惠普與SanDisk雙方正聯(lián)手對(duì)抗來自英特爾/美光的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)威脅，希望能夠開發(fā)出屬于自己的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（簡稱SCM）技術(shù)方案。

 來自SanDisk與惠普的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存可能基于憶阻器技術(shù)打造而成

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存屬于一種持久性內(nèi)存方案，其擁有與DRAM相當(dāng)或者相近的速度表現(xiàn)，但卻成本較低而且能夠作為內(nèi)存內(nèi)計(jì)算的實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)--換句話來說，其能夠克服速度較慢的閃存或者磁盤等持久性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案給CPU計(jì)算周期造成嚴(yán)重拖累的問題。不過要實(shí)現(xiàn)這種新型IO堆棧，廠商需要在硬件與軟件兩方面同時(shí)取得突破。

美光與英特爾的XPoint內(nèi)存所稱能夠提供相當(dāng)于目前閃存方案1000倍的速度表現(xiàn)，且使用壽命亦能夠達(dá)到閃存的1000倍。奇怪的是，惠普與SanDisk表示他們的存儲(chǔ)級(jí)閃存技術(shù)同樣"預(yù)計(jì)能夠提供高達(dá)相當(dāng)于目前閃存1000倍的速度水平以及同等程度的使用幫助提升。"

根據(jù)預(yù)期，這套新型方案還能夠在使用成本、功耗水平、存儲(chǔ)密度以及使用壽命方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越當(dāng)前DRAM技術(shù)，這意味著服務(wù)器將能夠利用數(shù)十TB級(jí)別的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存資源承載內(nèi)存內(nèi)數(shù)據(jù)庫、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析、事務(wù)處理以及高性能計(jì)算等負(fù)載類型。

SanDisk公司內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁Siva Sivaram指出，他對(duì)于SanDisk與惠普之間的深入合作關(guān)系感到非常振奮，其將能夠借此讓"我們的企業(yè)級(jí)SAS、SATA以及PCIe產(chǎn)品更加完整，同時(shí)推進(jìn)前沿企業(yè)級(jí)系統(tǒng)解決方案的發(fā)展。"根據(jù)我們的理解，這似乎意味著雙方已經(jīng)達(dá)成了OEM或者轉(zhuǎn)售類型的合作協(xié)議。

此次合作意向旨在打造出面向內(nèi)存驅(qū)動(dòng)型計(jì)算需求的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品，同時(shí)構(gòu)建起更為出色的數(shù)據(jù)中心SSD產(chǎn)品。雙方達(dá)成的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存合作協(xié)議著眼于長期發(fā)展："我們的合作關(guān)系旨在通過協(xié)作開發(fā)新型存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存技術(shù)解決方案，預(yù)計(jì)將在未來幾年給計(jì)算行業(yè)帶來一輪新的變革浪潮。"

惠普公司將提供自家憶阻器技術(shù)及相關(guān)專業(yè)知識(shí)，而SanDisk方面則將提供非易失性ReRAM內(nèi)存技術(shù)，不過目前我們尚不清楚SanDisk擁有哪些具體的制造與設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。

SanDisk公司CEO Sanjay Mehrotra曾于2013年4月提及ReRAM（即電阻RAM），表示："目前要討論3D電阻RAM技術(shù)恐怕還為時(shí)尚早。目前這一技術(shù)尚處于早期發(fā)展階段。而且正如我們此前所言，其需要EUV技術(shù)作為基礎(chǔ)，而EUV技術(shù)要想真正成為現(xiàn)實(shí)還必須具備切實(shí)可行的性價(jià)比水平，從而在未來幾年當(dāng)中逐步走向市場普及及批量生產(chǎn)。因此，我個(gè)人認(rèn)為，3D NAND技術(shù)在未來兩到三年內(nèi)仍將占據(jù)主導(dǎo)，但之后就將是新型技術(shù)成果的天下。"

而對(duì)于任何未來可能出現(xiàn)的SanDisk ReRAM技術(shù)方案，我們預(yù)計(jì)其真正進(jìn)入生產(chǎn)階段的時(shí)間點(diǎn)可能會(huì)在2017到2018年。

據(jù)我們掌握的情況，SanDisk公司的閃存代工合作伙伴東芝早在2012年就開始著手進(jìn)行ReRAM方面的研發(fā)工作。

美光的3D XPoint內(nèi)存也屬于ReRAM的一種，其存儲(chǔ)單元的二進(jìn)制值可通過檢查當(dāng)前電阻實(shí)現(xiàn)讀取，而向存儲(chǔ)單元的寫入操作會(huì)改變其電阻水平。相變內(nèi)存同樣屬于ReRAM范疇之內(nèi)，其存儲(chǔ)單元材料能夠進(jìn)行相變，即由無狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)，而這將同時(shí)實(shí)現(xiàn)電阻水平變更。

目前尚不清楚XPoint所采用的存儲(chǔ)單元制程，不過已經(jīng)可以確定的是其采用批量材料轉(zhuǎn)化但卻并不屬于相變性質(zhì)。分析師Jim Handy曾在一篇相關(guān)報(bào)道中指出，惠普公司已經(jīng)放棄了其對(duì)憶阻器技術(shù)的開發(fā)工作。不過根據(jù)目前SanDisk的合作協(xié)議來看，他的觀點(diǎn)似乎并不準(zhǔn)確。

惠普/SanDisk雙方還有意推動(dòng)惠普旗下的The Machine技術(shù)概念，"其徹底顛覆了計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)架構(gòu)，能夠在實(shí)現(xiàn)性能與執(zhí)行效率飛躍的同時(shí)，顯著降低成本并改進(jìn)安全性水平。"

惠普公司CTO兼執(zhí)行副總裁Martin Fink表示："雙方建立合作關(guān)系之后，我們計(jì)劃向市場推出新型內(nèi)存解決方案并加快相關(guān)產(chǎn)品在企業(yè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域的推廣速度，同時(shí)輔助惠普的The Machine項(xiàng)目開發(fā)工作，從而著眼于長期打造出新型計(jì)算模式。"

不過憶阻器技術(shù)已經(jīng)在惠普手中停滯了很長時(shí)間，一部分懷疑論者甚至認(rèn)為其永遠(yuǎn)無法真正實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品交付。

評(píng)論意見

我們可以肯定的是，目前惠普公司的憶阻器技術(shù)還不足以直接對(duì)抗XPoint內(nèi)存方案，而SanDisk的ReRAM因此被推上了這一重要位置，憶阻器則作為輔助。作為合作意向的組成部分，惠普方面可能還會(huì)負(fù)責(zé)銷售由SanDisk打造的3D NAND閃存產(chǎn)品，這將幫助惠普有效抗衡目前正處于優(yōu)勢地位的三星3D NAND產(chǎn)品。

不過目前SanDisk與惠普尚未對(duì)軟件方面做出任何說明，根據(jù)我們的理解要想真正發(fā)揮存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存的全部優(yōu)勢，服務(wù)器操作系統(tǒng)與應(yīng)用軟件都需要進(jìn)行有針對(duì)性的調(diào)整。正如SAP打造的HANA內(nèi)存內(nèi)計(jì)算方案，我們可能也需要擁有應(yīng)用軟件版本的HANA型技術(shù)。

這是存儲(chǔ)業(yè)界首次針對(duì)英特爾/美光的XPoint內(nèi)存技術(shù)方案做出成規(guī)模的回應(yīng)。我們預(yù)計(jì)三星公司目前下在積極構(gòu)建自己的同類成果，與此同時(shí)SanDisk的合作伙伴東芝公司應(yīng)該也會(huì)在這一領(lǐng)域采取必要的市場拓展舉措。