早在2012年10月,存儲巨頭IBM完成了對TMS(Texas Memory Systems)的收購案。TMS在開發基于內存存儲產品上歷史悠久,最初是基于DRAM和較新的SLC和eMLC技術。作為潛在客戶關注了Ramsan(TMS閃存SAN陣列)系列許多年,一直以來的記憶就是硬件的相對成本能和現有全閃存系統相媲美。不過那是在EMC將SLC驅動器引入VMAX前,Violin Memory還炙手可熱的時候。
現在來看一下速度和吞吐量,FlashSystem 900要求延遲時間低于90微秒(寫入)和155微秒(寫入),雖然這里說的不是平均值而是最小值。吞吐量方面據稱具有1100000 IOPS(4KB塊100%隨機讀取)和600000 IOPS(100%隨機寫入)或者分別擁有70/30%讀取/寫入率則是約800000 IOPS。
它的帶寬是10GB/s(100%隨機讀取)和4.5GB/s(100%隨機寫入),隨著100%順序讀寫不再是書中的典型,介于兩者之間可能會有一個更為均衡的工作負載。而對于一款全閃存產品,這些都是極好的數字。但要知道900系列平臺除了RAID-5支持以外并沒有其它本地特性??紤]了RAID-5的開銷后,一款900系列陣列就僅限于大約105TB容量(原始)或57TB的可用容量。
FlashSystem 900采用了IBM貼牌定制的閃存介質作為MicroLatency模塊。這些模塊采用了20納米MLC閃存NAND,FPGA和軟件IP組合交付的一個定制存儲介質。Violin Memory 的VIMM,Pure Storage的FlashBlade和日立的 FMD隨后也紛紛效仿。
FlashSystem與SVC
IBM選擇了結合SVC和900系列設備向FlashSystem系列添加新功能。SVC是一個基于2U機箱的雙控制器架構。采用了雙Xeon E5處理器,64GB內存容量,而且支持光纖通道,以太網(iSCSI)和FCoE連通性。因此一個初級或構架塊(BB)V9000系統包含2個控制器(AC2)和一個AE2存儲機箱(也就是一個900系列),在6U機箱內提供57TB的最大(可用)容量。
相比之下,Violin Memory的7300平臺可在3U機箱內達到70TB容量或44.3TB可用容量,幾乎是V9000密度的兩倍。這在容量或密度方面實在不算驚世駭俗,但多BB系統可以聯合到一起,基于SVC的局限性,可實現4個BB(8 個AC2, 4個 AE2)系統的集群。此外,容量還可通過外部的4個AE2存儲控制器實現進一步擴展。這些配置都是通過專用16Gb/s光纖網絡進行連接。
這種4個構建塊和4個存儲機箱的最高配置似乎有些不穩定,50%的機架空間都要被分配到控制器。單位機架的最大有效容量為14.25TB。顯然,如果吞吐量/性能不是問題,那么單個BB能采用4個存儲控制器進行部署從而大幅提高單位機架的容量。
SVC置入數據通道所產生的影響有哪些?
單個BB交付的延遲時間,從155微秒上升至200微秒(最小值)——寫入性能并未引述——雖然還是可圈可點。吞吐量也受損嚴重——從1100000 IOPS掉到630000 IOPS(讀取)。實時壓縮(RTC)后,IOPS還要減半。順帶一提,雖然大部分其它供應商對這些數字略感壓力,Violin FSP7300倒有些勢均力敵的意味。
高級功能
SVC向V9000提供了高級功能,包括壓縮(通過外部硬件附加顯卡),自動精簡配置,快照,克隆和復制,但有一個明顯地遺漏——數據刪重技術在SVC上不可用。實時壓縮確實能夠實現所謂的5:1精簡“相關”數據集,但顯然刪重技術更趁手。我想要了解提供刪重技術是否會影響到SVC架構所提供的服務。
SVC是一個無狀態的帶內虛擬層,除了保留LUN/volume進行存儲映射以外并不保存任何配置數據。另外,刪重功能要在一個集群中跨多個SVC節點對以便實現容量節約的最大化。這樣管理會有額外的延遲開支,還將損害一些V9000的利益。
架構師觀點
如果你的應用程序需要低延遲和高帶寬,FlashSystem 900絕對值得推薦。不過,在低延遲存儲市場中,總是不乏新晉挑戰者,比如EMC DSSD和Mangstor都可能會威脅到這方面的業務。雖然功能豐富的V9000依然是一款熱銷產品,但它依賴于傳統SVC,缺乏刪重技術和整體空間效率。
其它供應商都在解決閃存(對比HDD)以及新型技術如TLC和3D NAND的相關成本問題。這些芯片的采用意味著要構建新的MicroLatency模塊,但對IBM并不算一項挑戰(IBM從V840 更新到V9000,芯片也從24納米制程壓縮到20納米)?,F在單個AE2內的模塊無法混合;部署整個存儲控制器來實現更大的驅動模塊似乎確實有些多余。
如果IBM能對900系列增加一些更高級的功能并盡可能地消除對SVC的依賴性那實在再好不過。