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三星公司發(fā)布128 TB SSD與kinetic式閃存驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案

責(zé)任編輯:editor007 作者:楊昀煦 |來源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2017-08-14 20:15:12 本文摘自:至頂網(wǎng)

三星公司將閃存容量提升至新的高度。

三星公司發(fā)布128 TB SSD與kinetic式閃存驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案

三星公司的下一代小尺寸 SSD

三星公司已經(jīng)放出四條閃存公告,分別為高容量芯片、高速驅(qū)動(dòng)器、新型封裝格式以及希捷Kinetic磁盤概念的一套閃存版本。

首先是三星公司利用其V-NAND 3D NAND技術(shù)打造的1 Tb閃存芯片。順帶一提,東芝公司也推出了其64層512 Gb芯片設(shè)計(jì)方案,并公布了利用QLC(即四層單元)技術(shù)構(gòu)建的786 Gb晶片。目前東芝與西部數(shù)據(jù)也已經(jīng)打造出96層芯片原型設(shè)計(jì),并開始討論1 Tb芯片技術(shù)。

三星公司預(yù)計(jì)其1 Tb芯片將于2018年年內(nèi)推出,并應(yīng)能夠在堆疊有16塊1 Tb晶片的V-NAND封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)2 TB存儲(chǔ)容量。我們猜測這有可能將目前的三星V-NAND SSA存儲(chǔ)容量提升一倍。

在新聞發(fā)布會(huì)上,三星公司談到了一款采用QLC(四層單元)技術(shù)并包含有32塊堆疊芯片、可實(shí)現(xiàn)各芯片并行訪問的128 TB SAS閃存驅(qū)動(dòng)器。

NGSFF

三星公司認(rèn)為目前的2.5英寸與M.2外觀形式并不適合小型1U服務(wù)器的實(shí)際需求,并認(rèn)為有必要推出新的安裝格式——其能夠?qū)崿F(xiàn)更高閃存存儲(chǔ)容量與IOPS水平。三星方面將其稱為下一代小型尺寸,簡稱NGSFF,且目前已經(jīng)公布了一款16 TB NGSFF驅(qū)動(dòng)器樣品。

三星公司發(fā)布128 TB SSD與kinetic式閃存驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案

三星NGSFF SSD

這款閃存卡的尺寸為30.5毫米x 110毫米x 4.38毫米。相比之下,M.2格式為12到30毫米寬,長度則為16到110毫米,而且大部分已發(fā)布閃存卡為22毫米寬,30到110毫米長。三星公司的NGSFF在尺寸上基本接近最大的M.2存儲(chǔ)卡。長度與/或?qū)挾瘸^此水平的存儲(chǔ)卡能夠安裝更多閃存芯片。

三星公司提供一套1U 576 TB服務(wù)器參考系統(tǒng),其中包含36塊16 TB NGSFF卡,其可提供約1000萬隨機(jī)IOPS,相當(dāng)于采用2.5英寸SSD的1U服務(wù)器的三倍。

其計(jì)劃于2017年第四季度實(shí)現(xiàn)NGSFF卡量產(chǎn),并逐步推動(dòng)此格式實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。

Z-SSD

三星公司公布了一款SZ985 Z-SSD產(chǎn)品。

該公司在去年的閃存存儲(chǔ)器峰會(huì)上公布了其超越基礎(chǔ)NAND速度表現(xiàn)的Z-SSD。其似乎屬于一類配合有NVMe接口的優(yōu)化型SLC(即單層單元)閃存類別。Z-SSD的定位與英特爾/美光打造的3D XPoint技術(shù)相同,憑借著25微秒的極低延遲水平提供四倍于當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)NVMe閃存的速度表現(xiàn)。

SZ985擁有15微秒讀取延遲,相當(dāng)于NVMe SSD的七分之一,因此能夠?qū)⑾到y(tǒng)響應(yīng)時(shí)間縮短至原本的十二分之一。根據(jù)三星公司的說法,其希望可將這款產(chǎn)品推向數(shù)據(jù)中心與需要采用實(shí)時(shí)“大數(shù)據(jù)”分析及高性能服務(wù)器緩存的企業(yè)系統(tǒng)。

這將直接沖擊英特爾打造的P4800X Optane驅(qū)動(dòng)器。

另外,我們還期待著第二代Z-SSD能夠采用MLC(雙層單元)設(shè)計(jì)。

鍵值SSD(Key-Value)

三星公司公布的第四條新聞為一款鍵值SSD。

初創(chuàng)企業(yè)OpenIO伺正在開發(fā)一款配備有ARM CPU前端的磁盤驅(qū)動(dòng)器,旨在提供直接以太網(wǎng)接口并在驅(qū)動(dòng)器之內(nèi)存儲(chǔ)鍵:值對象。這一設(shè)計(jì)思路源自希捷公司此前發(fā)布的Kinetic磁盤驅(qū)動(dòng)器概念——其同樣提供直接以太網(wǎng)接口以及內(nèi)置鍵:值存儲(chǔ)機(jī)制。

三星公司認(rèn)為,如果能夠直接存儲(chǔ)數(shù)據(jù)對象而無需將其轉(zhuǎn)換為邏輯塊并與物理塊進(jìn)行映射,那么SSD將能夠提供更快速度讀取與交付速度。單一數(shù)據(jù)條目將被賦予一個(gè)鍵以作為其直接地址,且與其具體大小無關(guān)。

三星公司指出,如此一來,當(dāng)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取或者寫入時(shí),鍵值SSD將能夠降低冗余步驟,從而帶來更快的數(shù)據(jù)輸入與輸出速度,同時(shí)顯著提升SSD的使用壽命。

不過三星方面還需要努力推動(dòng)與軟件及應(yīng)用程序合作伙伴的協(xié)作,從而真正使此類閃存存儲(chǔ)為市場所接納。我們還記得,Scality公司此前曾對Kinetic設(shè)計(jì)思路表示支持——這應(yīng)該會(huì)促成其與三星公司間的合作。

關(guān)鍵字:三星公司TBOpenIO

本文摘自:至頂網(wǎng)

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三星公司發(fā)布128 TB SSD與kinetic式閃存驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案

責(zé)任編輯:editor007 作者:楊昀煦 |來源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2017-08-14 20:15:12 本文摘自:至頂網(wǎng)

三星公司將閃存容量提升至新的高度。

三星公司發(fā)布128 TB SSD與kinetic式閃存驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案

三星公司的下一代小尺寸 SSD

三星公司已經(jīng)放出四條閃存公告,分別為高容量芯片、高速驅(qū)動(dòng)器、新型封裝格式以及希捷Kinetic磁盤概念的一套閃存版本。

首先是三星公司利用其V-NAND 3D NAND技術(shù)打造的1 Tb閃存芯片。順帶一提,東芝公司也推出了其64層512 Gb芯片設(shè)計(jì)方案,并公布了利用QLC(即四層單元)技術(shù)構(gòu)建的786 Gb晶片。目前東芝與西部數(shù)據(jù)也已經(jīng)打造出96層芯片原型設(shè)計(jì),并開始討論1 Tb芯片技術(shù)。

三星公司預(yù)計(jì)其1 Tb芯片將于2018年年內(nèi)推出,并應(yīng)能夠在堆疊有16塊1 Tb晶片的V-NAND封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)2 TB存儲(chǔ)容量。我們猜測這有可能將目前的三星V-NAND SSA存儲(chǔ)容量提升一倍。

在新聞發(fā)布會(huì)上,三星公司談到了一款采用QLC(四層單元)技術(shù)并包含有32塊堆疊芯片、可實(shí)現(xiàn)各芯片并行訪問的128 TB SAS閃存驅(qū)動(dòng)器。

NGSFF

三星公司認(rèn)為目前的2.5英寸與M.2外觀形式并不適合小型1U服務(wù)器的實(shí)際需求,并認(rèn)為有必要推出新的安裝格式——其能夠?qū)崿F(xiàn)更高閃存存儲(chǔ)容量與IOPS水平。三星方面將其稱為下一代小型尺寸,簡稱NGSFF,且目前已經(jīng)公布了一款16 TB NGSFF驅(qū)動(dòng)器樣品。

三星公司發(fā)布128 TB SSD與kinetic式閃存驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案

三星NGSFF SSD

這款閃存卡的尺寸為30.5毫米x 110毫米x 4.38毫米。相比之下,M.2格式為12到30毫米寬,長度則為16到110毫米,而且大部分已發(fā)布閃存卡為22毫米寬,30到110毫米長。三星公司的NGSFF在尺寸上基本接近最大的M.2存儲(chǔ)卡。長度與/或?qū)挾瘸^此水平的存儲(chǔ)卡能夠安裝更多閃存芯片。

三星公司提供一套1U 576 TB服務(wù)器參考系統(tǒng),其中包含36塊16 TB NGSFF卡,其可提供約1000萬隨機(jī)IOPS,相當(dāng)于采用2.5英寸SSD的1U服務(wù)器的三倍。

其計(jì)劃于2017年第四季度實(shí)現(xiàn)NGSFF卡量產(chǎn),并逐步推動(dòng)此格式實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。

Z-SSD

三星公司公布了一款SZ985 Z-SSD產(chǎn)品。

該公司在去年的閃存存儲(chǔ)器峰會(huì)上公布了其超越基礎(chǔ)NAND速度表現(xiàn)的Z-SSD。其似乎屬于一類配合有NVMe接口的優(yōu)化型SLC(即單層單元)閃存類別。Z-SSD的定位與英特爾/美光打造的3D XPoint技術(shù)相同,憑借著25微秒的極低延遲水平提供四倍于當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)NVMe閃存的速度表現(xiàn)。

SZ985擁有15微秒讀取延遲,相當(dāng)于NVMe SSD的七分之一,因此能夠?qū)⑾到y(tǒng)響應(yīng)時(shí)間縮短至原本的十二分之一。根據(jù)三星公司的說法,其希望可將這款產(chǎn)品推向數(shù)據(jù)中心與需要采用實(shí)時(shí)“大數(shù)據(jù)”分析及高性能服務(wù)器緩存的企業(yè)系統(tǒng)。

這將直接沖擊英特爾打造的P4800X Optane驅(qū)動(dòng)器。

另外,我們還期待著第二代Z-SSD能夠采用MLC(雙層單元)設(shè)計(jì)。

鍵值SSD(Key-Value)

三星公司公布的第四條新聞為一款鍵值SSD。

初創(chuàng)企業(yè)OpenIO伺正在開發(fā)一款配備有ARM CPU前端的磁盤驅(qū)動(dòng)器,旨在提供直接以太網(wǎng)接口并在驅(qū)動(dòng)器之內(nèi)存儲(chǔ)鍵:值對象。這一設(shè)計(jì)思路源自希捷公司此前發(fā)布的Kinetic磁盤驅(qū)動(dòng)器概念——其同樣提供直接以太網(wǎng)接口以及內(nèi)置鍵:值存儲(chǔ)機(jī)制。

三星公司認(rèn)為,如果能夠直接存儲(chǔ)數(shù)據(jù)對象而無需將其轉(zhuǎn)換為邏輯塊并與物理塊進(jìn)行映射,那么SSD將能夠提供更快速度讀取與交付速度。單一數(shù)據(jù)條目將被賦予一個(gè)鍵以作為其直接地址,且與其具體大小無關(guān)。

三星公司指出,如此一來,當(dāng)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取或者寫入時(shí),鍵值SSD將能夠降低冗余步驟,從而帶來更快的數(shù)據(jù)輸入與輸出速度,同時(shí)顯著提升SSD的使用壽命。

不過三星方面還需要努力推動(dòng)與軟件及應(yīng)用程序合作伙伴的協(xié)作,從而真正使此類閃存存儲(chǔ)為市場所接納。我們還記得,Scality公司此前曾對Kinetic設(shè)計(jì)思路表示支持——這應(yīng)該會(huì)促成其與三星公司間的合作。

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