中國終于下決心要做存儲器芯片，武漢新芯計劃投資240億美元，于2018年開始量產3DNAND閃存，引起全球的熱議。客觀地說能夠下這樣的決心是十分不易，國內，國外抱懷疑者很多，基本上反映中國欲進軍存儲器業的現實。
中國半導體業處于特定環境中，提出產業的自主可控是迫不得已。西方總是冷眼相對，控制及干擾我們的先進技術進步，所以中國在CPU方面的開發至少己有20年的歷史。如今中國的國力己大增，集成電路產業具一定規模，似乎資金方面、與之前大不同，己有所積累，所以此次下決心選擇存儲器芯片作為IDM模式的突破口，主要是產業發展需要，也是眾望所歸。
歸納起來，目前存儲器有三個方面的力量正在聚集，一個是政府主導的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據說己經有9層3DNAND樣品。另一個是紫光，它的策略是先通過兼并，站在一定高度之后再自行研發。最后一個是兩個地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術伙伴，或者挖技術團隊后再前進。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯電開發DRAM相關制程技術，產品將是32納米制程的利基型DRAM，未來技術將授權給晉華，同時聯電也可以保有研發成果。
依目前的態勢由于做的產品不同，有3D NAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產線，所以未來可能還要等2-3年時間的觀察，結果才會更加明朗。個人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發為主，盡管這條道可能慢些，暫時技術方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來至少國家一定會支持到底，相對有成功的可能與希望。
近期又傳來紫光可能與新芯合作的方案，對于雙方可能都是個理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔憂。因為此種跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔心美光會采取不同的技術轉移策略，讓中國處于最低端，因此要慎之又慎。如果未來由英特爾，三星，海力士，臺積電，聯電，GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來主導中國的芯片制造業，對于如中芯國際，華力微等企業的成長并非有利。因此要全面正確的認清當前形勢，從道理上如中芯國際等企業應該加快研發步伐，在逆境中迅速崛起。
分析3D NAND閃存芯片制造基本上要過兩道難關，一個是過技術關。不管是32層，48層要能做出來，這一步最為重要，而且性能與成本上的差距不能太懸殊：另一個是準備迎接IP及價格戰，當中國真正做出產品后是無法避免的。
由于存儲器投資巨大，在具體操作方面既要有足夠信心，同時要慎之又慎。據SEMI報道，3D NAND生產線，每1，000片的投資需55-65M美元，如若月產能200，000片，需要130億美元，而且要計及之后每3年左右要作技術升級的投資。
另據2010年12月資料，介紹3D閃存制作工藝（由于制造工藝各家都十分保密，因此本文中提到的方法也不可能完整）；3D NAND技術在產品生產上都采用一體成形制造法。所謂一體成形制造法是在第一層NAND薄膜生長后，使用光罩及刻蝕，隨后連續成長8層薄膜及刻蝕之后，最后便只需一道光罩，總計需要27張光罩。該方法在2007年由東芝提出，其Bit Cost scalable(BiCS)TFT SONOS便是采用這種技術。目前，三星(Samsung)的TACT、VSAT;東芝的P-BiCS和3D VG，都屬于一體成形3D內存技術，可大幅降低生產成本。
堅持下去才有成功希望
目前業界的心態是能迅速上馬，最希望的能有技術合作伙伴呈現，甚至更有人期望通過兼并，一下子躍升至該有的高度。實際上的結果是至此無人響應，全球存儲器廠商集體的“袖手旁觀”。
其實這樣的結果是意料之中，并非是壞事，至少斷了想依賴有人能邦助我們的念想。因為即便有人能與中國進行技術合作，等于上了別人設計的軌道，誰也明白最先進的技術不可能給中國，而沿著別人軌道走會更難受，等于束縛了自已的手腳。
3D NAND閃存在全球競爭的態勢是工藝制程水平20-40納米，在成熟工藝范圍。除了三星己達256Gb，48層之外，其它對手們幾乎都在追趕。隨著CVD工藝淀積層數的增多，困難在于高深寬比的付蝕，目前看到在64層時，要達到60；1及70；1的付蝕已經很難。所以這個球己踢給設備供應商，它們要獲得訂單必須要為客戶解決難關。而據來自半導體設備廠的消息，未來128層尚有希望。這樣在對手之間的差異性并不很大，因此我們尚有一線成功的希望。
不管如何，現階段的自行研發一定要加緊突破，32層及48層都是前進中的關鍵點，而且一定要把研發與量產結合在一起，改變之前兩者脫節的弊病。同時要充分利用好設備制造商，它們手中握有許多關鍵工藝技術，在提供設備的同時與我們分享。
未來它們對付中國的方法可能是首先打IP戰，控制技術與人材流失，以及最后一招是打價格戰，讓中國的企業在財務方面無法承受。因此現階段對手們是集體的“袖手旁觀”，等著看中國出錯，最好是讓我們知難而退。
對于中國存儲器芯片制造項目，一定是場艱難的仗。預計無論是3D NAND閃存，或者是利基型DRAM，首先中國要解決的是從無到有的問題，相信是完全可能的，然而由于采用技術的不同，以及制造成本方面的顯著差異，未來可能的痛點是在面臨巨額虧損下不動搖，不氣餒，只有堅持下去才有成功的希望。在此點上需要決策層面早有充分的預案與準備。
引用麥肯錫亞太區半導體咨詢業務負責人唐睿思說，“我一直在強調一個重點，就是要有長期的耐心資本，需等待很長時間才能見效，不是一夜之間就有大突破而更多的是逐年會有進步，執行力更好、有更多業務……在半導體行業成功是沒有捷徑的！”
“投資沒耐心是制約中國半導體發展的重要因素。很多投資人或企業想要三五年就獲得回報，很難實現。半導體制造行業投資成功在中國可能需要十年左右的時間”。
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