惠普(HP)和閃迪(SanDisk)公司目前正合作準備推出一種全新的存儲芯片，據說會對計算機和其他設備乃至整個領域產生很大影響，幫助實現大跨步的邁進。這兩家公司是周四宣布合作的，并且宣稱未來將推出的這種芯片比現有智能手機中所用的閃存快1000倍。而且未來還將以更低的成本取代目前廣泛采用的DRAM內存。

惠普和閃迪打算用這種最新的存儲技術顛覆這一市場，這似乎是對Intel和美光（Micron）今年7月份發布的一種3D Xpoint技術的回應。

眾所周知，計算設備采用DRAM和SRAM作為易失性存儲器，它們的特點是成本相對更高，但數據傳輸速度更快，在斷電的時候數據就會丟失。而對于長期存儲，機械硬盤和閃存芯片是常規手段，在速度上更慢，但成本相對更低。

很多人都在夢想一種新的存儲技術的出現，就是結合長期和短時存儲這兩者的優勢，這樣計算設備的使用體驗就能更上一層樓。惠普首席技術官兼副總裁Martin Fink表示：“我們就是要讓過去的技術崩潰，讓這個世界變得更簡單。”

這種被稱為通用存儲的技術應該算是目前惠普研究的一個重要方向，未來是有機會顛覆過去60年來形成的計算機領域的存儲標準的。存儲市場當前的主流發展趨勢是閃存和DRAM通過縮減晶體管尺寸達成性能提升，這一模式達成的影響正在變小。

惠普與閃迪表示，他們的這次合作會用到兩家企業單獨研究的兩種技術，惠普的的憶阻器和閃迪的RRAM，這兩種技術都是利用改變電阻的材料。實際上惠普和閃迪并不是唯一兩家在這么做的企業，初創企業Crossbar也在開發RRAM，還有Intel和美光目前公布的技術細節聽起來跟其他企業所說的也比較類似。

Moor Insights & Strategy分析師Patrick Moorhead表示，這次的合作實際上“和美光與Intel所說的是同一個陣營”。惠普工程師將會幫助開發這項進技術，閃迪則會進行這種聯合設計芯片的生產。除了存儲芯片之外，這兩家企業還計劃在利用這種技術的系統上進行合作。閃迪執行副總裁Siva Sivaram表示：“這是一次長期合作。”

惠普和閃迪表示，他們不會將技術授權給其他企業，先前Intel和美光也表達了相同的戰略，這跟傳統的模式還是有很大差異的。Fink表示，這種芯片并非價格驅動的商品，“我們正轉向基于價值的世界。”這項技術預計會在2018-2020年抵達市場，但并沒有非常明確的時間表。