固態硬盤深入人心，閃存產品跨越了從消費級到企業級，促成了全面的存儲技術改革升級，在這塊兵家之地上，已經不在是原先傳統硬盤的四國鼎立，或者說希捷與西數的兩強對峙。面對這一片完全不可預期的市場，每一個身處其中的王牌廠商都要讓自己每一步走的沉穩。

根據外媒的一些消息得知，閃存行業內正在策劃一套新的融資方案，這套方案就是針對近兩年火熱的3D NAND芯片的開發以及代工體系的資金籌備項目。而近日的一個話題就是集中在國外的分析師對當前的3D NAND的成本論的探討，這一話題涉及到了諸多廠商以及各自旗下技術的成本代價，對這一直白的話題而言，誰會更有優勢呢？ 

國外分析機構一直在對NAND閃存芯片的代工制造體系成本進行核算，并將統計結果與傳統技術的生產線進行比對。為何要重新策劃一套融資方案？因為當面臨3D NAND轉型時所面臨的成本跨越是對從帶代工線到技術端的一次新的考驗。

3D NAND芯片的優勢就是在于存儲密度的提升，要更高遠傳統的NAND芯片，但其制造難度也更高。舉例來講，最傳統的平面NAND生產線要求利用三沉積層進行NAND電荷引導，而3D NAND芯片閃存的生產則需要四沉積層方能實現，這不單是對技術的考驗更是對成本進行了苛刻的要求。

國外分析機構稱：“這意味著，現在已經掌握了3D NAND技術的廠商要重新思考未來技術的成本問題，例如閃迪（其實就是東芝）的48層128Gb芯片，每晶粒MLC 3D NAND需要144個沉積層，而英特爾/美光的256Gb每晶粒MLC 3D NAND需要128個沉積層，三星的128Gb每晶粒MLC 3D NAND則需要96個沉積層。”

我在3月份的時候參觀了三星位于中國西安的SSD生產基地，作為最先使用3D NAND芯片的三星來講，整個制造流程可謂極度復雜。所以這種更為復雜的生產流程對良品率造成的影響將成為產品供應商眼中的關注重點，我在參觀三星工廠時，在廠區內工作人員進行了極其嚴密的參觀保護，所以我本沒有參觀到真正的流水線，而是在他們單獨羅列的閃存博物館內進行了瀏覽。所以沒有人會告訴你，即便是代工運營商也不會公開討論具體良品率。PS：良品率可以說是當前3D NAND成本非常關鍵的一個環節。 

去年，全球閃存存儲容量總產量約為61EB，其中僅僅只有3%為3D NAND，但3D NAND的占有率在未來一定會不斷提升。國外Gartner公司目前預計，3D NAND在全球總體NAND閃存生產容量中的占比在2015年年內將提升至約4%，之后將以每年至少1%的速度擴大占有率。再次回到我們上面的內容中，在擴大的市場中，誰能控制住成本，誰將拿到更多未來閃存存儲的絕對市場。

閃迪在今年的一次發布會中稱，到2018年3D NAND芯片將占用業界晶圓生產問題的50%甚至更高。閃迪認為“3D NAND總體生產容量將于2017年超過傳統閃存容量，這一切都要歸功于單一晶圓能夠在3D NAND上帶來更為可觀的存儲容量（Gb）。而3D晶圓生產規模到2018年將首次超越傳統的晶元安裝基數。

三星、閃迪（東芝）以及美光、英特爾三方已經宣稱將在3D NAND制造領域投入總計180億美元以上的巨額資金，三星公司在中國西安興建的3D NAND制造設施總計涉及超過70億美元整體資本投入。

我在去年10月份也參觀了美光公司于新加坡的制造工廠。美光今年2月又花費40億美元用于擴大這家工廠的制造產量。相比之下，希捷與西部數據作為傳統硬盤的代表，在過去三年中的總體資本支出約為43億美元。國外研究機構利用電子表格建模生成了以下圖表，具體內容為至2018年NAND與希捷/西部數據磁盤驅動器的資本支出對比結果：二者的差異可謂非常明顯，特別是在閃存與磁盤的每TB資本支出數字對比方面。從不同年份出發，閃存的每TB制造成本與磁盤驅動器相比一直在53倍到162倍之間浮動。 

龐大的支出與產品產量風險意味著，投資分析師對于新的融資計劃無法做出準確評估，很難預測閃存制造運營商未來的預期經營收益。生產方面的可怕難度與潛在失誤風險很可能給相關企業帶來嚴重的業務績效影響，同時也會造成不少供應難題。通往3D閃存彼岸的涅槃之路可謂迷霧重重，而且就目前而言我們還遠看不到明確的終點。 

總結

好了，我最后來盤點一下目前在戰場上的這些品牌之間的地位

三星：最早拿出3D V-NAND的三星，在這一領域的領先地位是肯定的，雖然在市場中的反映好壞參半，尤其去年845的XX門（懂的自然懂），讓三星在我們上面提到的品控上任然存在問題，保住地位，就看今年的新品了。

閃迪/東芝：兩強在各自提供著自己擁有的技術底盤，尤其閃迪在近1年時間里活躍在全閃存技術上，為其在企業級的地位大大加劇籌碼，回歸到消費級產品上，閃迪依然有著足夠的用戶口碑，有東芝提供flash，在3D NAND的產品研發上，速度并不會慢。同時東芝已經計劃在2015年下半投入48層堆疊V NAND生產。

intel/美光：對于intel，我只說一些個人觀點，其在閃存產品上的活躍度一直不高不低，曾經在很長時間里讓人摸不到節奏。直到今年，美光和intel決定攜手共同研發3D NAND，這一舉動對于市場的影響不容低估，但兩者能夠促成火花，拭目以待。

SK海力士：SK Hynix應該是在市場中優勢較小的制造商，雖然聲明2015年第3季開始生產36層堆疊MLC V-NAND，但目前其下游客戶群體并不優秀（山寨？是吧？）2014年底SK海力士已經完成研發24層結構V-NAND技術，在2015年底將推出48層TLC V-NAND，正式加入V-NAND競局。