IDC預測，2015年至2020年，全球生成的數(shù)據(jù)量將從7.2ZB增加到至少40ZB。如此大的數(shù)據(jù)量如何實現(xiàn)快速讀取和分析？存儲領域對新介質的需求愈發(fā)強烈。

互聯(lián)網(wǎng)+時代，企業(yè)需要的是高性能、高耐用性、低成本固態(tài)盤解決方案。2015年，英特爾相繼宣布攜手鎂光研發(fā)推出了高密度閃存3D NAND技術以及內存技術3D Xpoint。

英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Robert B. Crooke

英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Robert B. Crooke表示：“針對用戶的應用需求與業(yè)務特點，我們的策略主要是形成用戶需求、技術創(chuàng)新與平臺優(yōu)化的閉環(huán)，深入挖掘用戶的實際應用特點，有針對性的進行技術創(chuàng)新，并針對不同應用環(huán)境進行產品、系統(tǒng)、平臺層面的全面優(yōu)化，從而使得用戶能夠獲得更好的應用體驗、擴大英特爾固態(tài)盤在企業(yè)級與消費級市場的市場份額。”

當前，平面結構的NAND閃存已接近其實際擴展極限，給半導體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成的新的3D NAND技術，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。

這款3D NAND技術在未來幾年中將會逐漸獲得價格優(yōu)勢，在數(shù)據(jù)中心領域為加速SSD代替HDD奠定基礎。

英特爾與鎂光共同研發(fā)的3D Xpoint技術則可以稱之為在內存處理技術上的重大突破。英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部策略及產品規(guī)劃總監(jiān)Prasad Alluri在做產品介紹時表示，3D XPoint技術可以帶來1000倍的性能提升，即比目前在移動設備和固態(tài)硬盤上使用的NAND閃存速度快1000倍，而且耐久度更好。3D Xpoint也是25年來第一款全新的內存芯片。

英特爾公司非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部策略及產品規(guī)劃總監(jiān)Prasad Alluri

3D Xpoint技術不但可以改善個人計算的體驗，還可以可以用來打造高性能、高容量的儲存解決方案，成本也同樣很低。除了比NAND閃存更快，這種新技術還比目前在計算機中使用的DRAM密度高10倍，這意味著更多的數(shù)據(jù)可以被儲存在處理器附近，并帶來更快的訪問速度。

英特爾還透露，搭載以上兩種技術的產品將在明年相繼面世。