瑞薩電子(Renesas)宣布成功開發首創采用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽快閃記憶體(SG-MONOS)單元，適用于電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)制程，且其中晶片內建快閃記憶體。

SG-MONOS技術為汽車應用提供高度可靠性，同時該公司目前也運用此技術來量產40奈米MCU，并且正在開發28奈米MCU。此次成功開發展現SG-MONOS技術擴展至16/14奈米及以上制程的可能性。

汽車自動化方面的進展，例如先進駕駛輔助系統(ADAS)，以及透過物聯網(IoT)連結的智慧型社會，創造了更先進MCU的需求，并采用更精密制程技術生產。為滿足此需求，繼最新的40/28奈米產品之后，瑞薩已開發以16/14奈米技術為基礎的嵌入式快閃記憶體。在16/14奈米邏輯制程中，通常采用具有鰭狀結構的鰭式場效電晶體(FinFET)，以實現更高的效能并降低功耗，克服傳統平面電晶體的擴充限制。

但是，依照快閃記憶體的結構，在嵌入式快閃記憶體中，采用鰭狀結構可能會成為一大挑戰。目前已提出并實作的嵌入式快閃記憶體類型有兩種：浮閘式與電荷擷取式。相較于浮閘式記憶體，瑞薩近年來采用的電荷擷取式快閃記憶體，具有優異的電荷保留特性，并且在需要高可靠性的汽車MCU中，已有優良的使用記錄。