在上周召開的Pure Accelerate大會上，這家新興存儲企業談到如何向其NVMe訪問型存儲機架當中引入智能化要素。

Pure公司的全閃存陣列擁有一套雙控制器設計，這兩套控制器負責與非智能存儲機架進行通信。這一思路的主要核心在于立足機架層級實現控制器智能，其中NVMe架構則負責將上層控制器智能與下層機架智能進行結合。

如此一來，存儲機架即可處理驅動器上的操作，減輕這部分任務給上層控制器帶來的負擔，并允許機架本身完成更多常見操作任務--例如對接向上擴展規模更為可觀的陣列。

這亦可能意味著兩套控制器能夠運行更多上層服務，例如文件系統等。此外，廠商甚至會考慮進一步增加控制器的實際數量。

作為一家同樣計劃推動NVMe架構技術的全閃存陣列供應商，Kaminario公司據稱也在考慮以類似的方式將智能化要素引入存儲陣列當中。

東芝與閃存工藝

東芝公司在本屆Pure Accelerate大會上展示了其3D NAND發展路線圖。根據尼古拉斯公司分析師兼總經理Aaron Rakers的說明，東芝方面談到將堆疊層數提升至200左右。

目前東芝公司及其代工合作伙伴西部數據正憑借其BiCS技術打造64層3D NAND，并由此構建起一款512 Gb芯片。將層數提升三倍至192層，則意味著能夠帶來一款1.536 Tb晶片。如果雙方再將存儲單元尺寸加以進一步縮減，那么容量水平還將達到新的高度。

東芝公司的XG5 NVMe M.2驅動器采用這款芯片，并在其NVMe M.2版本當中分別提供256 GB、512 GB與1 TB容量選項。西部數據公司的藍盤SSD同樣使用此款芯片，并將容量提升至2 TB級別。

如果將該芯片的容量提升三倍，即由512 Gb到1.5 Tb，則意味著XG5技術在容量上可增長至3 TB，而西部數據的藍盤SSD則將增長至6 TB。

東芝方面還談到其四層單元（即QLC）技術，并表示QLC 3D NAND芯片即將來臨。我們再據此進行計算--目前的XG5與西部數據藍盤驅動器采用TLC（即三層單元），如果將其變更為QLC驅動器，則容量還能夠提升三分之一。

如此一來，一款QLC、192層XG5將擁有4 TB容量，同樣的西部數據藍盤SSD則將擁有8 TB容量。這些QLC驅動器的寫入壽命將較為低下，因此只適用于所謂主動訪問歸檔類應用。

再回到Pure公司--假定Pure公司也會在其陣列當中采用NVMe架構與QLC閃存這一組合，那么也許將由此誕生出一款主動歸檔FlashBlade陣列方案。