nèi)多地開始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域，如湖北成立了集成電路存儲器產(chǎn)業(yè)投資基金，福建設(shè)立500億元投資基金支持泉州晉江存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展，合肥、深圳等集成電路產(chǎn)業(yè)基地也正在籌劃設(shè)立基金。各種資金不斷地流入，為國內(nèi)企業(yè)進軍存儲器芯片領(lǐng)域提供了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。
除了龐大的資金投入外，中國科學院微電子研究所所長葉甜春還表示，企業(yè)在當前新形勢下發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，不應只是簡單的追趕，而應該更加注重技術(shù)和市場的創(chuàng)新；應做好長期儲備，在資金上確保持續(xù)投入；更重要的是要在立足自身市場特點的基礎(chǔ)上追求世界領(lǐng)先水平。
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