三星電子智能手機吃悶棍，力拼內存事業救業績！據傳三星為了穩固龍頭地位，將在明年下半生產 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士（SK Hynix）和美光（Micron）遠遠落后，技術差距約為一年半。

BusinessKorea 31 日報導，半導體產業透露，三星內存部門今年初量產 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關人士說，明年三星 10 納米等級 DRAM，將占整體 DRAM 生產的一半。

DRAMExchange 估計，當前三星 DRAM 生產以 20 納米為主、占 82%，18 納米僅占 12%。

三星制程微縮進展比原先預期更為快速，內存部門主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年將量產 10 納米等級 DRAM，如今看來，應該 2019 年初就能達成目標。

三星是 DRAM 霸主，IHS 數據顯示，今年第二季三星的 DRAM 市占率高達 46.6%。對手 SK 海力士和美光的 DRAM 制程仍停留在 20 納米等級，要到明年第二季之后才會開始生產 18 納米 DRAM，技術差距約在一年到一年半之間。