眾所周知,閃存層數越多,閃存容量越大。此前三星品牌存儲的3D V-NAND已經堆到了驚人的48層,工藝精良,不過據《日經亞洲評論》報道,東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存,比三星多三分之一!
三月底之前,東芝公司將會投產最新一代的3D閃存,這將領先于閃存老對手三星電子。
近日東芝因為財務丑聞,公司運營陷入了艱難境地,東芝也希望自己占據技術優勢的閃存業務,能夠提振全公司的表現。
據報道,在東芝和三星電子目前生產的閃存芯片中,在垂直方向上一共使用了48層芯片,層數的增加,意味著在單位的面積內,閃存芯片的數據容量更大。目前智能手機朝著超薄化發展,手機內部空間十分寶貴,因此閃存芯片密度的提升,對于手機產業有著積極的意義。
三星則可能會在2017年下半年啟用位于韓國京畿道平澤市的新工廠,生產自己的64層閃存,但官方尚未明確表態。