據目前的報道，中國已有四家公司欲做存儲器，分別是長江存儲，投資240億美元，到2020年月產能將達30萬片，目標是自己研發的3D NAND閃存;另一家是泉州晉華存儲器項目，投資約60億美元，做利基型DRAM，技術來源于UMC;還有一家是合肥智聚，投資80億美元，已于2016年6月開工，由王寧國博士執掌，計劃在今年年底左右進入設備安裝階段，由于項目尚未正式公布，產品不詳;最后是南京紫光，投資300億美元。

從公布的進度看，除南京紫光沒有詳細計劃之外，其他3家的進度似乎差異并不大，基本上都是在2018~2019年進入量產階段。

據個人看法，可能有兩個指標是看點，一個是什么時間那家公司能達成10億美元以上的銷售額;另一個是產品的市場份額。

因為從全球市場份額能看出真本事，目前我國臺灣地區的DRAM約占全球總市場份額的5%。至于什么時間企業能實現贏利，這是個不可焦急的目標。

顯然，長江存儲受到了國家資金的支持，實力強大。然而按照中國半導體業的發展特點，依賴政府資金有它的不足之處，例如，增加了企業對政府的依附性，在關鍵時刻無人敢于承擔責任。

對于地方政府等支持項目，它們的難度比較大。首先是變數多，涉及了太多人治的因素，而且缺乏過硬的技術以及產品特色，要它具有產業發展的胸懷，及持續不斷地堅持，可能是有些困難。

中國存儲器業上馬的決定是十分困難的，然而如今可能有四家以上公司都欲突破，讓人感覺有些“唐突“，求勝太心切，更談不上集中兵力。但是，對照中國新興產業的發展軌跡，這次的發展步驟似乎很相似，這樣的過程在現階段幾乎不可避免。因此，半導體業者要盡可能保持冷靜，要充分利用好“資本與技術”兩個輪子，從理性上把技術突破放在首位，牢記產能擴充要與市場相適應。

所以，中國存儲器業發展的關鍵時間點可能要推遲至2020年左右，現階段尚不可預測。

觀察我國臺灣地區上馬存儲器的歷程，它曾成功地在短時間內投入300億美元，實現產能擴大。因此，對于我國大陸地區而言，成功做出存儲器產品僅是個時間問題。我國臺灣地區存儲器產業最終不成功的原因，主要是缺乏自主技術，且總想依賴別人，這種做法證明是行不通的。

另外，存儲器業的周期性起伏明顯，每經過2~3年總有一段上升或者下降周期，體現在它的價格波動方面。例如，服務器用DDR4 32GB模組，目前每條已突破200美元大關，2017年的首季合約價平均漲幅逾25%，高容量模組漲幅更是直逼30%以上。近期，DRAM的漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，移動DRAM漲幅約15%~20%，服務器用DRAM漲幅在25%~30%。存儲器市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1.31美元一路走高，年底升至1.94美元，且在供給有限而需求增加的狀況下，存儲器2017年有望延續漲勢。

所以，中國存儲器業只要能趕上一波產業的上升周期，或許可能實現贏利，這顯然取決于競爭實力以及足夠的耐心與堅持。現階段有多達四家公司都想突破存儲器發展的難題，顯然都獲得成功的幾率不大。

另外，中國的芯片制造業幾乎都是從代工起步，如今存儲器卻要轉變成IDM模式。這樣的模式轉換不是一件簡單的事，因為與代工相比，IDM模式更依賴于市場以及技術快速轉換的特點，對于企業來說是個全新的挑戰。

中國半導體業邁向IDM模式是大勢所趨，然而它的難度不可低估，因此必須有充分的思想準備及決心。

中國半導體業的發展方向已定，幾乎沒有退路，只有努力挺進，但是要少些非市場化因素的干擾，要充分認識到半導體業的成熟可能決定于綜合的因素，不僅僅是“錢”，更為關鍵的是產業大環境的迅速改善。因此，未來有兩個方面要特別關注：一個是要“循序前進，欲速則不達”;另一個是把焦點放在“骨干企業”身上，只有集中力量把“骨干企業”搞好，中國半導體業才真正有希望。

目前，說中國存儲器業的”春天”已經到來可能還為時尚早，確切地說，應該是中國的半導體業一定要跨入全球存儲器的行列之中。至于未來能有多大的作為，要看我們的努力程度與造化，但是必須要在研發方面有所突破，或者在存儲器生產線的運營中能夠掌握它的獨特規律。

中國半導體業用存儲器作為IDM模式的突破口是個新的嘗試。所以，一定要樹立信心，并要有足夠的耐心。中芯國際經過15年的歷程，才剛達到年銷售額30億美元。所以，到2025年時再來回顧中國存儲器業可能也不遲。