同方國(guó)芯(002049.SZ)800億元的定增方案一經(jīng)推出,便引發(fā)了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注。從11月6日同方國(guó)芯定增方案推出至12日,其股價(jià)亦連續(xù)拉出5個(gè)漲停,股價(jià)飆升至52.66元/股。
值得注意的是,此次同方國(guó)芯定增方案中有600億元定增資金用于存儲(chǔ)芯片工廠建設(shè),而NAND作為存儲(chǔ)芯片中的一個(gè)主導(dǎo)產(chǎn)品,有券商表示,該行業(yè)存在產(chǎn)能過剩的隱憂。同時(shí),同方國(guó)芯何時(shí)能取得存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)技術(shù)也是其實(shí)施存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)略的關(guān)鍵步驟之一。
NAND大幅擴(kuò)產(chǎn)
同方國(guó)芯提示存儲(chǔ)芯片
工廠項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn):
許興軍進(jìn)一步指出,未來NAND 行業(yè)有可能重現(xiàn)產(chǎn)能過剩與價(jià)格下跌的狀況。
11月6日,同方國(guó)芯公布的《非公開發(fā)行股票預(yù)案》(以下簡(jiǎn)稱“預(yù)案”)顯示,公司本次非公開發(fā)行A股股票募集資金總額不超過800億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后擬全部用于如下項(xiàng)目:600億元用于存儲(chǔ)芯片工廠;37.9億元用于收購臺(tái)灣力成25%股權(quán);162億元用于對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司的收購。
存儲(chǔ)芯片,又稱為存儲(chǔ)器,是指利用電能方式存儲(chǔ)信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備,其存儲(chǔ)與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲(chǔ)或釋放,廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U 盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域,目前有取代磁盤的趨勢(shì),存儲(chǔ)芯片是全球芯片市場(chǎng)比重最大的產(chǎn)品之一。
目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片需求大,但國(guó)產(chǎn)化比例小,主要依賴三星、英特爾、東芝等國(guó)外企業(yè)。據(jù)統(tǒng)計(jì),國(guó)內(nèi)消耗的 80%的芯片都需要進(jìn)口,尤其是高端芯片幾乎全部進(jìn)口。
《預(yù)案》顯示,存儲(chǔ)芯片根據(jù)斷電后所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是否會(huì)丟失,可以分為易失性存儲(chǔ)器(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory),其中DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)與NAND Flash(資料儲(chǔ)存型閃存)分別為這兩類存儲(chǔ)器的代表。盡管存儲(chǔ)芯片種類眾多,但從產(chǎn)值構(gòu)成來看,DRAM與NAND Flash已經(jīng)成為存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。根據(jù)IDC的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2013年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模接近690億美元,而DRAM和NAND Flash 就占據(jù)了約600億美元,占比超過85%。
DRAM 是最常見的存儲(chǔ)元件之一,常用的 PC 內(nèi)存就是一種 DRAM。 DRAM發(fā)展至今,已經(jīng)成為 PC、智能手機(jī)、平板電腦以及服務(wù)器等產(chǎn)品不可或缺的零組件。由于對(duì)大容量、高速度、小體積和便攜性存儲(chǔ)需求的增加,智能手機(jī)搭載NAND Flash 的容量快速增長(zhǎng), SSD(固態(tài)硬盤)也在 PC 中獲得青睞。智能手機(jī)與 SSD 已經(jīng)成為 NAND Flash 最主要的需求。
《預(yù)案》顯示,同方國(guó)芯將投資新建存儲(chǔ)類芯片工廠,工廠實(shí)施完成并完全達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)可新增12萬片/月的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)產(chǎn)能。根據(jù)公司測(cè)算,該項(xiàng)目計(jì)劃投資總額約為938.27億元。其中建設(shè)投資為920.33億元,鋪底流動(dòng)資金17.94億元,公司擬以本次募集資金投資600億元,其余部分由公司自籌解決。
根據(jù)同方國(guó)芯測(cè)算,預(yù)計(jì)項(xiàng)目投產(chǎn)一年后可完全達(dá)產(chǎn),即至項(xiàng)目建設(shè)后第四年生產(chǎn)負(fù)荷可達(dá) 100%。本項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)期內(nèi)年均不含稅營(yíng)業(yè)收入為353.56億元,預(yù)計(jì)年均利潤(rùn)總額為87.19億元,稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為17.65%,稅后投資回收期6.28年(含建設(shè)期2年)。
對(duì)于DRAM和NAND廠商擴(kuò)張意愿,《預(yù)案》中表示,DRAM 目前主流的制程為 20nm~30nm, NAND 也進(jìn)入 20nm 以下制程的時(shí)代,進(jìn)一步縮小制程所需的研發(fā)與建廠投資大大增加,新建廠房往往需要花費(fèi)數(shù)十億美元,所以,從整體上來看,存儲(chǔ)芯片廠商的擴(kuò)產(chǎn)意愿和擴(kuò)產(chǎn)能力都不強(qiáng)。
對(duì)于DRAM和NAND前景,廣發(fā)證券電子元器件分析師許興軍在其研究報(bào)告中指出,DRAM行業(yè)得益于過去頻繁發(fā)生的破產(chǎn)、并購與整合,目前寡頭壟斷的格局已然形成,行業(yè)供給相對(duì)可控,在 PC 和智能手機(jī)需求的刺激下,預(yù)計(jì)未來DRAM 整體供需大概率將保持平衡或供給略微緊缺的狀態(tài)。
許興軍進(jìn)一步指出,未來NAND 行業(yè)有可能重現(xiàn)產(chǎn)能過剩與價(jià)格下跌的狀況。從需求方面來看,智能手機(jī)對(duì)NAND Flash的需求保持較快增長(zhǎng),但SSD成為最大的不確定性因素。目前,SSD每GB的價(jià)格仍然高出普通磁盤(HDD)數(shù)倍,在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的吸引力有限;同時(shí),在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用方面,由于對(duì)SSD的穩(wěn)定性與壽命仍然存在疑慮,未來這類市場(chǎng)的存儲(chǔ)需求仍然以HDD為主,若SSD的發(fā)展不及預(yù)期,那么整個(gè)NAND市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)勢(shì)必將大打折扣。
其表示,從供給端來看,由于NAND市場(chǎng)相對(duì)分散,廠商之間難以形成有效的自律,近兩年來紛紛擴(kuò)產(chǎn)。例如東芝與SanDisk合資建立的Fab 5工廠,以及美光新加坡的Fab 7工廠等,皆將各自的NAND Flash產(chǎn)能提升至1.5~2倍的水準(zhǔn)。近兩年來,整個(gè)NAND產(chǎn)業(yè)的晶圓產(chǎn)量一直保持上升趨勢(shì), 再加上由于制程技術(shù)進(jìn)步導(dǎo)致的單片晶圓產(chǎn)出芯片數(shù)量增多, 整體NAND位元(Bit)產(chǎn)能實(shí)際增長(zhǎng)更快。
許興軍表示,從NAND整體供需狀況來看,近幾年來一直呈現(xiàn)略微過剩的狀態(tài)。隨著各大廠商的大幅擴(kuò)產(chǎn),產(chǎn)能過剩將進(jìn)一步加劇, NAND產(chǎn)業(yè)未來恐難樂觀。
不過,上海一位券商人士也對(duì)記者表示,對(duì)于未來NAND是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的局面目前還無法判斷,畢竟市場(chǎng)都在變化,供給和需求也在不斷變更中,現(xiàn)在說未來該行業(yè)會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的局面還為時(shí)尚早。
此外,亦存在該項(xiàng)目產(chǎn)品沒有足夠的市場(chǎng)需求,而使得項(xiàng)目銷售數(shù)量不足,致使項(xiàng)目效益無法達(dá)標(biāo)。
未來可能存在公司在技術(shù)上無法滿足該存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)工藝和技術(shù)的要求,從而影響項(xiàng)目的達(dá)產(chǎn)時(shí)間等因素從而致使項(xiàng)目效益無法達(dá)標(biāo)。
技術(shù)難題
華泰證券猜測(cè),同方國(guó)芯如何通過外延獲得 NAND Flash 相關(guān)專利技術(shù)、制造工藝等,成為整個(gè)計(jì)劃的關(guān)鍵,仍將值得期待。
除了NAND未來可能會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的局面之外,目前同方國(guó)芯生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的技術(shù)實(shí)力也是該項(xiàng)目的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。
北京一位券商分析師對(duì)記者表示,目前存儲(chǔ)芯片核心技術(shù)被國(guó)際企業(yè)美光、三星電子等幾家企業(yè)所掌握,國(guó)內(nèi)尚沒有企業(yè)能大規(guī)模生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。存儲(chǔ)芯片是國(guó)家重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目,但生產(chǎn)技術(shù)也是核心,未來同方國(guó)芯能否獲得該領(lǐng)域生產(chǎn)技術(shù)也是該項(xiàng)目能否成功的重要因素,由于國(guó)內(nèi)企業(yè)在這方面技術(shù)較為薄弱,要收購這些國(guó)際企業(yè)存在的難度不小。
而之前有消息表明,同方國(guó)芯的新控股股東紫光集團(tuán)或?qū)⑹召徝绹?guó)存儲(chǔ)巨頭美光科技。
有媒體在今年7月份報(bào)道稱,同為“清華系”控股的紫光集團(tuán)擬斥巨資收購美光科技,價(jià)格可能達(dá)到230億美元。隨后美光發(fā)言人在接受媒體采訪時(shí)否認(rèn)收到收購提議,并未對(duì)相關(guān)信息給予置評(píng),清華紫光方面相關(guān)負(fù)責(zé)人在接受媒體采訪時(shí)表示,一些重大信息以公告為準(zhǔn)。
9月份,接近紫光集團(tuán)的一位人士對(duì)媒體透露說,紫光集團(tuán)想收購美國(guó)芯片制造商美光集團(tuán),對(duì)方企業(yè)很積極,但是美國(guó)政府不積極,因?yàn)槊拦饧瘓F(tuán)除了做芯片之外還涉及到一些高端技術(shù)。
華泰證券猜測(cè),同方國(guó)芯如何通過外延獲得 NAND Flash 相關(guān)專利技術(shù)、制造工藝等,成為整個(gè)計(jì)劃的關(guān)鍵,仍將值得期待。
值得注意的是,今年紫光集團(tuán)孫公司紫光聯(lián)合擬投資37.75億美元收購西部數(shù)據(jù)新發(fā)行0.41億股股份。認(rèn)購發(fā)行完成后,紫光集團(tuán)將通過紫光聯(lián)合持有西部數(shù)據(jù)發(fā)行在外的約15%股份,成為其第一大股東。隨后,西部數(shù)據(jù)宣布以約 190 億美元收購美國(guó)納斯達(dá)克上市公司閃迪公司(股票代碼:SNDK,以下簡(jiǎn)稱“閃迪”)所有發(fā)行在外的股份。
紫光股份表示,此次收購將使西部數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈得到進(jìn)一步的加強(qiáng),使西部數(shù)據(jù)成為一個(gè)擁有更廣泛產(chǎn)品和技術(shù),并在非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域尤為專業(yè)的全球規(guī)模的存儲(chǔ)解決方案提供商。
為此記者致電紫光股份,詢問西部數(shù)據(jù)和閃迪是否具有生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的技術(shù),以及這些技術(shù)是否會(huì)歸于公司所有,公司一位證券部人士對(duì)記者表示,對(duì)于這些問題其并不清楚。