慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產品開發設計保駕護航
以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內存大廠對3D NAND創新技術的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態硬盤（SSD）爆發成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express（NVMe；非揮發性內存高速規格）超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統設備及消費者的優先選擇。
3D NAND帶動SSD市場爆炸性成長
根據研究機構Research and Markets公司，在九月底發表的調查報告指出：2016到2020年，PCIe SSD市場年均復合成長率（CAGR）將高達33.24%。市場大幅成長的關鍵原因之一，就是三星、美光、英特爾及東芝等大廠，對3D NAND投入總額高達180億美元的生產研發經費。其中英特爾更計劃在2015年，于中國市場投入5.5億美元設立3D NAND廠房。主要大廠對3D NADN技術的持續加碼，將能快速擴大預測期間的全球SSD市場規模。
再加上，英特爾領導制定的NVMe接口標準，得到各系統大廠的支持及導入，更讓PCIe SSD產品呈現出全新的高速傳輸風貌。NVMe能透過高帶寬、低延遲的PCIe總線傳輸信道，跨越SATA的6Gb/s及SAS的12Gb/s的傳輸帶寬限制，大幅提升讀寫效能。NVMe PCIe SSD預估將成為主流，取代SATA/SAS SSD，同樣將帶動SSD市場需求。
主控技術是效能關鍵所在
面對3D NAND技術持續創新，以及NVMe接口標準的演進效能，SSD廠商需要更先進的控制芯片與韌體解決方案，才能開發設計出使用壽命、速度、穩定及可靠性更高的SSD產品。
全球領導IC設計公司慧榮科技（Silicon Motion Technology），日前就推出了兩款專為3D TLC NAND及NVMe PCIe SSD技術設計的新一代控制芯片解決方案 － SM2258及SM2260。
6月份推出的SM2258，支持主流2D/3D TLC NAND及SATA接口；8月份發表的SM2260，則是遵循NVMe PCIe標準，支持3D MLC/TLC的SSD控制芯片。全面迎向爆發成長的3D NAND SSD市場，再加上慧榮最完整的韌體解決方案，可針對不同的NAND Flash進行量身訂制，將能夠協助SSD廠商，開發出最具競爭力的3D NAND SSD產品，領先推出市場搶得先機。
SM2258及SM2260提供慧榮獨到Turn-Key式完整解決方案，包含完整的硬件及韌體技術，能夠帶來更大的容量、同類產品最佳效能、超低功耗、更長的使用壽命及卓越的數據穩定度。在展示中，SM2260的8通道設計，最高可支持2TB容量；搭配3D NAND的NVMe PCIe高速傳輸效能，讀取及寫入速率更分別可達到2370MB/1039MB驚人數字。
兩款控制器都采用了慧榮兼具LDCP及RAID Data Recover功能的NANDXtend 三維解錯修正技術。可大幅提高SSD的P/E Cycle達3倍以上，有效延長SSD使用壽命，并且提供更高效率的數據糾錯與校準能力，帶來最穩定的數據完整性。
先進糾錯技術大幅提升SSD壽命及效能
新的3D堆棧與三層式儲存（TLC）設計架構，讓NAND Flash芯片容量密度激增、成本下滑。但也因此，SSD主控的糾錯修正技術就顯得更加重要，特別是在3D NAND更復雜的架構下，需要高效率的糾錯修正技術，才可以確保SSD的穩定度，并且也能同時提升SSD壽命及效能。
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