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SK海力士72層閃存晶圓成功登頂 但容量水平稍平庸

責任編輯:editor007 作者:劉新萍 |來源:企業網D1Net  2017-04-11 20:59:48 本文摘自:ZDNet至頂網

 

SK海力士72層閃存晶圓成功登頂 但容量水平稍平庸

SK 海力士公司員工展示72層NAND晶圓、256 Gb芯片以及1 TB SSD

韓國閃存制造廠商SK海力士公司已經打造出第一款72層3D NAND晶片,存儲容量為256 Gb。

作為擁有行業內最高層數的閃存芯片生產方案,其存儲容量卻僅有可憐的256 Gb; 相比之下,東芝的64層閃存晶片擁有512 Gb容量。與SK海力士的芯片類似,東芝方案同樣為TLC(即三層單元)設備,且于今年2月開始提供相關樣品。

西部數據公司為東芝的閃存代工合作伙伴,其亦于今年2月開始對64層512 Gb晶片進行早期生產,其存儲密度達到SK海力士晶片的兩倍。

在另一方面,三星公司同樣擁有自己的64層512 Gb閃存芯片。

SK海力士72層閃存晶圓成功登頂 但容量水平稍平庸

SK海力士72層3D NAND產品,左側為開發中的1 TB SSD產品

可以看到,目前市場上的競爭對手采用較SK海力士更小的存儲單元尺寸,這意味著其3D NAND生產工藝更為復雜,因此產品制造也更加困難。疊層設計特征使得制造廠商必須確保工藝精準無誤。不過,SK海力士公司目前在容量上仍然無法與512 Gb 3D NAND芯片相媲美,除非其能夠將層數增加到144層或者將現有72層設計中的存儲單元尺寸減半。

SK海力士目前在售的多層閃存晶片為48層,且自去年11月以來一直在進行批量生產。該公司的制造工藝確實表現出快速的發展態勢,即在不到6個月時間內已經實現了由48層向72層的大踏步前進。該公司表示,其最新芯片擁有40億個存儲單元、具備更出色的電路設計、內部運行速度提高了2倍、讀取/寫性能亦較48層3D NAND芯片增長了20%。

該公司同時指出,其正在嘗試將該芯片銷售至SSD、智能手機以及其它移動設備市場當中。相關大規模生產工作將在今年下半年正式開始。

關鍵字:海力士SK晶圓

本文摘自:ZDNet至頂網

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SK海力士72層閃存晶圓成功登頂 但容量水平稍平庸

責任編輯:editor007 作者:劉新萍 |來源:企業網D1Net  2017-04-11 20:59:48 本文摘自:ZDNet至頂網

 

SK海力士72層閃存晶圓成功登頂 但容量水平稍平庸

SK 海力士公司員工展示72層NAND晶圓、256 Gb芯片以及1 TB SSD

韓國閃存制造廠商SK海力士公司已經打造出第一款72層3D NAND晶片,存儲容量為256 Gb。

作為擁有行業內最高層數的閃存芯片生產方案,其存儲容量卻僅有可憐的256 Gb; 相比之下,東芝的64層閃存晶片擁有512 Gb容量。與SK海力士的芯片類似,東芝方案同樣為TLC(即三層單元)設備,且于今年2月開始提供相關樣品。

西部數據公司為東芝的閃存代工合作伙伴,其亦于今年2月開始對64層512 Gb晶片進行早期生產,其存儲密度達到SK海力士晶片的兩倍。

在另一方面,三星公司同樣擁有自己的64層512 Gb閃存芯片。

SK海力士72層閃存晶圓成功登頂 但容量水平稍平庸

SK海力士72層3D NAND產品,左側為開發中的1 TB SSD產品

可以看到,目前市場上的競爭對手采用較SK海力士更小的存儲單元尺寸,這意味著其3D NAND生產工藝更為復雜,因此產品制造也更加困難。疊層設計特征使得制造廠商必須確保工藝精準無誤。不過,SK海力士公司目前在容量上仍然無法與512 Gb 3D NAND芯片相媲美,除非其能夠將層數增加到144層或者將現有72層設計中的存儲單元尺寸減半。

SK海力士目前在售的多層閃存晶片為48層,且自去年11月以來一直在進行批量生產。該公司的制造工藝確實表現出快速的發展態勢,即在不到6個月時間內已經實現了由48層向72層的大踏步前進。該公司表示,其最新芯片擁有40億個存儲單元、具備更出色的電路設計、內部運行速度提高了2倍、讀取/寫性能亦較48層3D NAND芯片增長了20%。

該公司同時指出,其正在嘗試將該芯片銷售至SSD、智能手機以及其它移動設備市場當中。相關大規模生產工作將在今年下半年正式開始。

關鍵字:海力士SK晶圓

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