希捷公司已經利用3D NAND芯片對自家兩條原單層SSD產品線進行芯片組，其一能夠借此實現四倍容量提升，并已經在本屆閃存存儲器峰會上展示了一款64 TB閃存驅動器。

Nytro 5000為希捷XM1440 SSD的下一代版本——XM1440總計分為三款型號，分別對應高使用壽命與高容量水平，采用ML（即雙層單元）閃存且存儲空間由400 GB到1.92 TB不等。其接口采用M.2 NVMe PCIe第三代x4 NVme 1.2標準。

而M.2形式且采用同等接口的Nytro 5000則利用3D NAND（cMLC——同樣為雙層單元）實現最高2 TB存儲容量。盡管3D NAND的采用為希捷公司帶來了可觀的容量提升空間，但其仍然選擇將Nytro 5000的容量水平保持與XM1440幾乎相同的級別。

Nytro 5000

希捷公司指出，這款驅動器亦具有超配置能力。

Nytro 5000的最高隨機寫入IOPS為67000——相比之下，XM1440的最大隨機寫入IOPS為33000。使用壽命為持久性優化版每天1.5次全盤寫入（簡稱DWPD）條件下五年周期，容量優化版每天0.3次全盤寫入。

平均故障間隔時間為200萬小時，其中亦提供自加密模式。

Nytro 3000屬于1200.2 SAS SSD技術方案的下代版本。1200.2 SAS SSD原本采用美光eMLC閃存并配備有12 Gbit每秒雙端口。Nytro 3000繼續使用該接口，只是替代性配備有3D NAND——主流高使用壽命型號采用eMLC（雙層單元），擴展及可調使用壽命型號則采用eTLC（三層單元）。

Nytro 3000

各型號的五年周期每日寫入使用壽命也擁有明確劃分：

主流使用壽命 – 10 DWPD
輕度使用壽命 – 3 DWPD
擴展使用壽命 – 1 DWPD
可調使用壽命 – 0.5 DWPD (0.25 DWPD 15.36 TB)

通過以上表格，我們看到擴展與可調使用壽命Nytro 3000產品的隨機讀取/寫入IOPS性能由低容量向高容量型號逐步提升，但從15.36 TB級別開始有所下滑。

在連續讀取方面，1200.2系列中的3.84 TB容量型號可實現性能峰值，為每秒1.8 GB; 因此3000系列在容量方面達到1200.2的近四倍，而連續傳輸帶寬亦小幅提升。

2.5英寸系列產品則分為2.5英寸x 7毫米低容量版本與2.5英寸x 15毫米高容量版本。

希捷公司還展示了一款64 TB附加卡（簡稱AIC）產品，這款PCIe卡中包含8套控制器、1個NVMe接口并可提供高達每秒13 GB的連續傳輸帶寬。相關樣品將于2018年上半年正式推出。

在去年的閃存存儲器峰會上，希捷公司展示了一款60 TB SSD，相比之下今年公布的成果在容量上無甚提升——但數據吞吐量卻大幅增加。另外，去年展示的驅動器采用雙12 Gbit每秒 SAS接口，數量吞吐量最高可達每秒1.5 GB——遠遠無法與今年AIC的每秒13 GB相提并論。

64 TB AIC

那么這款附加卡是否利用八塊Nytro 5000構建而成？

希捷公司就此作出回應稱：“64 TB AIC由8個M.2模塊構建而成。其并不屬于具體的Nytro 5000驅動器，但在本質上也差不多。Nytro 5000 M.2單卡存儲容量最高可達2 TB，而64 TB AIC采用8 TB M.2模塊。其中的8 TB模塊采用由美光公司提供的每晶片512 Gbit 3D TLC芯片。”

研究企業Objective Analysis公司總經理Jim Handy在交付至希捷的一份聲明當中指出，“大容量SSD在超大規模計算環境下擁有旺盛需求，且這一市場的增長速度超過其它任何行業。”

希捷公司將在本屆閃存存儲器峰會的505號展位演示其64 TB NVMe AIC、Nytro 5000 NVMe M.2 SSD以及Nytro 3000 SAS SSD。除此之外，利用Nytro 3000 SAS SSD構建的RealStor 5005全閃存陣列也將在這里一同亮相。